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公开(公告)号：CN105879887A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610382030.2
申请日：2016-05-31
Applicant: 南开大学
CPC classification number: B01J27/10 , B01J35/004 , B01J35/0073 , B01J37/031 , B01J37/16
Abstract: 一种Cu2O@Cu/AgBr复合光催化剂及其制备方法，其特征在于所述复合光催化剂的制备方法包括以下步骤：1)首先采用液相还原的方法制备Cu2O@Cu核壳结构纳米颗粒，所述Cu2O@Cu核壳结构纳米颗粒中，Cu的质量百分比含量为0.5％～50％；2)采用液相沉淀法在将AgBr沉淀于步骤1)得到的Cu2O@Cu核壳结构纳米颗粒表面，得到Cu2O@Cu/AgBr复合光催化剂，其中Ag元素与Cu元素的摩尔比为1:0.1～20。
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公开(公告)号：CN102923755A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210426115.8
申请日：2012-10-31
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种制备Cu2O/SiO2核/壳结构纳米材料的方法，特别是一种在水溶液中原位一步合成Cu2O/SiO2核/壳结构纳米材料的方法，该方法简单易行，原料成本低，实验反应条件温和，合成速度快，尤其是，在合成过程中不引入表面活性剂以及强还原剂，保证了制备出的材料具有均匀的形貌和优良的性质。
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公开(公告)号：CN101521085A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200810153328.1
申请日：2008-11-25
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种薄膜材料及其制备方法，特别是一种可以应用于霍尔元件磁敏感活性层的氮化铁薄膜材料及其制备方法。所涉及的纳米晶氮化铁薄膜磁敏材料的通式为FexN，其中x为材料中的铁原子与氮原子的原子个数比，2＜x＜4；薄膜厚度在4～400纳米；所涉及的纳米晶氮化铁薄膜与传统的半导体材料和颗粒薄膜相比，具有电阻率低、工作温度范围宽、线性度好、体积小等优点，而且制备简单、成本低，因而在航空、航天、军事等领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN100372032C
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200610013056.6
申请日：2006-01-16
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及反铁磁耦合的磁性颗粒薄膜材料及其制备和应用，组成为Fex(TiO2)1-x，其中x为铁的金属颗粒所占的体积百分比，0.40＜x＜0.76。本发明是采用直流磁控溅射技术，在氩气和氧气的混合气氛中，控制铁靶的溅射功率沉积。基片为玻璃、石英、聚酯、单晶硅、单晶砷化镓等，溅射时基片不加热。本发明的Fex(TiO2)1-x磁性颗粒薄膜的最大磁电阻数值为-29.3%，室温磁电阻数值大于-10%。本发明制备的Fex(TiO2)1-x磁性颗粒薄膜具有高磁电阻数值、制备工艺简单、成本低、适用于多种基片等优点，可用来制作计算机读出磁头、磁随机存储器、微弱磁场检测、位置检测等磁敏传感器件。
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公开(公告)号：CN1819077A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200610013054.7
申请日：2006-01-16
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及多晶Fe3O4薄膜材料及其制备方法。它是在基片上形成多晶Fe3O4薄膜，Fe3O4晶粒粒径大小为13～19nm，厚度200～500nm，该Fe3O4薄膜中的多晶颗粒随机取向，没有织构，室温磁电阻数值在10％～12％。本发明的多晶Fe3O4薄膜的制备方法是采用直流磁控溅射技术，在氩气和氧气的混合气氛中，通过控制氧气流量和铁靶的溅射功率沉积的。所用基片材料为玻璃、石英、聚酯、单晶硅、单晶砷化镓等，溅射时基片不加热。本方法制备温度低、制备工艺简单、适用于多种基片材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1776005A
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN200510122237.8
申请日：2005-12-08
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及纳米晶铁锗颗粒薄膜磁敏材料的制备方法。该磁敏材料的通式为FexGe1－x，其中x为铁的金属颗粒所占的体积百分比，0.45＜x＜0.60，薄膜厚度在4～8纳米。先将高纯度的氩气通入真空室，然后将超高真空闸板阀的开启度降为20％。锗靶上加15瓦的射频功率，在铁靶上加以5～15瓦的直流功率，预溅射20分钟左右。基片以20转/分钟的速率均匀旋转。本发明制备的铁锗颗粒薄膜材料为纳米晶结构，霍尔电阻灵敏度在－250℃到+200℃的温度范围内达到125VA/T，并且具有小的热漂移、零磁场偏移。本发明的材料制备简单，成本低，因而在航空、航天、军事等领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN115805092A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202211459090.1
申请日：2022-11-18
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种g‑C3N4/Ag/AgCl/ZnO复合光催化剂的制备方法及产品，制备方法包括以下步骤：1）用光还原法将Ag生长在C3N4上获得g‑C3N4/Ag：2）采用化学沉淀法将AgCl/Ag沉积在步骤1）获得的g‑C3N4/Ag上，获得g‑C3N4/Ag/AgCl复合光催化剂，3）采用吸附法将ZnO沉积在步骤2）获得的g‑C3N4/Ag/AgCl上，获得g‑C3N4/Ag/AgCl/ZnO复合光催化剂。
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公开(公告)号：CN113571632A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202111109797.5
申请日：2021-09-23
Applicant: 南开大学
IPC: H01L43/06 , H01L43/10 , H01L43/04 , H01L43/14 , C30B23/04 , C30B29/52 , C23C14/04 , C23C14/16 , C23C14/35
Abstract: 本发明提供了一种反常霍尔元件及其制备方法，以在单晶MgO（100）上外延生长的Fe、Cr共掺杂的单晶Ni薄膜作为活性层材料，活性层形状为“十”字形，薄膜厚度为2nm~30 nm,采用离子束沉积法生长。本发明的微型反常霍尔元件具有较小的体积，较大的反常霍尔电阻率，较小的电阻率和功耗，较宽的工作温度范围，在磁电信号转换等领域有广泛的应用。
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公开(公告)号：CN110760881B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201911202026.3
申请日：2019-11-29
Applicant: 南开大学
IPC: C25B11/054 , C25B11/052 , C25B11/075 , C25B1/55 , C25B1/04 , C25D3/38 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 一种以铜纳米片为支撑骨架的有机光阴极及其制备方法，所述有机光阴极的制备方法包括以下步骤：1)采用电沉积的方法制备铜纳米片，将可溶性铜(II)盐、次亚磷酸钠、柠檬酸钠、硼酸以及聚乙二醇加入到去离子水中，搅拌得到均匀的铜盐溶液，向铜盐溶液中，逐滴滴加碱性水溶液，调控溶液的pH为7.5～9.5，搅拌5～10min得到溶液I；将步骤1.1得到的溶液I倒入电解槽中，用镀有铜种子层的FTO进行电沉积25～35min后得到样品，将样品进行洗涤、真空干燥，得到FTO为衬底的铜纳米片；2)采用旋涂的方法将空穴传输层和有机吸收层负载在FTO为衬底的铜纳米片的金属骨架上，得到有机光阴极。
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公开(公告)号：CN110760881A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201911202026.3
申请日：2019-11-29
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种以铜纳米片为支撑骨架的有机光阴极及其制备方法，所述有机光阴极的制备方法包括以下步骤：1)采用电沉积的方法制备铜纳米片，将可溶性铜(II)盐、次亚磷酸钠、柠檬酸钠、硼酸以及聚乙二醇加入到去离子水中，搅拌得到均匀的铜盐溶液，向铜盐溶液中，逐滴滴加碱性水溶液，调控溶液的pH为7.5～9.5，搅拌5～10min得到溶液I；将步骤1.1得到的溶液I倒入电解槽中，用镀有铜种子层的FTO进行电沉积25～35min后得到样品，将样品进行洗涤、真空干燥，得到FTO为衬底的铜纳米片；2)采用旋涂的方法将空穴传输层和有机吸收层负载在FTO为衬底的铜纳米片的金属骨架上，得到有机光阴极。
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