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公开(公告)号：CN111627933A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010504481.5
申请日：2020-06-05
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L27/12 , H01L21/77 , H01L27/32 , H01L27/15 , G02F1/1362 , G02F1/1343
Abstract: 一种主动元件基板及其制造方法，主动元件基板包括基板、硅层、第一绝缘层、第一栅极、第一介电层、第一转接电极、第二转接电极以及第二介电层。两个开口贯穿第一介电层并重叠于硅层。第一转接电极以及第二转接电极分别位在两个开口中。第二介电层位在第一转接电极以及第二转接电极上。两个第一通孔贯穿第二介电层。第一转接电极以及第二转接电极为两个第一通孔的蚀刻中止层。
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公开(公告)号：CN111627933B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202010504481.5
申请日：2020-06-05
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L27/12 , H01L21/77 , H10K59/12 , H01L27/15 , G02F1/1362 , G02F1/1343
Abstract: 一种主动元件基板及其制造方法，主动元件基板包括基板、硅层、第一绝缘层、第一栅极、第一介电层、第一转接电极、第二转接电极以及第二介电层。两个开口贯穿第一介电层并重叠于硅层。第一转接电极以及第二转接电极分别位在两个开口中。第二介电层位在第一转接电极以及第二转接电极上。两个第一通孔贯穿第二介电层。第一转接电极以及第二转接电极为两个第一通孔的蚀刻中止层。
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公开(公告)号：CN105161509B
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201510594200.9
申请日：2015-09-17
Applicant: 友达光电股份有限公司
CPC classification number: H01L27/3248 , H01L27/1225 , H01L27/3262 , H01L27/3265
Abstract: 本发明公开了一种像素结构，包括金属氧化物半导体层、第一绝缘层、第二绝缘层、第一导电层、保护层、第二导电层以及像素电极。金属氧化物半导体层包括第二半导体图案。第一绝缘层包括第一电容介电图案，其位于第二半导体图案上。第二绝缘层包括第二电容介电图案，其位于第一电容介电图案上。第一导电层包括第一电极，其位于第二电容介电图案上。保护层覆盖第一导电层。第二导电层包括一第二电极，其位于保护层上。第二电极与第二半导体图案电性连接。第二电极与第一电极重叠设置。第二半导体图案、第一电极以及第二电极构成一储存电容器。
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公开(公告)号：CN105161509A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510594200.9
申请日：2015-09-17
Applicant: 友达光电股份有限公司
CPC classification number: H01L27/3248 , H01L27/1225 , H01L27/3262 , H01L27/3265
Abstract: 本发明公开了一种像素结构，包括金属氧化物半导体层、第一绝缘层、第二绝缘层、第一导电层、保护层、第二导电层以及像素电极。金属氧化物半导体层包括第二半导体图案。第一绝缘层包括第一电容介电图案，其位于第二半导体图案上。第二绝缘层包括第二电容介电图案，其位于第一电容介电图案上。第一导电层包括第一电极，其位于第二电容介电图案上。保护层覆盖第一导电层。第二导电层包括一第二电极，其位于保护层上。第二电极与第二半导体图案电性连接。第二电极与第一电极重叠设置。第二半导体图案、第一电极以及第二电极构成一储存电容器。
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公开(公告)号：CN106997903A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201610974692.9
申请日：2016-11-03
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L29/10 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开一种薄膜晶体管及其制作方法，其中薄膜晶体管具有电阻值较低的第一图案化半导体层与电阻值较高的第二图案化半导体层，且第一图案化半导体层离栅极较近，而第二图案化半导体层离漏极较近，因此可以减少背通道受漏极影响所产生的额外载流子的数量，以降低薄膜晶体管的临界电压随着不同漏极电压的改变幅度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104952906A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510247569.2
申请日：2015-05-15
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L27/32
CPC classification number: H01L27/3246
Abstract: 一种显示面板的像素结构，包括主动元件、第一电极、像素定义层、披覆层、发光层以及第二电极。主动元件位于基板上。第一电极位于主动元件上方并与主动元件电性连接。像素定义层位于第一电极上，其中像素定义层具有开口以暴露出第一电极。披覆层包覆像素定义层。发光层位于开口内并覆盖被暴露出的第一电极，其中发光层与像素定义层被披覆层分离开来。第二电极位于发光层上。本发明不仅使像素定义层吸附水气的机会减少，更可阻挡像素定义层释放水气至显示面板的内部元件中。
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公开(公告)号：CN102664196B
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201210156748.1
申请日：2012-05-18
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/20
Abstract: 本发明公开一种阵列基板及多晶硅层的制作方法。在可挠基板上形成第一缓冲层。在第一缓冲层上形成第一阻挡层。在第一阻挡层上形成第二缓冲层。在第二缓冲层上形成第二阻挡层。在第二阻挡层上形成非晶硅层。以激光将非晶硅层转变成多晶硅层。
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公开(公告)号：CN104952906B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201510247569.2
申请日：2015-05-15
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L27/32
Abstract: 一种显示面板的像素结构，包括主动元件、第一电极、像素定义层、披覆层、发光层以及第二电极。主动元件位于基板上。第一电极位于主动元件上方并与主动元件电性连接。像素定义层位于第一电极上，其中像素定义层具有开口以暴露出第一电极。披覆层包覆像素定义层。发光层位于开口内并覆盖被暴露出的第一电极，其中发光层与像素定义层被披覆层分离开来。第二电极位于发光层上。本发明不仅使像素定义层吸附水气的机会减少，更可阻挡像素定义层释放水气至显示面板的内部元件中。
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公开(公告)号：CN104465784A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410735468.5
申请日：2014-12-05
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L29/10 , H01L27/12
CPC classification number: H01L29/66742 , H01L27/12 , H01L29/0603 , H01L29/0684
Abstract: 一种薄膜晶体管，其包括栅极、源极、漏极以及通道层，通道层位于栅极以及源极及漏极之间，通道层具有相对设置的第一侧壁以及第二侧壁，栅极与第一侧壁重叠，且栅极不与第二侧壁重叠，通道层之电流流通长度为X，栅极与通道层之重叠长度为X1，栅极与通道层之未重叠长度为X2，且X＝X1+X2，其中，X1≧X/2，且0≦X2≦X/2。
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公开(公告)号：CN102664196A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201210156748.1
申请日：2012-05-18
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/20
Abstract: 本发明公开一种阵列基板及多晶硅层的制作方法。在可挠基板上形成第一缓冲层。在第一缓冲层上形成第一阻挡层。在第一阻挡层上形成第二缓冲层。在第二缓冲层上形成第二阻挡层。在第二阻挡层上形成非晶硅层。以激光将非晶硅层转变成多晶硅层。
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