公开(公告)号：CN116409747A

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202310305156.X

申请日：2023-03-27

Applicant: 南京大学

Inventor： 顾书林 ,  黄颖蒙 ,  段晶晶 ,  刘松民 ,  滕妍 ,  杨凯 ,  赵伟康 ,  赵耕右 ,  朱顺明 ,  汤琨 ,  叶建东

IPC: B81C1/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种基于非等离子体实现金刚石可控刻蚀的方法，1)金刚石表面预处理，使用强酸混合液对金刚石衬底进行加热处理，然后依次用丙酮、乙醇和去离子水对金刚石衬底进行超声清洗，去除表面油污和其他杂质，烘干备用；2)金刚石刻蚀前准备，采用带有指定图案的掩模版，通过物理气相沉积法在金刚石衬底表面沉积相应图案的金属薄膜；3)金刚石的刻蚀，将带有镍金属薄膜的金刚石样品放入快速退火炉中，在加热前先通入一段时间的惰性气体和反应气体的混合气，用以排出装置里的空气；在流动的混合气体气氛下加热至指定刻蚀温度；反应完成后停止加热，继续通入混合气体，直至装置冷却至室温。

公开(公告)号：CN114166803B

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202111373155.6

申请日：2021-11-19

Applicant: 南京大学

Inventor： 汤琨 ,  赵耕右 ,  朱顺明 ,  叶建东 ,  顾书林

IPC: G01N21/63

Abstract: 本发明公开了金刚石氮‑空位色心阵列传感器，涉及一种金刚石半导体传感器，包括传感器、金刚石衬底、金刚石外延层、NV色心层、纳米柱阵列结构和纳米柱阵列天线，所述传感器底端具有金刚石衬底，在所述金刚石衬底正面上有一层金刚石外延层，所述金刚石外延层是n型半导体，所述金刚石外延层表面存在采用原位MPCVD生长方式得到NV色心层，所述传感器NV色心层中NV色心的取向得到了择优取向，其中NV色心层具有10nm和50nm之间的厚度，所述金刚石外延层即传感接触层结构为纳米柱阵列结构，述传感接触层纳米柱包括金刚石纳米柱、介质层和金属层，所述介质层淀积在金刚石纳米柱表面，所述金属层淀积在介质层表面。

公开(公告)号：CN114166803A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202111373155.6

申请日：2021-11-19

Applicant: 南京大学

Inventor： 汤琨 ,  赵耕右 ,  朱顺明 ,  叶建东 ,  顾书林

IPC: G01N21/63

Abstract: 本发明公开了金刚石氮‑空位色心阵列传感器，涉及一种金刚石半导体传感器，包括传感器、金刚石衬底、金刚石外延层、NV色心层、纳米柱阵列结构和纳米柱阵列天线，所述传感器底端具有金刚石衬底，在所述金刚石衬底正面上有一层金刚石外延层，所述金刚石外延层是n型半导体，所述金刚石外延层表面存在采用原位MPCVD生长方式得到NV色心层，所述传感器NV色心层中NV色心的取向得到了择优取向，其中NV色心层具有10nm和50nm之间的厚度，所述金刚石外延层即传感接触层结构为纳米柱阵列结构，述传感接触层纳米柱包括金刚石纳米柱、介质层和金属层，所述介质层淀积在金刚石纳米柱表面，所述金属层淀积在介质层表面。