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公开(公告)号：CN119464241A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411087198.1
申请日：2024-08-08
Applicant: 厦门大学 , 厦门万泰凯瑞生物技术有限公司 , 北京万泰生物药业股份有限公司
IPC: C12N9/10 , C12N15/54 , G01N33/573
Abstract: 本发明涉及免疫学检测，特别是免疫学诊断领域。具体而言，本发明提供了基于抗瓜氨酸化SETDB1抗体水平来诊断类风湿性关节炎的方法，以及用于所述方法的试剂盒。本发明还提供了用于上述诊断的瓜氨酸化SETDB1的多肽及其用于诊断类风湿性关节炎的用途。
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公开(公告)号：CN103043665B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201310026873.5
申请日：2013-01-24
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种硅粉的制备方法，涉及工业硅除硼工艺和高纯超细硅粉的制备方法。提供一种可显著减低硼含量的硅粉的制备方法。所得硅粉可作为冶金法提纯太阳能级多晶硅的后道工序即酸洗除杂工序理想的低硼原料。1)采用冶金级硅料作为原料，将原料硅放在坩埚中，通过感应线圈电磁加热，熔化硅料；2)硅料熔化时，加入造渣剂，控制加热功率，使反应过程中硅液的温度保持在1550℃～1850℃，造渣精炼结束后，静置，除去浮于硅液上层的造渣剂；3)将硅液温度控制在1500～1700℃，然后打开阀门，启动雾化器；硅液经由导流管进入雾化器；调整雾化器出气口的气压，使硅液呈喷雾状飞出雾化器进入雾化室，由承接转盘收集得到所述的硅粉。
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公开(公告)号：CN103011169B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201210546258.2
申请日：2012-12-14
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种片状硅的制备方法，涉及一种工业硅除硼工艺和片状硅的制备方法。提供可显著减低硼含量，所得片状硅可作为冶金法提纯太阳能级多晶硅的后道工序即酸洗除杂工序理想的低硼原料的一种片状硅的制备方法。采用冶金级硅料作为原料，将原料硅放在石墨坩埚中，通过感应线圈电磁加热，熔化硅料；硅料熔化时，加入造渣剂，控制加热功率，使反应过程中硅液的温度保持在1550～1850℃，造渣精炼结束后，静置，除去浮于硅液上层的废渣；将硅液温度控制在1500～1700℃，然后浇到水冷旋转轮毂上进行淬冷；水冷旋转轮毂为常温；调整水冷旋转轮毂的转速，使硅液飞离水冷旋转轮毂并落入容器中，则在容器中收集得到本发明所述的片状硅。
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公开(公告)号：CN103387236A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201310342874.0
申请日：2013-08-08
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种高纯硅的精炼装置及其方法，涉及一种硅的精炼装置及其方法。提供低成本、高效、工艺简单和适合产业化推广的一种高纯硅的精炼装置及其方法。所述装置设有中频感应熔炼炉、升降装置、等离子熔炼装置、透气塞装置、真空系统和浇注用石墨模具。将硅料放入坩埚中，抽真空后启动熔炼炉对硅料加热；熔化后提高熔炼炉功率，使硅液在1600～1850℃保温；通入工作气体熔炼；启动熔炼装置，引弧后，将引弧装置转移，对硅液表面进行等离子熔炼；熔炼完成后关闭熔炼装置，透气塞降至坩埚底部，当透气塞降至坩埚底部后关闭透气塞装置，停止通气；将硅液倒入浇注用模具中，即得高纯硅锭。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103043665A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201310026873.5
申请日：2013-01-24
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种硅粉的制备方法，涉及工业硅除硼工艺和高纯超细硅粉的制备方法。提供一种可显著减低硼含量的硅粉的制备方法。所得硅粉可作为冶金法提纯太阳能级多晶硅的后道工序即酸洗除杂工序理想的低硼原料。1)采用冶金级硅料作为原料，将原料硅放在坩埚中，通过感应线圈电磁加热，熔化硅料；2)硅料熔化时，加入造渣剂，控制加热功率，使反应过程中硅液的温度保持在1550℃～1850℃，造渣精炼结束后，静置，除去浮于硅液上层的造渣剂；3)将硅液温度控制在1500～1700℃，然后打开阀门，启动雾化器；硅液经由导流管进入雾化器；调整雾化器出气口的气压，使硅液呈喷雾状飞出雾化器进入雾化室，由承接转盘收集得到所述的硅粉。
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公开(公告)号：CN103395787B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201310343089.7
申请日：2013-08-08
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/025 , C01B33/037
Abstract: 一种由硅矿石制备高纯硅的装置及其制备方法，涉及一种高纯硅的制备方法。所述装置设有矿热炉、辅助电极系统和定向凝固炉；矿热炉设有主电极；辅助电极系统设有辅助电极、绝缘板和手推车；定向凝固炉设有水冷装置、感应线圈、石墨坩埚、充气孔、枪体夹持器、抽气孔、红外探测仪和等离子枪。将硅矿石、油焦和木炭混合进入炉内加热，加入造渣剂造渣精炼；开启定向凝固炉电源和辅助电极，使造渣精炼后的硅液流入坩埚中；开启充气孔和抽气孔，向定向凝固炉内通入氩气和水蒸气；使硅液温度达到1700～1800℃；开启等离子枪，对硅液表面进行熔炼；维持硅液表面温度在1450～1520℃；开启水冷装置；定向凝固完成后硅锭冷却，即得高纯硅。
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公开(公告)号：CN103395787A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310343089.7
申请日：2013-08-08
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/025 , C01B33/037
Abstract: 一种由硅矿石制备高纯硅的装置及其制备方法，涉及一种高纯硅的制备方法。所述装置设有矿热炉、辅助电极系统和定向凝固炉；矿热炉设有主电极；辅助电极系统设有辅助电极、绝缘板和手推车；定向凝固炉设有水冷装置、感应线圈、石墨坩埚、充气孔、枪体夹持器、抽气孔、红外探测仪和等离子枪。将硅矿石、油焦和木炭混合进入炉内加热，加入造渣剂造渣精炼；开启定向凝固炉电源和辅助电极，使造渣精炼后的硅液流入坩埚中；开启充气孔和抽气孔，向定向凝固炉内通入氩气和水蒸气；使硅液温度达到1700～1800℃；开启等离子枪，对硅液表面进行熔炼；维持硅液表面温度在1450～1520℃；开启水冷装置；定向凝固完成后硅锭冷却，即得高纯硅。
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公开(公告)号：CN103387236B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201310342874.0
申请日：2013-08-08
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种高纯硅的精炼装置及其方法，涉及一种硅的精炼装置及其方法。提供低成本、高效、工艺简单和适合产业化推广的一种高纯硅的精炼装置及其方法。所述装置设有中频感应熔炼炉、升降装置、等离子熔炼装置、透气塞装置、真空系统和浇注用石墨模具。将硅料放入坩埚中，抽真空后启动熔炼炉对硅料加热；熔化后提高熔炼炉功率，使硅液在1600～1850℃保温；通入工作气体熔炼；启动熔炼装置，引弧后，将引弧装置转移，对硅液表面进行等离子熔炼；熔炼完成后关闭熔炼装置，透气塞降至坩埚底部，当透气塞降至坩埚底部后关闭透气塞装置，停止通气；将硅液倒入浇注用模具中，即得高纯硅锭。
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公开(公告)号：CN103011169A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210546258.2
申请日：2012-12-14
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种片状硅的制备方法，涉及一种工业硅除硼工艺和片状硅的制备方法。提供可显著减低硼含量，所得片状硅可作为冶金法提纯太阳能级多晶硅的后道工序即酸洗除杂工序理想的低硼原料的一种片状硅的制备方法。采用冶金级硅料作为原料，将原料硅放在石墨坩埚中，通过感应线圈电磁加热，熔化硅料；硅料熔化时，加入造渣剂，控制加热功率，使反应过程中硅液的温度保持在1550～1850℃，造渣精炼结束后，静置，除去浮于硅液上层的废渣；将硅液温度控制在1500～1700℃，然后浇到水冷旋转轮毂上进行淬冷；水冷旋转轮毂为常温；调整水冷旋转轮毂的转速，使硅液飞离水冷旋转轮毂并落入容器中，则在容器中收集得到本发明所述的片状硅。
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