公开(公告)号：CN105525268A

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201610059148.1

申请日：2016-01-28

Applicant: 南京大学

Inventor： 叶建东 ,  程丽娜 ,  朱顺明 ,  汤琨 ,  任芳芳 ,  顾书林 ,  郑有炓

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C14/02 ,  C23C14/58

CPC classification number: C23C14/0084 ,  C23C14/021 ,  C23C14/0676 ,  C23C14/35 ,  C23C14/5806

Abstract: 一种提高ZnON薄膜迁移率和稳定性的方法，包括以下步骤：采用三明治结构的ZnON薄膜，三明治结构基底上的夹层为富氮ZnON薄膜，夹层上部的覆盖层为富氧ZnON薄膜，采用反应射频磁控溅射制备三明治结构的ZnON薄膜，以纯度为99.999％的锌靶为溅射靶材，生长ZnON薄膜前对高纯锌靶材利用氩离子束预溅射5-15分钟；通过两步反应射频磁控溅射生长的方法，第一步生长制备的非晶富氮ZnON薄膜；第二步制备富氧ZnON多晶薄膜；减小了薄膜体内和晶界缺陷密度，从而得到具有高迁移率、高稳定性的ZnON薄膜材料。

公开(公告)号：CN206076241U

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201620088085.8

申请日：2016-01-28

Applicant: 南京大学

Inventor： 叶建东 ,  程丽娜 ,  朱顺明 ,  汤琨 ,  任芳芳 ,  顾书林 ,  郑有炓

IPC: H01L29/24 ,  H01L21/363

Abstract: 一种采用三明治结构的ZnON薄膜，三明治结构的ZnON薄膜的基底上的夹层为富氮ZnON薄膜，富氮ZnON薄膜厚度为20‑150纳米，夹层上部的覆盖层为富氧ZnON薄膜，富氧ZnON薄膜层厚为5‑30纳米，基底为硅片、石英、玻璃或柔性衬底。三明治结构中夹层富氮ZnON和原位制备覆盖层富氧ZnON，提高了晶体管沟道层的稳定性，抑制后续晶体管器件的功能老化衰退。