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公开(公告)号：CN104733612B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201510099978.2
申请日：2015-03-06
Applicant: 南京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开一种阻变存储器及其制备方法，所述存储器为依次由下电极、阻变层和上电极组成的叠层结构；所述阻变层依次由上层氧化铝薄膜、氧化铪薄膜和下层氧化铝薄膜构成；所述下电极为氮化钛；该存储制备方法为A）以硅片为衬底，沉积形成下电极TiN；B）在下电极TiN上依次形成下层Al2O3薄膜、HfO2薄膜和上层Al2O3薄膜；c）形成阻变存储器的上电极；该存储器其开关电压较小且具有优异的一致性，增加上层氧化铝薄膜厚度，可以进一步提高开关比，器件还具有良好的保持性和耐疲劳性。
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公开(公告)号：CN102492932B
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201110394348.X
申请日：2011-12-02
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/02 , C23C16/44 , H01L21/02 , H01L21/285 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种ALD制备GaAs基MOS器件中的原位表面钝化方法，首先清洗GaAs衬底，之后在HCl水溶液中浸泡3～5分钟，接着在(NH4)2S水溶液中浸泡10～40分钟，用氮气吹干GaAs衬底并移入原子层沉积反应室，在原位用金属脉冲清洗GaAs衬底。本发明在S钝化的基础上进一步在反应室原位用金属脉冲钝化砷化镓衬底表面，有效地除掉了表面的砷和镓的氧化物，形成了稳定的界面，防止了氧化物的生成，改进了栅介质薄膜与GaAs衬底之间的界面质量，降低了界面层的厚度，提高界面热稳定性，降低了缺陷电荷和界面态密度，进而明显地改进了ALD后GaAs基MOS器件的电学性能。
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公开(公告)号：CN103346256A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310276650.4
申请日：2013-07-03
Applicant: 南京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种基于铁电隧道结的忆阻器，其铁电隧道结具有金属/铁电体/半导体结构，并在Pt/BaTiO3/Nb:SrTiO3铁电隧道结中实现其忆阻性能。本发明采用半导体作为铁电隧道结的底电极，形成金属/铁电体/半导体结构，通过精确控制铁电层中的有效极化，并结合铁电场效应，实现对结势垒高度和宽度的同时调制，从而获得忆阻效应。克服了传统忆阻器在制备过程中带电缺陷分布的随机性和操作中的难以控制性以及写/读电压的弥散性等缺点。
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公开(公告)号：CN102492932A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110394348.X
申请日：2011-12-02
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/02 , C23C16/44 , H01L21/02 , H01L21/285 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种ALD制备GaAs基MOS器件中的原位表面钝化方法，首先清洗GaAs衬底，之后在HCl水溶液中浸泡3~5分钟，接着在(NH4)2S水溶液中浸泡10~40分钟，用氮气吹干GaAs衬底并移入原子层沉积反应室，在原位用金属脉冲清洗GaAs衬底。本发明在S钝化的基础上进一步在反应室原位用金属脉冲钝化砷化镓衬底表面，有效地除掉了表面的砷和镓的氧化物，形成了稳定的界面，防止了氧化物的生成，改进了栅介质薄膜与GaAs衬底之间的界面质量，降低了界面层的厚度，提高界面热稳定性，降低了缺陷电荷和界面态密度，进而明显地改进了ALD后GaAs基MOS器件的电学性能。
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公开(公告)号：CN101838812A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN201010017126.1
申请日：2010-01-07
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种清洗钝化Ge衬底表面的方法，首先将锗衬底在丙酮、甲醇中依次超声清洗，然后将锗衬底移到5-20％(重量比)的氢溴酸水溶液中，室温下清洗3-15分钟，接着用高纯氮气吹干，再放入15-50％(重量比)的硫化铵水溶液中，将硫化铵加热到60-80℃，钝化10-20分钟，最后冲洗锗表面并吹干。本发明采用氢溴酸溶液清洗Ge衬底表面，有效地去除了Ge表面的氧化物，然后再采用加热硫化铵溶液钝化Ge衬底表面，形成了稳定的钝化层。之后在钝化过的Ge衬底上沉积氧化铝或者氧化铝/氧化铪纳米叠层或堆栈结构等栅介质薄膜，可以发现明显改进了栅介质薄膜与Ge衬底之间的界面质量，并改善了栅介质薄膜的电学性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101718691A
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200910232603.3
申请日：2009-12-03
Applicant: 南京大学
IPC: G01N21/33
Abstract: 本发明公开了监测含铁电纳米晶聚合物极化取向度及弛豫特性的方法，利用分光光度计检测不同温度下含铁电纳米晶聚合物薄膜透射谱随时间变化情况并生成变化曲线；通过测量含铁电纳米晶的复合聚合物薄膜在极化前后在可见光波长透射率的变化，计算出相应的极化取向度，通过测量极化后的聚合物复合薄膜在可见光波长透射率随时间的变化曲线，得到极化取向的弛豫特性，从而获知极化取向稳定性。本发明采用商业化的可见-紫外分光光度计作为检测仪器，方法简单、监测成本低廉，数据吻合性好。
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公开(公告)号：CN101716503A
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200910234581.4
申请日：2009-11-23
Applicant: 南京大学
IPC: B01J23/20 , B01J37/08 , A62D3/10 , C02F1/30 , A62D101/26 , C02F101/38
Abstract: 本发明公开了一种可见光催化剂BiNbO4、其制备方法及应用，催化剂制备方法是：将铌前体和可溶性铋盐混合，搅拌后形成透明溶液；在60～80℃条件下搅拌，调节pH值到7～8；将调节好的溶液在80～250℃的烘箱中烘3～10小时，得到黄棕色的前体粉末；将前体粉末进行550～1050℃退火1～24h小时，得到BiNbO4粉末。本发明首次发现了各种晶型的BiNbO4粉末能在可见光下催化分解有机物染料，而且该催化剂的合成方法简单，且合成的BiNbO4粉末具有高的催化活性，在可见光下1.5小时可以将甲基紫降解完全，其可用于工业污水的治理，染料废水的降解等，应用范围较广。
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公开(公告)号：CN101290883A
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200810123679.8
申请日：2008-05-29
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/288 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种制备超薄HfO2或ZrO2栅介质薄膜的软化学法，通过一种简便可行的工艺路线，成功地配制了具有较好稳定性与均匀性的氯化铪(锆)前体溶胶，此溶胶具有较长的保存寿命，使用此前体溶胶，通过软化学方法，在Si衬底上室温下，成功制备出表面平整的超薄氧化铪(锆)薄膜，通过后退火，获得了具有优异电学性能的栅介质薄膜。此方法制备工艺简单，成本低廉，在微电子领域独具优势，具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN100420632C
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200710019415.3
申请日：2007-01-22
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种制备纳微别针形态的氧化锌的方法，将醋酸锌溶解在乙二醇中形成2-15毫摩尔浓度溶液，反应过程采用磁力搅拌，反应温度130-200℃，时间30-120分钟；反应生成物采用离心法分离；再使用清洗剂清洗分离物3-5次，即获得氧化锌纳微别针样品。清洗剂是甲醇、乙醇、丙醇、水或它们的混合液。获得的样品可以在乙醇中保存，也可以烘干获得粉末样品，还可经退火获得高结晶度的粉末样品。本发明成功制备了具有良好单分散性和特殊形态的氧化锌纳微别针，该工艺合成温度低、工艺简单，产物纯度高，别针由5-15纳米晶组成，长度在1-3μm之间，具有较高的比表面积，易于工业化生产。
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公开(公告)号：CN1312738C
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200410014067.7
申请日：2004-02-16
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/283 , H01L21/316 , H01L21/336 , H01L21/8234
Abstract: 引入氧化铝保护层制备稳定的稀土氧化物栅介电薄膜的方法，在半导体衬底材料上沉积稀土氧化物薄膜作为高介电栅介质材料，然后原位沉积氧化铝保护层，稀土氧化物薄膜材料：氧化钇(Y2O3)，氧化镧(La2O3)，和镧系的其他氧化物如Pr2O3、CeO2、Gd2O3、Er2O3。
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