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公开(公告)号：CN102616787B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201210078794.4
申请日：2012-03-22
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种去除工业硅中硼磷杂质的方法，涉及一种工业硅的提纯方法。1)将渣料2预熔，渣料2为CaO-CaSi2；2)将渣料1压成渣球，将部分渣料1和工业硅放进坩埚，抽真空，开启中频感应电源加热使物料熔化，渣料1为SiO2-Na2CO3-CaF2；3)升高中频感应电源的功率至80～100kW，当温度在1300～1500℃时，将部分渣料2加入到坩埚中，通气搅拌，继续升高中频感应电源的功率至100～120kW，当温度在1600～1800℃时，将部分渣料1加入到坩埚中，再通气搅拌，降低功率到80kW，待温度下降；4)重复步骤3)；5)造渣后将硅液倒入承接坩埚，静置冷却后取出硅锭，物理破碎得到提纯的多晶硅锭。
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公开(公告)号：CN102424568B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201110259241.4
申请日：2011-09-02
Applicant: 厦门大学
IPC: C04B35/10 , C04B41/88 , C04B35/622
Abstract: 一种含钨氧化铝陶瓷发热基板的制备方法，涉及一种陶瓷发热元件的制备方法。提供在可解决水系流延成型过程中溶剂(水)对粉料的湿润性较差、浆料除泡困难、挥发慢和干燥时间长，以及烧结后陶瓷与金属层结合力差等问题，能显著提高烧结合格率和生产效率的一种含钨氧化铝陶瓷发热基板的制备方法。配制陶瓷预混料和钨浆料；球磨；流延成型；丝网印刷；烧结；镀镍。
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公开(公告)号：CN103011169A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210546258.2
申请日：2012-12-14
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种片状硅的制备方法，涉及一种工业硅除硼工艺和片状硅的制备方法。提供可显著减低硼含量，所得片状硅可作为冶金法提纯太阳能级多晶硅的后道工序即酸洗除杂工序理想的低硼原料的一种片状硅的制备方法。采用冶金级硅料作为原料，将原料硅放在石墨坩埚中，通过感应线圈电磁加热，熔化硅料；硅料熔化时，加入造渣剂，控制加热功率，使反应过程中硅液的温度保持在1550～1850℃，造渣精炼结束后，静置，除去浮于硅液上层的废渣；将硅液温度控制在1500～1700℃，然后浇到水冷旋转轮毂上进行淬冷；水冷旋转轮毂为常温；调整水冷旋转轮毂的转速，使硅液飞离水冷旋转轮毂并落入容器中，则在容器中收集得到本发明所述的片状硅。
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公开(公告)号：CN102951645A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210530048.4
申请日：2012-12-10
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种造渣精炼去除工业硅中硼磷杂质的方法，涉及工业硅的除杂工艺。1）在石墨坩埚表面涂上一层致密的SiC涂层作为内层，在SiC涂层上涂覆Y2O3涂层作为外层；2）将造渣剂混合后，放入预处理过的石墨坩埚中；3）打开中频感应炉加热至渣料熔化；4）渣料熔化后向熔化的渣料中加入工业硅，进行造渣精炼，待渣料和硅料完全熔化后，降低功率后反应；5）往熔液中插入通气棒，向体系通入Ar+H2O，确保硅相与渣相接触；6）拔离通气棒，将熔液上层硅液倒到静置的石墨模具中冷却；7）继续添加硅料，重复步骤4）～6）；8）将精炼过多晶硅切除头尾杂质富集部分，再通过ICP-MS测量剩余部分硼磷含量。工艺简单，工业化可行性高。
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公开(公告)号：CN101961883B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010289012.2
申请日：2010-09-21
Applicant: 厦门大学
IPC: B28B3/00
Abstract: 一种用高岭土脱泥尾砂制备人造石英石的方法，涉及一种建筑装饰材料。将不饱和树脂与色料搅拌，加入高岭土脱泥尾砂、天然河沙和二氧化硅粉末，搅拌后，加入促进剂、偶联剂和固化剂，搅拌后注入模具中，所述不饱和树脂、色料、高岭土脱泥尾砂、天然河沙、二氧化硅粉末、促进剂、偶联剂和固化剂。将模具送入真空箱抽真空，压制成型，固化加热；冷却脱模除去模具，打磨抛光，最后切割成人造石英石规格板。初期投入少，操作方便，上马快，工艺简单合理，产品不仅具有大理石的天然花纹、条纹和丰富的色彩，而且具有石英石的硬度，适合于产业化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101872801B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201010177758.4
申请日：2010-05-20
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触的制备方法，涉及太阳能电池。提供一种掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触的制备方法。将P型多晶硅片清洗后，再以三氯氧磷为源扩磷，然后用氢氟酸腐蚀去表面的磷硅玻璃层，得扩磷后的多晶硅片；在扩磷后的多晶硅片的N型层上光刻出圆形传输线模型图形，再生长氧化锌掺铝薄膜，得样品；将样品浸泡在丙酮中，剥离多晶硅片N型层上的光刻胶后，退火，得掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触。所制备的掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触，通过不同退火的时间和温度由实验得到最优的欧姆接触制备条件，得到最佳的比接触电阻，提高多晶硅太阳电池的光电转换效率，满足器件性能要求，可用于高效率硅太阳能电池透明电极的制备。
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公开(公告)号：CN101871883B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201010109814.0
申请日：2010-02-09
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种测定高纯硅中磷含量的方法，涉及一种硅中磷含量的测定。提供一种所用设备简单，成本低廉，操作步骤标准化，检测限低，灵敏度以及精确度较高，适合于低磷含量硅检测，可利用分光光度计低成本快速精确检测低磷硅样的测定高纯硅中磷含量的方法。配制磷标准液；配制酸性显色液、2mol/LH2SO4的硫酸、硫代硫酸钠溶液和PVA溶液；绘制磷标准工作曲线；获得未被污染的硅样；依据样品的磷含量范围称取无污染样品；将样品放入聚四氟乙烯烧杯中溶解蒸发；将溶解蒸发的样液进行显色操作；测试显色液的吸光度并计算磷含量。
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公开(公告)号：CN102139878A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201110040914.7
申请日：2011-02-18
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种采用含钛化合物去除工业硅中硼杂质的方法。属于冶金领域，提供一种采用含钛化合物去除工业硅中硼杂质的方法。包括以下步骤：将工业硅与造渣剂混合，放入石墨坩埚中，置于熔炼炉中预热至1400～1600℃；依次用机械泵、罗茨泵对熔炼炉抽真空，加热至1500～1700℃，控制中频电源频率为80～120kW；进行通气搅拌并造渣，造渣充分后的硅液浇入模具中，凝固后的硅料切除杂质得除硼后的硅料。本发明中的造渣剂效果良好，分配比可达到5以上，对比单纯的Ca系造渣剂有显著提高。显著降低了工业硅中硼含量，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN101891493A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN201010265770.0
申请日：2010-08-27
Applicant: 厦门大学
IPC: C04B35/66 , C04B35/185 , C04B35/622
Abstract: 一种莫来石耐火材料的合成方法，涉及一种耐火材料。提供一种工艺过程简单，成本低廉，合成的莫来石耐火材料性能优异、纯度较高的莫来石耐火材料的合成方法。将铝厂污泥和叶腊石分别送入球磨机中干磨；在干磨后的铝厂污泥和叶腊石混合物中，加入BaF2或Na2SiF6，然后加水湿磨，得铝厂污泥和叶腊石混合浆料；将铝厂污泥和叶腊石混合浆料，用喷雾器喷入造粒塔进行雾化、干燥，得到铝厂污泥-叶腊石团粒；将铝厂污泥-叶腊石团粒送到液压成型机中成型，得铝厂污泥-叶腊石坯体；将铝厂污泥-叶腊石坯体烘干，以减少烧成收缩，防止试样开裂；将烘干后的铝厂污泥-叶腊石坯体烧结，烧结后冷却至室温，得莫来石耐火材料。
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公开(公告)号：CN101872801A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010177758.4
申请日：2010-05-20
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触的制备方法，涉及太阳能电池。提供一种掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触的制备方法。将P型多晶硅片清洗后，再以三氯氧磷为源扩磷，然后用氢氟酸腐蚀去表面的磷硅玻璃层，得扩磷后的多晶硅片；在扩磷后的多晶硅片的N型层上光刻出圆形传输线模型图形，再生长氧化锌掺铝薄膜，得样品；将样品浸泡在丙酮中，剥离多晶硅片N型层上的光刻胶后，退火，得掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触。所制备的掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触，通过不同退火的时间和温度由实验得到最优的欧姆接触制备条件，得到最佳的比接触电阻，提高多晶硅太阳电池的光电转换效率，满足器件性能要求，可用于高效率硅太阳能电池透明电极的制备。
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