公开(公告)号：CN101186824A

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200710150115.9

申请日：2007-11-09

Applicant: 南开大学

Inventor： 严秀平 ,  张毅

IPC: C09K11/88

Abstract: 一种具有近红外荧光的CdTe/CdSe核壳量子点的水相层层组装制备方法。首先由氯化镉、巯基化合物和碲氢化钠(钾)合成CdTe纳米晶核，再向CdTe纳米晶核中依次加入镉－巯基化合物的水溶液和新鲜的硒氢化钠(钾)溶液，回流形成一层CdSe；重复上述合成壳层的操作可制出具有不同CdSe壳层数、发射波长处于650～800纳米的量子点。本发明的方法操作简单，条件温和，成本低。合成产物CdTe/CdSe量子点水溶性、稳定性好，荧光量子产率较高，发射光谱在近红外光区内可调。

公开(公告)号：CN118738071A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410759562.8

申请日：2024-06-13

Applicant: 南开大学

Inventor： 张毅 ,  程伟 ,  李建鹏

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明属于光探测技术领域，公开了一种硒化锑/氧化锑阻隔层及其制备方法，包括：使用气相输运沉积法在N型吸光层表面沉积硒化锑作为P型吸光层，在P型吸光层表面进行紫外臭氧处理形成氧化锑，氧化锑与P型吸光层的表面共同构成P‑N结阻隔层；并且本发明提供了一种硒化锑光电探测器阵列及其制备方法，其P‑N结阻隔层为上述制备的硒化锑/氧化锑阻隔层。本发明工艺简单，使用紫外臭氧处理硒化锑的P型吸光层表面，对硒化锑P型吸光层表面进行氧化生成氧化锑，从而制备出硒化锑/氧化锑的P‑N结阻隔层，该P‑N结阻隔层能够抑制探测器阵列各个像素点之间的串扰，显著提升探测器阵列的性能。

公开(公告)号：CN118496856A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410647634.X

申请日：2024-05-23

Applicant: 南开大学

Inventor： 武莉 ,  高静怡 ,  贾振威 ,  崔钰 ,  张毅

IPC: C09K11/78 ,  G01D21/02

Abstract: 本发明涉及发光材料技术领域，尤其涉及一种力致发光材料、制备方法及其在集成传感方面的应用，上述力致发光材料的化学表达式为：Cs3GdGe3O9:xTb3+,yEu3+,zNa+；化学表达式中的Tb3+为激活剂，Cs3GdGe3O9为基质，Eu3+提供第二发光中心，通过Na+对Cs+的取代调控缺陷能级含量及分布，可实现力致发光材料的颜色可调；以摩尔百分含量计：0＜x＜0.5，0≤y＜0.5，0≤z＜0.5；本发明提供的制备方法制备出的力致发光材料在单色力致发光荧光粉Cs3GdGe3O9:0.03Tb3+中利用镧系离子Eu3+的共掺引入第二种特征发射波段及阳离子Na+的取代调控有利缺陷，实现力致发光的色度可调，调控方法简单，效果可通过掺杂浓度有效调节；本发明提供的力致发光材料具有温度、速度传感的潜力，有望在集成传感方面获得应用。

公开(公告)号：CN116845131A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202310726891.8

申请日：2023-06-19

Applicant: 南开大学

Inventor： 王作允 ,  孟汝涛 ,  张毅

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0445 ,  B05D7/24 ,  B05D1/00

Abstract: 本发明是根据吸收层表面反光颜色对铜锌锡硫硒太阳电池性能的优化方法及其应用；以N,N‑二甲基甲酰胺为溶剂，乙酸铜一水合物、氯化锌、氯化亚锡二水合物和硫脲为溶质，制成前驱体溶液，在N2或者Ar的惰性气体保护下采用匀胶机旋涂的方法制备铜基化合物半导体前驱体薄膜，通过调控旋涂参数使单层前驱体薄膜呈现黄色反光的工艺，使得最终获得铜基薄膜太阳电池前驱膜厚度1.4‑1.6μm。铜基薄膜太阳电池前驱膜膜用于太阳电池吸收层。本发明为溶胶‑凝胶法制备铜基化合物半导体前驱体薄膜过程中监控前驱膜厚度与质量提供了一种直观有效的办法，有利于提高薄膜光电器件大面积生产应用中产品性能的稳定度。

公开(公告)号：CN113540287B

公开(公告)日：2023-02-21

申请号：CN202110730391.2

申请日：2021-06-29

Applicant: 南开大学

Inventor： 刘玮 ,  程世清 ,  张凯智 ,  姚毅峰 ,  孙云 ,  周志强 ,  张毅

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0749

Abstract: 本发明提供了一种富铜铜基薄膜太阳电池器件及其制备方法，其中，该制备方法包括：在衬底上形成富铜铜基薄膜太阳能电池器件的光吸收层；在光吸收层上形成类有序缺陷化合物层；在类有序缺陷化合物层上形成缓冲层；在缓冲层上形成窗口层；在窗口层上形成顶电极，并露出部分窗口层，得到富铜铜基薄膜太阳电池器件；其中，类有序缺陷化合物层为在光吸收层上通过共蒸发碱金属、铟、硒元素制备而成。

公开(公告)号：CN113972301A

公开(公告)日：2022-01-25

申请号：CN202111225067.1

申请日：2021-10-20

Applicant: 南开大学

Inventor： 刘玮 ,  王超杰 ,  姚毅峰 ,  程世清 ,  孙云 ,  周志强 ,  张毅

IPC: H01L31/18 ,  C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/14 ,  C23C14/24 ,  C23C14/30 ,  C23C14/34 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224

Abstract: 本发明提供了一种铜基薄膜太阳电池及其制备方法，该制备方法包括：在衬底上形成金属电极层；在金属电极层上形成光吸收层，其中，光吸收层包括依次层叠形成的银碱共掺化合物预置层和铜基化合物半导体层，银碱共掺化合物预置层形成于金属电极层上；在光吸收层上形成碱金属化合物钝化层；在碱金属化合物钝化层上形成缓冲层；在缓冲层上形成窗口层；在窗口层上形成顶电极层。基于此方法，在低温制备中够充分完成薄膜内结晶生长，有效提升器件性能。

公开(公告)号：CN113471332A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202110754941.4

申请日：2021-07-01

Applicant: 南开大学

Inventor： 张毅 ,  郭洪玲 ,  孟汝涛 ,  刘越 ,  敖建平 ,  刘玮 ,  刘芳芳

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L31/072

Abstract: 本发明提供一种载流子有效分离的铜基薄膜太阳电池P‑N结结构设计方法及制备得到的太阳电池。该薄膜太阳电池P‑N结结构设计的方法，包括：在背电极上制备P型铜锌锡硫硒吸光层薄膜；在所述吸光层表面沉积弱N型缓冲层薄膜；在所述缓冲层薄膜表面低温沉积N型窗口层，其中低温退火过程中通过界面固态交换反应实现一个新型P‑N结结构设计。由此，形成的新型P‑N结结构实现了载流子的有效分离，优化了载流子的传输和收集效率，增加了开路电压，显著提升了薄膜太阳电池的光电转换效率。本发明工艺简单，有效地解决了目前P‑N结界面的能带排列问题，为薄膜太阳电池的产业化提供了一条路径。

公开(公告)号：CN110611001B

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN201910906720.7

申请日：2019-09-24

Applicant: 南开大学

Inventor： 张毅 ,  王东潇 ,  武墨青 ,  武莉 ,  吴建宇 ,  刘玮 ,  敖建平 ,  孙云

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开一种磷酸盐制备太阳电池的方法，包括以下步骤：在衬底上制备Mo金属电极；将Mo金属电极在浓度为5mmol/L的磷酸盐溶液中进行浸泡，然后以500℃～600℃退火30min，获得P掺杂的Mo电极；在P掺杂的Mo电极上形成金属预制层；对金属预制层进行后硒化处理或后硫化处理形成吸收层；在吸收层上形成缓冲层；在缓冲层上形成本征氧化锌层和掺杂氧化锌层；以及形成顶电极。本发明利用磷酸盐溶液对金属Mo电极进行浸泡并在500℃～600℃退火处理，有效提高了薄膜太阳电池的短路电流、开路电压和器件效率。

公开(公告)号：CN112201702A

公开(公告)日：2021-01-08

申请号：CN202011078437.9

申请日：2020-10-10

Applicant: 南开大学

Inventor： 张毅 ,  孙亚利 ,  郭洪玲 ,  孟汝涛 ,  刘越

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0445

Abstract: 本发明公开一种薄膜太阳电池吸收层形成方法、薄膜太阳电池及制备方法。该薄膜太阳电池吸收层形成方法，包括以下步骤：在底电极上依次形成第一前驱膜、Al2O3层和第二前驱膜，构成前驱膜叠层；对所述前驱膜叠层进行高温硒化或硫化处理形成吸收层，所述吸收层表面具有与其体内相反的半导体类型的特性，其中，所述第一前驱膜和所述第二前驱膜为I‑II‑IV‑VI族化合物半导体，且所述第一前驱膜至少包含Cu元素，所述第二前驱膜至少包含Ag元素。由此，增加了开路电压(VOC)，使得相应的开路电压赤字(VOC,def)低至0.327V，并且优化了载流子传输，改善了载流子收集效率，使得吸收层/缓冲层的界面复合减小，显著提高了薄膜太阳电池的光电转换效率。

公开(公告)号：CN108977860B

公开(公告)日：2020-03-31

申请号：CN201810627346.2

申请日：2018-06-19

Applicant: 南开大学

Inventor： 张照景 ,  敖建平 ,  毕金莲 ,  郭佳佳 ,  高青 ,  孙国忠 ,  周志强 ,  刘芳芳 ,  张毅 ,  孙云

IPC: C25D3/38 ,  C23C14/18 ,  C23C14/35 ,  C23F1/18 ,  C25D5/38 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

Abstract: 一种通过电沉积法在Mo衬底上沉积高质量Cu薄膜的方法，该方法通过在Mo衬底上制备出Cu纳米颗粒，使Cu纳米颗粒作为形核点辅助沉积Cu薄膜，从而在Mo衬底表面沉积出表面平整且晶粒细小的Cu薄膜。该方法一方面可修饰Cu薄膜的表面形貌，提升Cu薄膜的薄膜质量；另一方面能够显著降低在Mo衬底上电沉积Cu薄膜对Mo衬底表面形貌的严格要求，并降低对电镀溶液成分和沉积参数的要求。该方法简单易行、操作简便，大大降低了通过电沉积方法在Mo衬底上沉积高质量Cu薄膜的沉积难度。