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公开(公告)号：CN101752236A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910233409.7
申请日：2009-10-26
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种调控GaAs半导体与栅介质间能带补偿的原子层沉积Al2O3/HfO2方法，先将GaAs衬底清洗，去除油污和氧化层；再用(NH4)2S水溶液浸泡，使GaAs表面形成Ga-S以及As-S键，进一步去除多余的As单质和As的氧化物；最后将钝化好的GaAs衬底立即放入ALD反应室中，进行HfO2/Al2O3纳米叠层薄膜的沉积。本发明通过改变Al/Hf比率，优化和改善了栅介质与GaAs衬底之间的界面质量，调节了n-GaAs和栅介质薄膜之间的能带补偿，改进了栅介质薄膜的电学性能。而且此方法工艺简单，在GaAs基MOSFET制备中具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN100543941C
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200810123679.8
申请日：2008-05-29
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/288 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种制备超薄HfO2或ZrO2栅介质薄膜的软化学法，通过一种简便可行的工艺路线，成功地配制了具有较好稳定性与均匀性的氯化铪(锆)前体溶胶，此溶胶具有较长的保存寿命，使用此前体溶胶，通过软化学方法，在Si衬底上室温下，成功制备出表面平整的超薄氧化铪(锆)薄膜，通过后退火，获得了具有优异电学性能的栅介质薄膜。此方法制备工艺简单，成本低廉，在微电子领域独具优势，具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN101838812B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201010017126.1
申请日：2010-01-07
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种清洗钝化Ge衬底表面的方法，首先将锗衬底在丙酮、甲醇中依次超声清洗，然后将锗衬底移到5-20％(重量比)的氢溴酸水溶液中，室温下清洗3-15分钟，接着用高纯氮气吹干，再放入15-50％(重量比)的硫化铵水溶液中，将硫化铵加热到60-80℃，钝化10-20分钟，最后冲洗锗表面并吹干。本发明采用氢溴酸溶液清洗Ge衬底表面，有效地去除了Ge表面的氧化物，然后再采用加热硫化铵溶液钝化Ge衬底表面，形成了稳定的钝化层。之后在钝化过的Ge衬底上沉积氧化铝或者氧化铝/氧化铪纳米叠层或堆栈结构等栅介质薄膜，可以发现明显改进了栅介质薄膜与Ge衬底之间的界面质量，并改善了栅介质薄膜的电学性能。
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公开(公告)号：CN102024707B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010530165.1
申请日：2010-11-03
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/283
Abstract: 本发明公开了一种GaAs基MOS器件的制备方法，首先对衬底进行清洗，之后用8~40%体积比的(NH4)2S水溶液浸泡10~40分钟进行钝化。然后用MOCVD沉积薄层Gd2O3控制层，最后用ALD沉积高k栅介质层。本发明通过引入薄层Gd2O3控制层，能够有效抑制界面处As氧化物和Ga氧化物的形成，改善了栅介质与GaAs衬底之间的界面质量，并且有效地调节了n-GaAs和栅介质薄膜之间的能带补偿，改进了栅介质薄膜的电学性能，GaAs基MOS器件表现出较高的积累态电容、较小的电容回滞和较低的漏电流密度。此方法工艺简单，在GaAs基MOSFET器件的制备上具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN102024707A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN201010530165.1
申请日：2010-11-03
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/283
Abstract: 本发明公开了一种GaAs基MOS器件的制备方法，首先对衬底进行清洗，之后用8~40%体积比的(NH4)2S水溶液浸泡10~40分钟进行钝化。然后用MOCVD沉积薄层Gd2O3控制层，最后用ALD沉积高k栅介质层。本发明通过引入薄层Gd2O3控制层，能够有效抑制界面处As氧化物和Ga氧化物的形成，改善了栅介质与GaAs衬底之间的界面质量，并且有效地调节了n-GaAs和栅介质薄膜之间的能带补偿，改进了栅介质薄膜的电学性能，GaAs基MOS器件表现出较高的积累态电容、较小的电容回滞和较低的漏电流密度。此方法工艺简单，在GaAs基MOSFET器件的制备上具有重要的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101787522A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN201010137810.3
申请日：2010-04-02
Applicant: 南京大学
CPC classification number: C23C16/0281 , C23C16/45525
Abstract: 本发明公开了一种超高密度有序的磁性纳米颗粒复合薄膜的制备方法，其步骤是首先制备FePt/CoPt超顺磁纳米颗粒；自组装含有的FePt/CoPt超顺磁纳米颗粒的非磁性衬底，采用原子层沉积技术在包含单层FePt/CoPt纳米颗粒点阵的衬底表面生长10～30纳米的无机非磁性基体薄膜保护层；将沉积后的衬底放于管式扩散炉，在90～97％Ar和10～3％H2的还原性气氛中，于600～750℃高温条件下，退火30～90分钟，获得FePt/CoPt铁磁纳米颗粒与氧化物的复合薄膜。本发明可以获得了具有L10相和较好磁性能的有序FePt/CoPt纳米颗粒复合薄膜，其磁矫顽场达到Hc＝5.9kOe。
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公开(公告)号：CN101787522B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201010137810.3
申请日：2010-04-02
Applicant: 南京大学
CPC classification number: C23C16/0281 , C23C16/45525
Abstract: 本发明公开了一种超高密度有序的磁性纳米颗粒复合薄膜的制备方法，其步骤是首先制备FePt/CoPt超顺磁纳米颗粒；自组装含有的FePt/CoPt超顺磁纳米颗粒的非磁性衬底，采用原子层沉积技术在包含单层FePt/CoPt纳米颗粒点阵的衬底表面生长10～30纳米的无机非磁性基体薄膜保护层；将沉积后的衬底放于管式扩散炉，在90～97％Ar和10～3％H2的还原性气氛中，于600～750℃高温条件下，退火30～90分钟，获得FePt/CoPt铁磁纳米颗粒与氧化物的复合薄膜。本发明可以获得了具有L10相和较好磁性能的有序FePt/CoPt纳米颗粒复合薄膜，其磁矫顽场达到Hc＝5.9kOe。
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公开(公告)号：CN101752236B
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN200910233409.7
申请日：2009-10-26
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种调控GaAs半导体与栅介质间能带补偿的原子层沉积Al2O3/HfO2方法，先将GaAs衬底清洗，去除油污和氧化层；再用(NH4)2S水溶液浸泡，使GaAs表面形成Ga-S以及As-S键，进一步去除多余的As单质和As的氧化物；最后将钝化好的GaAs衬底立即放入ALD反应室中，进行HfO2/Al2O3纳米叠层薄膜的沉积。本发明通过改变Al/Hf比率，优化和改善了栅介质与GaAs衬底之间的界面质量，调节了n-GaAs和栅介质薄膜之间的能带补偿，改进了栅介质薄膜的电学性能。而且此方法工艺简单，在GaAs基MOSFET制备中具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN101838812A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN201010017126.1
申请日：2010-01-07
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种清洗钝化Ge衬底表面的方法，首先将锗衬底在丙酮、甲醇中依次超声清洗，然后将锗衬底移到5-20％(重量比)的氢溴酸水溶液中，室温下清洗3-15分钟，接着用高纯氮气吹干，再放入15-50％(重量比)的硫化铵水溶液中，将硫化铵加热到60-80℃，钝化10-20分钟，最后冲洗锗表面并吹干。本发明采用氢溴酸溶液清洗Ge衬底表面，有效地去除了Ge表面的氧化物，然后再采用加热硫化铵溶液钝化Ge衬底表面，形成了稳定的钝化层。之后在钝化过的Ge衬底上沉积氧化铝或者氧化铝/氧化铪纳米叠层或堆栈结构等栅介质薄膜，可以发现明显改进了栅介质薄膜与Ge衬底之间的界面质量，并改善了栅介质薄膜的电学性能。
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公开(公告)号：CN101290883A
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200810123679.8
申请日：2008-05-29
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/288 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种制备超薄HfO2或ZrO2栅介质薄膜的软化学法，通过一种简便可行的工艺路线，成功地配制了具有较好稳定性与均匀性的氯化铪(锆)前体溶胶，此溶胶具有较长的保存寿命，使用此前体溶胶，通过软化学方法，在Si衬底上室温下，成功制备出表面平整的超薄氧化铪(锆)薄膜，通过后退火，获得了具有优异电学性能的栅介质薄膜。此方法制备工艺简单，成本低廉，在微电子领域独具优势，具有重要的应用前景。
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