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公开(公告)号：CN114089667A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111373183.8
申请日：2021-11-19
Applicant: 南京大学
IPC: G05B19/042
Abstract: 本发明公开了一种具有太阳追踪效果、有效防盐沉积的水蒸气产生系统，涉及太阳能技术领域，包括底板、塑料水箱、太阳追踪机构、蒸发机构、收集机构和蓄电机构，所述底板的上表面固定连接有塑料水箱，所述塑料水箱内连接有太阳追踪机构，太阳追踪机构包括底座、旋转舵机、蒸发器安装基座和光敏电阻和单片机，塑料水箱的内下表面设置有底座，底座上安装有旋转舵机，旋转舵机的输出端安装有蒸发器安装基座，蒸发器安装基座的一侧面安装有光敏电阻，蒸发器安装基座的下表面还安装有单片机，所述蒸发器安装基座上连接有蒸发机构，本发明既可以实现太阳能的有效水蒸发，同时还可以防止盐沉积在蒸发器件表面上，防止器件工作效率降低。
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公开(公告)号：CN108374153B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201810042756.0
申请日：2018-01-17
Applicant: 南京大学
Abstract: 磁控溅射生长大面积、高度有序纳米颗粒的方法，对衬底进行清洗处理；亲水处理；将聚甲基丙烯酸支撑的多孔氧化铝薄膜模板(PMMA/AAO)转移至丙酮溶液中去除超薄多孔氧化铝的PMMA支撑层；将去除了PMMA支撑层的超薄多孔氧化铝转移至过氧化氢溶液中室温浸泡2至10小时进行亲水处理；将亲水处理后的超薄多孔氧化铝转移至丙酮溶液中，在丙酮溶液中将超薄多孔氧化铝转移至经亲水处理的衬底上并室温风干；将覆盖有多孔氧化铝的衬底固定于平行对着磁控溅射溅射源的衬底托上；采用磁控溅射生长相应材料；蒸镀完金属后，采用聚酰亚胺高温胶带揭除或采用5～10％的NaOH去除多孔氧化铝，获得大面积、高度有序纳米颗粒。
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公开(公告)号：CN111613527A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010428472.2
申请日：2020-05-20
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/265 , H01L21/324
Abstract: 一种基于Mg离子注入与高温退火工艺实现氮化镓p型掺杂的方法，包括对GaN材料进行Mg离子注入与高温退火。采用与硅工艺兼容的Mg离子注入与高温退火工艺过程，并结合氮化镓表面保护层的应用，在高温激活Mg受主杂质并修复氮化镓晶格的同时，保护氮化镓表面不被分解，实现氮化镓p型掺杂；所述离子注入过程中引入的第一保护层为氮化铝、铝镓氮、氮化镁、氧化镁、氮化硅中的一种或二种以上多层复合介质，淀积方式为金属有机化合物化学气相沉积、低压化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积或原子层沉积中的至少一种。
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公开(公告)号：CN105862013B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201610439793.6
申请日：2016-06-17
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/48
Abstract: 一种应用于小型MOCVD系统的高温加热装置，包括加热元件、电炉盘和电极连接线，加热元件上面设有盖板，电炉盘底部预留若干孔洞，连接加热元件的电极连接线有陶瓷管加以保护；加热装置外部由不锈钢外罩所封闭，电炉盘下方有隔热板，隔热板上预留若干和电炉盘底部相对应的孔洞，隔热板上方外罩的侧面设有能通保护气体的不锈钢管，不锈钢管管可供氮气等保护气通入加热元件上部，对加热元件进行双重保护；本发明可实现小型MOCVD系统的高温加热，并能有效阻止高温情况下氧气等对加热元件造成的氧化和腐蚀影响，大幅提升了加热元件使用寿命，也可以屏蔽限制高温条件下加热元件的各种释放，有利于获得性能优异的沉积薄膜材料。
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公开(公告)号：CN105525268A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201610059148.1
申请日：2016-01-28
Applicant: 南京大学
CPC classification number: C23C14/0084 , C23C14/021 , C23C14/0676 , C23C14/35 , C23C14/5806
Abstract: 一种提高ZnON薄膜迁移率和稳定性的方法，包括以下步骤：采用三明治结构的ZnON薄膜，三明治结构基底上的夹层为富氮ZnON薄膜，夹层上部的覆盖层为富氧ZnON薄膜，采用反应射频磁控溅射制备三明治结构的ZnON薄膜，以纯度为99.999％的锌靶为溅射靶材，生长ZnON薄膜前对高纯锌靶材利用氩离子束预溅射5-15分钟；通过两步反应射频磁控溅射生长的方法，第一步生长制备的非晶富氮ZnON薄膜；第二步制备富氧ZnON多晶薄膜；减小了薄膜体内和晶界缺陷密度，从而得到具有高迁移率、高稳定性的ZnON薄膜材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104790033A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201510158938.0
申请日：2015-04-03
Applicant: 南京大学
Abstract: 在ZnO单晶衬底上低温生长高质量ZnO薄膜材料的方法，包括如下步骤：1)选取ZnO单晶作为生长衬底；选取极性面是Zn极性面作为生长衬底；2)对衬底进行预处理；3)进行ZnO薄膜的低温生长；衬底表面温度400℃–500℃，采用二甲基锌和叔丁醇分别作锌源和氧源，高纯氮气作载气和稀释气，DMZn和t-BuOH的流速分别为10-40SCCM和100-400SCCM，生长过程中，反应腔压力为15–30kPa；生长时间决定膜的厚度，一般生长时间为15–60min；4)对生长的ZnO薄膜进行适当的原位热处理。
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公开(公告)号：CN118910732A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410965720.5
申请日：2024-07-18
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提供一种物相可调控的亚稳相氧化镓外延层的制备方法和应用，具体通过Mist‑CVD技术，对的蓝宝石衬底进行高温酸化处理，其表面粗糙度减小，各向异性条纹更加清晰，然后进行高温退火处理，制备出α‑Ga2O3与κ‑Ga2O3单晶外延层的方法。解决了α‑Ga2O3与κ‑Ga2O3同为亚稳相结构，化学气相沉积过程中温度窗口很窄，仅通过调控温度，会出现α‑Ga2O3与κ‑Ga2O3的混相结构外延层，难以控制晶相的问题。
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公开(公告)号：CN118726941A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410722494.8
申请日：2024-06-05
Applicant: 南京大学
Abstract: 本申请提供一种热丝架构及化学气相沉积设备，属于热丝化学气相沉积领域。本申请提供的一种热丝架构，包括热丝、第一支撑结构及第二支撑结构；第一支撑结构与第二支撑结构沿第一方向间隔设置；第一支撑结构包括多个第一固定柱，多个第一固定柱沿第二方向间隔排布，第二支撑结构包括多个第二固定柱，多个第二固定柱沿第二方向间隔排布；热丝沿第二方向依次交替缠绕多个第一固定柱与多个第二固定柱，以形成热丝阵列。本申请提供的热丝架构极大地简化了结构，降低了对电接触及电源的需求，便于模块化拓展、且热丝的有效利用率较高，损耗相对较低，易于维护更换，降低了使用成本和维护成本，有效地促进热丝CVD金刚石薄膜生长的产业化进程。
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公开(公告)号：CN118581569A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410546979.6
申请日：2024-05-06
Applicant: 南京大学
Abstract: 本申请提供一种MPCVD系统及金刚石薄膜生长掺杂控制方法，属于微波等离子体化学气相沉积领域。本申请提供的MPCVD系统，包括反应室、第一传输管路和控制装置；反应室内部用于设置衬底，反应室设置有进气口，以输送反应剂；第一传输管路的至少部分设置于反应室内，以向衬底表面输送掺杂剂；控制装置包括第一流体控制单元和集成控制单元，第一流体控制单元设置于反应室内并设置在第一传输管路上，集成控制单元用于控制第一流体控制单元，以开启或阻断掺杂剂向衬底表面的输送。通过本申请提供的MPCVD系统及金刚石薄膜生长掺杂控制方法，可以使得金刚石薄膜生长的原位掺杂更可控，掺杂深度更易控制，显著提高了金刚石薄膜外延生长陡峭掺杂与异质界面的陡峭度。
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公开(公告)号：CN114166803B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202111373155.6
申请日：2021-11-19
Applicant: 南京大学
IPC: G01N21/63
Abstract: 本发明公开了金刚石氮‑空位色心阵列传感器，涉及一种金刚石半导体传感器，包括传感器、金刚石衬底、金刚石外延层、NV色心层、纳米柱阵列结构和纳米柱阵列天线，所述传感器底端具有金刚石衬底，在所述金刚石衬底正面上有一层金刚石外延层，所述金刚石外延层是n型半导体，所述金刚石外延层表面存在采用原位MPCVD生长方式得到NV色心层，所述传感器NV色心层中NV色心的取向得到了择优取向，其中NV色心层具有10nm和50nm之间的厚度，所述金刚石外延层即传感接触层结构为纳米柱阵列结构，述传感接触层纳米柱包括金刚石纳米柱、介质层和金属层，所述介质层淀积在金刚石纳米柱表面，所述金属层淀积在介质层表面。
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