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公开(公告)号：CN111430401A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010115714.2
申请日：2020-02-25
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种单片光电集成电路及其形成方法。所述单片光电集成电路包括：衬底，包括光子集成器件区域和外围电路区域；第一GaN基多量子阱光电PN结器件，位于光子集成器件区域，用作发光二极管，包括第一P-型欧姆接触电极和第一N-型欧姆接触电极；第一GaN基场效应晶体管，位于外围电路区域，包括具有第一凹槽的第一栅极介质层、填充于第一凹槽中的第一栅极、以及第一源极和第一漏极；第一源极电连接第一P-型欧姆接触电极，第一漏极用于与第一电位电连接，第一N-型欧姆接触电极用于与低于第一电位的第二电位电连接，第一栅极电连接控制端口，以控制发光二极管的亮灭。本发明制备的单片光电集成电路具有高性能，且能够有效降低其加工难度。
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公开(公告)号：CN111430401B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202010115714.2
申请日：2020-02-25
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种单片光电集成电路及其形成方法。所述单片光电集成电路包括：衬底，包括光子集成器件区域和外围电路区域；第一GaN基多量子阱光电PN结器件，位于光子集成器件区域，用作发光二极管，包括第一P‑型欧姆接触电极和第一N‑型欧姆接触电极；第一GaN基场效应晶体管，位于外围电路区域，包括具有第一凹槽的第一栅极介质层、填充于第一凹槽中的第一栅极、以及第一源极和第一漏极；第一源极电连接第一P‑型欧姆接触电极，第一漏极用于与第一电位电连接，第一N‑型欧姆接触电极用于与低于第一电位的第二电位电连接，第一栅极电连接控制端口，以控制发光二极管的亮灭。本发明制备的单片光电集成电路具有高性能，且能够有效降低其加工难度。
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公开(公告)号：CN109728852A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201910188720.8
申请日：2019-03-13
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H04B10/116 , H04B13/02 , H04L12/44
Abstract: 本发明涉及可见光通信技术领域，尤其涉及一种水下可见光通信装置及水下可见光通信方法。所述水下可见光通信装置包括拓扑网络结构，所述拓扑网络结构包括一汇聚节点和多个子节点，其中：所述汇聚节点包括第一收发模块，所述第一收发模块用于向所述子节点传输第一光信号并接收所述子节点反馈的第二光信号；所述子节点包括信号采集模块和第二收发模块，所述信号采集模块用于采集水下的多媒体信号；所述第二收发模块连接所述信号采集模块，用于将所述多媒体信号转换为所述第二光信号后传输至所述汇聚节点。本发明实现了多媒体信号在水下的高速传输，并提高了水下可见光通信的可靠性。
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