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公开(公告)号：CN105244173B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201510739934.1
申请日：2015-11-04
Applicant: 南京大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明公开了一种制备过程简便、成本低廉、具有特定微结构的超级电容器过渡金属硫化物电极材料的制备方法，将裁剪好的泡沫金属清洗干净，真空干燥；之后放入管式退火炉中，在硫化氢气体持续稳定通入的过程中开始升温退火，升温时间40‑50 min，退火温度400~500℃，退火时间30~90 min；退火完成后继续通入硫化氢气体直至自然冷却到室温；即得到具有特定微结构的过渡金属硫化物电极材料。本发明是用H2S气体作为硫源，将泡沫金属在高温下退火反应直接得到具有特定微结构的过渡金属硫化物电极材料。该方法工艺简单，耗时少，成本低；具有特定微结构的电极材料导电性好，比电容高，倍率性能优良，同时具有良好的循环性能。
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公开(公告)号：CN105244173A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510739934.1
申请日：2015-11-04
Applicant: 南京大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明公开了一种制备过程简便、成本低廉、具有特定微结构的超级电容器过渡金属硫化物电极材料的制备方法，将裁剪好的泡沫金属清洗干净，真空干燥；之后放入管式退火炉中，在硫化氢气体持续稳定通入的过程中开始升温退火，升温时间40-50min，退火温度400~500℃，退火时间30~90min；退火完成后继续通入硫化氢气体直至自然冷却到室温；即得到具有特定微结构的过渡金属硫化物电极材料。本发明是用H2S气体作为硫源，将泡沫金属在高温下退火反应直接得到具有特定微结构的过渡金属硫化物电极材料。该方法工艺简单，耗时少，成本低；具有特定微结构的电极材料导电性好，比电容高，倍率性能优良，同时具有良好的循环性能。
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公开(公告)号：CN100543941C
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200810123679.8
申请日：2008-05-29
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/288 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种制备超薄HfO2或ZrO2栅介质薄膜的软化学法，通过一种简便可行的工艺路线，成功地配制了具有较好稳定性与均匀性的氯化铪(锆)前体溶胶，此溶胶具有较长的保存寿命，使用此前体溶胶，通过软化学方法，在Si衬底上室温下，成功制备出表面平整的超薄氧化铪(锆)薄膜，通过后退火，获得了具有优异电学性能的栅介质薄膜。此方法制备工艺简单，成本低廉，在微电子领域独具优势，具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN101290883A
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200810123679.8
申请日：2008-05-29
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/288 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种制备超薄HfO2或ZrO2栅介质薄膜的软化学法，通过一种简便可行的工艺路线，成功地配制了具有较好稳定性与均匀性的氯化铪(锆)前体溶胶，此溶胶具有较长的保存寿命，使用此前体溶胶，通过软化学方法，在Si衬底上室温下，成功制备出表面平整的超薄氧化铪(锆)薄膜，通过后退火，获得了具有优异电学性能的栅介质薄膜。此方法制备工艺简单，成本低廉，在微电子领域独具优势，具有重要的应用前景。
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