公开(公告)号：CN106206944A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610867902.4

申请日：2016-09-29

Applicant: 南京大学

Inventor： 李爱东 ,  王来国 ,  吴迪

IPC: H01L45/00 ,  C23C16/455 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L45/08 ,  B82Y10/00 ,  C23C16/303 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405 ,  C23C16/407 ,  C23C16/45525 ,  H01L45/1616

Abstract: 本发明公开了一种纳米薄膜忆阻器，包括衬底，所述的衬底之上依次为下电极、记忆存储层、上电极；记忆存储层从下至上依次为氧化铝薄膜、氧化铪/氧化锌或者氧化铪/氧化铝耦合双层薄膜；本发明还公开了忆阻器的制备方法，利用等离子增强原子层沉积首先制备下电极氮化钛；采用采用原子层沉积技术，在下电极氮化钛层上依次沉积生长记忆存储层；采用直流溅射、物理气相沉积或者光刻的方法形成忆阻器的上电极；本发明的忆阻器结构在脉冲电压作用下，表现出优异的模拟神经突触的学习与记忆功能；同时具备多态存储功能和模拟神经突触的能力，制造工艺简单、可靠，而且可以实现高深宽比的台阶覆盖率，便于大规模工业生产制造。

公开(公告)号：CN106782639B

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201710045259.1

申请日：2017-01-22

Applicant: 南京大学

Inventor： 李爱东 ,  王来国 ,  吴迪

IPC: G11C11/15 ,  H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种CoPtx纳米复合结构电磁存储器件，所述的电磁存储器件为叠层结构，所述的叠层从下之上依次为硅片、下电极、CoPtx磁性纳米晶层、氧化物薄膜阻变层、上电极；本发明的存储器具有优异的阻变存储功能，又具有磁记录特性，可实现高密度多态电磁存储功能；本发明还公开了其制备方法，该方法是在基于原子层沉积的多功能高密度电磁存储器件制备技术，与微电子工艺具有很好的兼容性，为未来产业化规模应用提供了可行性，且可以保障存储器件结构的均匀性、共形性和可控性，并与成熟的半导体工艺兼容，便于实现高密度多功能电磁存储器件与微电子器件集成，实现规模化、产业化的应用。

公开(公告)号：CN104733612B

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201510099978.2

申请日：2015-03-06

Applicant: 南京大学

Inventor： 王来国 ,  李爱东 ,  方国勇 ,  吴迪

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开一种阻变存储器及其制备方法，所述存储器为依次由下电极、阻变层和上电极组成的叠层结构；所述阻变层依次由上层氧化铝薄膜、氧化铪薄膜和下层氧化铝薄膜构成；所述下电极为氮化钛；该存储制备方法为A）以硅片为衬底，沉积形成下电极TiN；B）在下电极TiN上依次形成下层Al2O3薄膜、HfO2薄膜和上层Al2O3薄膜；c）形成阻变存储器的上电极；该存储器其开关电压较小且具有优异的一致性，增加上层氧化铝薄膜厚度，可以进一步提高开关比，器件还具有良好的保持性和耐疲劳性。

公开(公告)号：CN106782639A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201710045259.1

申请日：2017-01-22

Applicant: 南京大学

Inventor： 李爱东 ,  王来国 ,  吴迪

IPC: G11C11/15 ,  H01L27/115

CPC classification number: G11C11/15 ,  H01L27/11502

Abstract: 本发明公开了一种CoPtx纳米复合结构电磁存储器件，所述的电磁存储器件为叠层结构，所述的叠层从下之上依次为硅片、下电极、CoPtx磁性纳米晶层、氧化物薄膜阻变层、上电极；本发明的存储器具有优异的阻变存储功能，又具有磁记录特性，可实现高密度多态电磁存储功能；本发明还公开了其制备方法，该方法是在基于原子层沉积的多功能高密度电磁存储器件制备技术，与微电子工艺具有很好的兼容性，为未来产业化规模应用提供了可行性，且可以保障存储器件结构的均匀性、共形性和可控性，并与成熟的半导体工艺兼容，便于实现高密度多功能电磁存储器件与微电子器件集成，实现规模化、产业化的应用。

公开(公告)号：CN104733612A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201510099978.2

申请日：2015-03-06

Applicant: 南京大学

Inventor： 王来国 ,  李爱东 ,  方国勇 ,  吴迪

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开一种阻变存储器及其制备方法，所述存储器为依次由下电极、阻变层和上电极组成的叠层结构；所述阻变层依次由上层氧化铝薄膜、氧化铪薄膜和下层氧化铝薄膜构成；所述下电极为氮化钛；该存储制备方法为A）以硅片为衬底，沉积形成下电极TiN；B）在下电极TiN上依次形成下层Al2O3薄膜、HfO2薄膜和上层Al2O3薄膜； c）形成阻变存储器的上电极；该存储器其开关电压较小且具有优异的一致性，增加上层氧化铝薄膜厚度，可以进一步提高开关比，器件还具有良好的保持性和耐疲劳性。