公开(公告)号：CN118910732A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202410965720.5

申请日：2024-07-18

Applicant: 南京大学

Inventor： 叶建东 ,  郝景刚 ,  马同川 ,  戴磊 ,  雒玉蓉 ,  任芳芳 ,  顾书林

IPC: C30B29/16 ,  H01L29/24 ,  B05D7/24 ,  B05B17/06 ,  C30B29/20 ,  C30B25/16

Abstract: 本发明提供一种物相可调控的亚稳相氧化镓外延层的制备方法和应用，具体通过Mist‑CVD技术，对的蓝宝石衬底进行高温酸化处理，其表面粗糙度减小，各向异性条纹更加清晰，然后进行高温退火处理，制备出α‑Ga2O3与κ‑Ga2O3单晶外延层的方法。解决了α‑Ga2O3与κ‑Ga2O3同为亚稳相结构，化学气相沉积过程中温度窗口很窄，仅通过调控温度，会出现α‑Ga2O3与κ‑Ga2O3的混相结构外延层，难以控制晶相的问题。

公开(公告)号：CN118563421A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202410657041.1

申请日：2024-05-24

Applicant: 南京大学

Inventor： 叶建东 ,  郝景刚 ,  张崇德 ,  戴磊 ,  雒玉蓉 ,  任芳芳 ,  顾书林

IPC: C30B29/22 ,  H01L21/02 ,  C30B25/02

Abstract: 本发明涉及一种p型铱镓氧合金外延薄膜及其制备方法，所述p型铱镓氧合金外延薄膜的化学式为(IrxGa1‑x)2O3，且x≤0.05；其晶相为α相、ε相、β相中的一种。α‑Ir2O3为六方刚玉结构，Ir3+离子仅占据八面体位置。在高Ga组分(IrxGa1‑x)2O3(x≤0.05)外延薄膜中，可通过Ir3+离子仅取代占据八面体位置的Ga3+离子的前提下实现晶相调控，具体通过改变Mist‑CVD中衬底温度实现(IrxGa1‑x)2O3(x≤0.05)外延薄膜的晶相调控，实现与α‑Ga2O3、ε‑Ga2O3、β‑Ga2O3晶型匹配且晶格失配极小的目标，是晶体结构复杂的Ga2O3的理想p型材料制备方案，为进一步开发Ga2O3在功率器件及射频器件领域的新型结构提供了坚实的基础。

公开(公告)号：CN119230597B

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202411759891.9

申请日：2024-12-03

Applicant: 南京大学

Inventor： 叶建东 ,  许轲 ,  万昌锦 ,  雒玉蓉 ,  李展华 ,  任芳芳 ,  顾书林 ,  张荣

IPC: H10D64/68 ,  H10D30/01 ,  H10D30/60

Abstract: 本发明公开了一种具有κ‑Ga2O3/Al2O3复合铁电介质层的负电容晶体管及其制备方法。本发明的负电容晶体管包括从下至上依次设置的衬底，GaN缓冲层，UID‑GaN沟道层，Al0.25Ga0.75N势垒层，以及设置在Al0.25Ga0.75N势垒层上的源电极、漏电极和栅极，以及设置在栅极和Al0.25Ga0.75N势垒层之间的κ‑Ga2O3/Al2O3复合铁电介质层。本发明的负电容晶体管能够实现易失性与非易失性存储的结合，从而在保证高速数据处理能力的同时，提高系统的稳定性与断电后的数据保存可靠性，为全储备池的应用提供高效的数据管理支持。

公开(公告)号：CN119230597A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202411759891.9

申请日：2024-12-03

Applicant: 南京大学

Inventor： 叶建东 ,  许轲 ,  万昌锦 ,  雒玉蓉 ,  李展华 ,  任芳芳 ,  顾书林 ,  张荣

IPC: H01L29/51 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种具有κ‑Ga2O3/Al2O3复合铁电介质层的负电容晶体管及其制备方法。本发明的负电容晶体管包括从下至上依次设置的衬底，GaN缓冲层，UID‑GaN沟道层，Al0.25Ga0.75N势垒层，以及设置在Al0.25Ga0.75N势垒层上的源电极、漏电极和栅极，以及设置在栅极和Al0.25Ga0.75N势垒层之间的κ‑Ga2O3/Al2O3复合铁电介质层。本发明的负电容晶体管能够实现易失性与非易失性存储的结合，从而在保证高速数据处理能力的同时，提高系统的稳定性与断电后的数据保存可靠性，为全储备池的应用提供高效的数据管理支持。