水下可见光通信装置及水下可见光通信方法

    公开(公告)号:CN109728852A

    公开(公告)日:2019-05-07

    申请号:CN201910188720.8

    申请日:2019-03-13

    Abstract: 本发明涉及可见光通信技术领域,尤其涉及一种水下可见光通信装置及水下可见光通信方法。所述水下可见光通信装置包括拓扑网络结构,所述拓扑网络结构包括一汇聚节点和多个子节点,其中:所述汇聚节点包括第一收发模块,所述第一收发模块用于向所述子节点传输第一光信号并接收所述子节点反馈的第二光信号;所述子节点包括信号采集模块和第二收发模块,所述信号采集模块用于采集水下的多媒体信号;所述第二收发模块连接所述信号采集模块,用于将所述多媒体信号转换为所述第二光信号后传输至所述汇聚节点。本发明实现了多媒体信号在水下的高速传输,并提高了水下可见光通信的可靠性。

    光空间调制通信系统中LED个数任意时的比特映射方法

    公开(公告)号:CN107181531B

    公开(公告)日:2019-05-07

    申请号:CN201710363164.4

    申请日:2017-05-22

    Abstract: 本发明公开了光空间调制通信系统中LED个数任意时的比特映射方法。一般情况下,光通信中的空间调制都限定发送端LED的个数是2的幂次方。然而,实际部署的LED个数不一定正好是2的幂次方。针对这一问题,本发明提出了光空间调制系统中发送端LED个数任意的比特映射方法。所述方法主要包括三个步骤:空间域的比特映射、信号域的比特映射、加入信道信息之后的比特映射。经过以上三个步骤便能得出相应场景下性能较好的空间调制映射方式,从而实现了发送端个数任意的可见光空间调制的信息传输。

    基于异质键合的微型水下可见光通信双工器件及制备方法

    公开(公告)号:CN107104169B

    公开(公告)日:2019-01-08

    申请号:CN201710240402.2

    申请日:2017-04-13

    Abstract: 本发明公开了一种基于异质键合的微型水下可见光通信双工器件及制备方法,实现载体为硅衬底氮化物晶片和N型掺杂硅晶片,所述硅衬底氮化物晶片包括顶层氮化物和位于顶层氮化物下部的硅衬底层,硅衬底层部分掏空,形成悬空部位,悬空部位上方的顶层氮化物和镍/金电极构成薄膜LED蓝光发光器件,N型掺杂硅晶片顶层设置有适用于蓝光波段的光电传感器件,所述N型掺杂硅晶片为本征硅晶片掺杂磷元素。本发明器件设备体积小,能够实现水下高性能高速双向可见光通信。

    一种氮化物锁模回音壁微激光器及其制备方法

    公开(公告)号:CN106785896B

    公开(公告)日:2019-01-08

    申请号:CN201611181765.5

    申请日:2016-12-19

    Inventor: 朱刚毅 王永进

    Abstract: 本发明公开了一种氮化物锁模回音壁微激光器及其制备方法,在硅衬底上的氮化物材料,利用光刻工艺和深硅刻蚀工艺制备悬空的带缺口的环形薄膜微腔,然后在微腔的缺口中修饰金纳米棒作为半导体饱和吸收体,在合适的光泵浦条件下,实现氮化物的锁模回音壁激光。

    GaN基微米级LED阵列及其制备方法

    公开(公告)号:CN107482031A

    公开(公告)日:2017-12-15

    申请号:CN201710675506.6

    申请日:2017-08-09

    Abstract: 本发明公开了一种GaN基微米级LED阵列及其制备方法,该器件包括LED阵列单元、覆盖在LED阵列单元上方的隔离层、设置在隔离层上的n-电极引线区,LED阵列单元中的LED器件的正极相连并与p-电极引线区连接;LED器件包括从下至上依次设置的n-GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、p-GaN层、p-电极和设置在n-GaN层上位于InGaN/GaN多量子阱层一侧的n-电极,所有LED器件的n-电极连为一体。本发明在p型区和n型区大面积蒸镀金属电极并作为反射镜,抑制光从正面出射,实现背发光;LED器件相互独立,LED阵列单元均可收发,实现超高速MIMO系统收发端;同时,结合GaN基InGaN/GaN多量子阱材料的特点,配合外部电路设计,通过收集外界震动和光源的能量,实现能量采集功能。

    基于分布式布拉格反射镜波导微腔的硅衬底GaN激光器

    公开(公告)号:CN107404067A

    公开(公告)日:2017-11-28

    申请号:CN201710518114.9

    申请日:2017-06-29

    CPC classification number: H01S5/20

    Abstract: 本发明属于信息材料与器件领域,提供一种基于分布式布拉格反射镜波导微腔的硅衬底GaN激光器及其制作方法。所述激光器以硅基氮化物晶片为载体,包括硅衬底层、设置在所述硅衬底层上的外延缓冲层、设置在所述外延缓冲层上的p-n结量子阱器件,设置在所述p-n结量子阱器件上的SiO2绝缘层,设置在所述SiO2绝缘层上的p-电极的引线电极区和n-电极的引线电极区及分布式布拉格反射镜。本发明利用FIB技术,在InGaN波导上加工配对的分布式布拉格反射镜结构,形成微腔结构,获得基于分布式布拉格反射镜波导微腔的硅衬底GaN激光器,并结合AlN/AlGaN应力调控缓冲层技术,实现电泵浦硅衬底GaN激光器;可用于可见光通信、显示及传感领域。

    一种基于光致晶体管的双模式类脑神经元芯片

    公开(公告)号:CN107195708A

    公开(公告)日:2017-09-22

    申请号:CN201710205252.1

    申请日:2017-03-31

    CPC classification number: H01L31/11 H01L31/03044 H01L31/035236 H01L31/18

    Abstract: 本发明公开了一种基于光致晶体管的双模式类脑神经元芯片及其制备方法,该器件由集成在硅基氮化物载体上的光致晶体管构成。晶体管的发射极可以作为神经刺激的产生单元,集电极可以作为神经刺激的感知探测端。神经刺激信号在器件内部传输是基于光子而非传统的质子或电子。由于结构和材料的特性,刺激信号在内部传输的过程中会被存储一定的时间,模拟了人脑对信息的记忆功能。晶体管可看作一对共N极的PN结,由于结构相同,所以发射极和集电极功能可以互换,即信息可以双向传输。本发明在信息传输的过程中给作为光电探测的一端加载偏置电压使其处于点亮的状态,模拟了人脑对于不同信息选择性的记忆或者不记忆,为复杂的大脑记忆特性研究奠定基础。

    光空间调制通信系统中LED个数任意时的比特映射方法

    公开(公告)号:CN107181531A

    公开(公告)日:2017-09-19

    申请号:CN201710363164.4

    申请日:2017-05-22

    CPC classification number: H04B10/5161 H04B10/118 H04B10/54

    Abstract: 本发明公开了光空间调制通信系统中LED个数任意时的比特映射方法。一般情况下,光通信中的空间调制都限定发送端LED的个数是2的幂次方。然而,实际部署的LED个数不一定正好是2的幂次方。针对这一问题,本发明提出了光空间调制系统中发送端LED个数任意的比特映射方法。所述方法主要包括三个步骤:空间域的比特映射、信号域的比特映射、加入信道信息之后的比特映射。经过以上三个步骤便能得出相应场景下性能较好的空间调制映射方式,从而实现了发送端个数任意的可见光空间调制的信息传输。

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