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公开(公告)号：CN111188027B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202010088816.X
申请日：2020-02-12
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/50 , C23C16/34
Abstract: 一种化学气相沉积设备，包括气体输入结构和反应室，所述气体输入结构包括气体分配器以及下方的出气套筒，所述气体分配器为开设有一个入口和多个均匀分布的出口相连通的容器，所述每个出口均为出气套筒的结构，出气套筒包括由内向外依次同轴嵌套设置的第一管、第二管和第三管，所述气体分配器的每一所述出口与所述第一管对应，所述第一管内的空间用于传输第一反应物，所述第一管外与所述第二管内之间的空间用于传输隔离气体，所述第二管外与所述第三管内之间的空间用于传输第二反应物，所述隔离气体使得所述第一反应物与所述第二反应物至少在出气套筒出口处隔离。
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公开(公告)号：CN111188027A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN202010088816.X
申请日：2020-02-12
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/50 , C23C16/34
Abstract: 一种化学气相沉积设备，包括气体输入结构和反应室，所述气体输入结构包括气体分配器以及下方的出气套筒，所述气体分配器为开设有一个入口和多个均匀分布的出口相连通的容器，所述每个出口均为出气套筒的结构，出气套筒包括由内向外依次同轴嵌套设置的第一管、第二管和第三管，所述气体分配器的每一所述出口与所述第一管对应，所述第一管内的空间用于传输第一反应物，所述第一管外与所述第二管内之间的空间用于传输隔离气体，所述第二管外与所述第三管内之间的空间用于传输第二反应物，所述隔离气体使得所述第一反应物与所述第二反应物至少在出气套筒出口处隔离。
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公开(公告)号：CN118726941A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410722494.8
申请日：2024-06-05
Applicant: 南京大学
Abstract: 本申请提供一种热丝架构及化学气相沉积设备，属于热丝化学气相沉积领域。本申请提供的一种热丝架构，包括热丝、第一支撑结构及第二支撑结构；第一支撑结构与第二支撑结构沿第一方向间隔设置；第一支撑结构包括多个第一固定柱，多个第一固定柱沿第二方向间隔排布，第二支撑结构包括多个第二固定柱，多个第二固定柱沿第二方向间隔排布；热丝沿第二方向依次交替缠绕多个第一固定柱与多个第二固定柱，以形成热丝阵列。本申请提供的热丝架构极大地简化了结构，降低了对电接触及电源的需求，便于模块化拓展、且热丝的有效利用率较高，损耗相对较低，易于维护更换，降低了使用成本和维护成本，有效地促进热丝CVD金刚石薄膜生长的产业化进程。
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公开(公告)号：CN118581569A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410546979.6
申请日：2024-05-06
Applicant: 南京大学
Abstract: 本申请提供一种MPCVD系统及金刚石薄膜生长掺杂控制方法，属于微波等离子体化学气相沉积领域。本申请提供的MPCVD系统，包括反应室、第一传输管路和控制装置；反应室内部用于设置衬底，反应室设置有进气口，以输送反应剂；第一传输管路的至少部分设置于反应室内，以向衬底表面输送掺杂剂；控制装置包括第一流体控制单元和集成控制单元，第一流体控制单元设置于反应室内并设置在第一传输管路上，集成控制单元用于控制第一流体控制单元，以开启或阻断掺杂剂向衬底表面的输送。通过本申请提供的MPCVD系统及金刚石薄膜生长掺杂控制方法，可以使得金刚石薄膜生长的原位掺杂更可控，掺杂深度更易控制，显著提高了金刚石薄膜外延生长陡峭掺杂与异质界面的陡峭度。
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公开(公告)号：CN114561632A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210197268.3
申请日：2022-03-02
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/511 , C23C16/27 , C23C16/455 , C23C16/52 , C30B25/14 , C30B25/16 , C30B29/04
Abstract: 一种可实现有效掺杂的MPCVD设备，包括反应室和气体输入结构，所述气体输入结构包括两路反应气体管道，第一路管道连接的分配器将气体均匀输运道到反应室中，气体出口位于反应室顶部附近，将反应气体均匀地输运到反应室中，该气体分配器位于腔室的顶部区域；第一路管道用于传输第一反应物，第二路管道通过一圆环气体分配器将掺杂反应气体均匀地输入到衬底表面，所述第二管道输气环水平高度和衬底支托保持一致，所述输气环可放置于中心位置，和支托呈内同心结构，所述输气环也可放置于支托周围，和支托呈现外同心结构。本发明采取两个管道分别传输反应气体的方式，可有效实现MPCVD的掺杂效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105576054A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201610169554.3
申请日：2016-03-23
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/04 , H01L31/0236 , B82Y30/00
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/04 , B82Y30/00 , H01L31/0236
Abstract: 本发明公开了基于蝶形等离激元增强天线的纳米线中间带太阳能电池结构，二氧化硅或石英衬底上为平躺的氧掺杂碲化锌/氧化锌核壳结构纳米线，氧化锌在外层，氧掺杂碲化锌/氧化锌核壳结构的纳米线长度为1-10um，核壳结构纳米线的直径为200-400nm，氧化锌的厚度为5-40nm；核壳结构纳米线的两侧设有若干对金属铝蝶形天线，每一对金属铝蝶形天线为尖端对尖端的三棱锥结构，每一对蝶形天线中两个尖端对尖端的三棱锥相对于纳米线是可以是中心对称的，也可以是非中心对称的。主要解决中间带太阳能电池吸收层中间带态密度小而吸收效率偏低的问题，实现太阳光全光谱吸收增强而提高器件整体光电转换效率。
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公开(公告)号：CN116463609A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310328517.2
申请日：2023-03-30
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/27 , C23C16/52 , C23C16/458 , C23C16/455 , C23C16/511
Abstract: 一种有效实现金刚石中硅掺杂的设备，采用MPCVD系统，包括气体控制模块、微波模块和包括反应腔室的反应沉积模块；所述的反应沉积模块，包括石英窗、反应腔室、样品台和样品托，微波通过石英窗进入反应腔室，样品托置于样品台上在反应腔中；所述的样品托呈圆柱体状，样品托周围有进气环用于气体从下方进入，带孔样品托中心有直径为2mm的通孔，用于从下方进气，样品托通孔周围有倾斜面，倾斜面与水平面具有0‑90°的不同夹角，改变衬底的角度，进行不同角度沉积生长；由腔室下方通过样品托通孔通入甲烷和氮气，温度在760‑780℃之间，制备出具有梯度分布的氮硅掺杂金刚石薄膜。
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公开(公告)号：CN115786874A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211427974.9
申请日：2022-11-15
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/27 , C23C16/455
Abstract: 一种基于双气流的高效掺杂HFCVD设备,包括反应腔、气体导入结构，气体导入结构包括四路气体管道，上、下两个进气口；第一路气体管道通入的是反应气体，第二路气体管道通入的是载气，第一、第二两路气体管道的气体混合后从第一进气管通过上进气口即导入到反应腔，上进气口位于反应腔的顶部中心位置；上进气口与基片台中间设有热丝；第三路气体管道通入的是掺杂气体，第四路气体管道通入的是载气，两路气体混合后从第二进气管通过下进气口导入反应腔，下进气口位于基片台下方的中心位置，形状为喇叭状，上、下进气口和基片台的正投影面呈同心结构。本发明有效提高金刚石薄膜生长中掺杂气体的利用效率，实现金刚石薄膜样品中的高效掺杂。
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公开(公告)号：CN106098812B
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201610466410.4
申请日：2016-06-23
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/0296 , H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/077 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了基于氧掺杂碲化锌纳米线阵列的太阳电池，自上而下依次为：包裹了氧化锌/氧掺杂碲化锌/碲化锌三层同轴包覆的纳米线阵列顶端的n型AZO透明导电薄膜、氧化锌/氧掺杂碲化锌/碲化锌三层同轴包覆的纳米线阵列、包裹纳米线底端的PMDS支撑层和p型掺杂高导单晶硅层衬底，利用具有中间带特性的氧化锌/氧掺杂碲化锌/碲化锌三层同轴包覆的纳米线阵列作为光电吸收层；在AZO透明导电薄膜和p型掺杂高导单晶硅层分别引出电极。
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公开(公告)号：CN106098812A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610466410.4
申请日：2016-06-23
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/0296 , H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/077 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/077 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L31/02963 , H01L31/032 , H01L31/035227 , H01L31/18 , H01L31/1828
Abstract: 本发明公开了基于氧掺杂碲化锌纳米线阵列的太阳电池，自上而下依次为：包裹了氧化锌/氧掺杂碲化锌/碲化锌三层同轴包覆的纳米线阵列顶端的n型AZO透明导电薄膜、氧化锌/氧掺杂碲化锌/碲化锌三层同轴包覆的纳米线阵列、包裹纳米线底端的PMDS支撑层和p型掺杂高导单晶硅层衬底，利用具有中间带特性的氧化锌/氧掺杂碲化锌/碲化锌三层同轴包覆的纳米线阵列作为光电吸收层；在AZO透明导电薄膜和p型掺杂高导单晶硅层分别引出电极。
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