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公开(公告)号：CN118738071A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410759562.8
申请日：2024-06-13
Applicant: 南开大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明属于光探测技术领域，公开了一种硒化锑/氧化锑阻隔层及其制备方法，包括：使用气相输运沉积法在N型吸光层表面沉积硒化锑作为P型吸光层，在P型吸光层表面进行紫外臭氧处理形成氧化锑，氧化锑与P型吸光层的表面共同构成P‑N结阻隔层；并且本发明提供了一种硒化锑光电探测器阵列及其制备方法，其P‑N结阻隔层为上述制备的硒化锑/氧化锑阻隔层。本发明工艺简单，使用紫外臭氧处理硒化锑的P型吸光层表面，对硒化锑P型吸光层表面进行氧化生成氧化锑，从而制备出硒化锑/氧化锑的P‑N结阻隔层，该P‑N结阻隔层能够抑制探测器阵列各个像素点之间的串扰，显著提升探测器阵列的性能。
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