-
公开(公告)号：CN118726942A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410728571.0
申请日：2024-06-05
Applicant: 南京大学
Abstract: 本申请提供一种热丝模组及化学气相沉积设备，属于热丝化学气相沉积领域。本申请的热丝模组，包括第一热丝阵列、第二热丝阵列、第一支撑结构及第二支撑结构；第一支撑结构包括多个第一固定柱，多个第一固定柱沿第二方向间隔排布，第二支撑结构包括多个第二固定柱，多个第二固定柱沿第二方向间隔排布；第一热丝阵列和第二热丝阵列分别形成于多个第一固定柱与多个第二固定柱沿第三方向的两端。本申请提供的热丝模组，可实现基体两面金刚石薄膜的同时生长，极大地提高了HFCVD设备的生长效率，且模块化拓展；进一步采用双层气流技术，可实现金刚石薄膜的高效掺杂，有效降低环保与安全的成本支出。
-
公开(公告)号：CN116409747A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202310305156.X
申请日：2023-03-27
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种基于非等离子体实现金刚石可控刻蚀的方法，1)金刚石表面预处理，使用强酸混合液对金刚石衬底进行加热处理，然后依次用丙酮、乙醇和去离子水对金刚石衬底进行超声清洗，去除表面油污和其他杂质，烘干备用；2)金刚石刻蚀前准备，采用带有指定图案的掩模版，通过物理气相沉积法在金刚石衬底表面沉积相应图案的金属薄膜；3)金刚石的刻蚀，将带有镍金属薄膜的金刚石样品放入快速退火炉中，在加热前先通入一段时间的惰性气体和反应气体的混合气，用以排出装置里的空气；在流动的混合气体气氛下加热至指定刻蚀温度；反应完成后停止加热，继续通入混合气体，直至装置冷却至室温。
-
公开(公告)号：CN116356280A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310296125.2
申请日：2023-03-24
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/34 , C23C16/511
Abstract: 一种微波等离子体化学气相沉积系统制备六方氮化硼薄膜的方法，基于微波等离子体化学气相沉积系统，1)衬底选择及清洗；2)将衬底放置于反应室钼托中，置于微波等离子体化学气相沉积系统，抽真空至7.5×10‑4Pa以下；3)起辉及衬底预处理，对衬底进行5‑15min的等离子体清洗；4)沉积六方氮化硼薄膜：通入硼、氮气体反应源，其中硼元素反应源为被氢气或氩气稀释的乙硼烷，稀释比例为1％，流量为5‑15sccm，氮元素反应源为高纯氮气，流量为5‑15sccm，反应温度为750‑850℃，沉积时间为30‑90min。本发明工艺简单，成本低，可控性好，无需催化剂，可制备大尺寸六方氮化硼薄膜。
-
公开(公告)号：CN114561632B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210197268.3
申请日：2022-03-02
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/511 , C23C16/27 , C23C16/455 , C23C16/52 , C30B25/14 , C30B25/16 , C30B29/04
Abstract: 一种可实现有效掺杂的MPCVD设备，包括反应室和气体输入结构，所述气体输入结构包括两路反应气体管道，第一路管道连接的分配器将气体均匀输运道到反应室中，气体出口位于反应室顶部附近，将反应气体均匀地输运到反应室中，该气体分配器位于腔室的顶部区域；第一路管道用于传输第一反应物，第二路管道通过一圆环气体分配器将掺杂反应气体均匀地输入到衬底表面，所述第二管道输气环水平高度和衬底支托保持一致，所述输气环可放置于中心位置，和支托呈内同心结构，所述输气环也可放置于支托周围，和支托呈现外同心结构。本发明采取两个管道分别传输反应气体的方式，可有效实现MPCVD的掺杂效果。
-
公开(公告)号：CN105908256B
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201610192710.8
申请日：2016-03-30
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种用于高效可见光催化水分解的锌镉氧合金单晶薄膜，所述的ZnCdO合金单晶薄膜的禁带宽度在2.1‑3.3eV范围内可调，覆盖大部分太阳光谱，将ZnCdO合金单晶薄膜与铟金属形成欧姆接触。本发明利用有机金属化学气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石或石英等透明衬底上低温制备不同Cd/Zn组分配比的ZnCdO合金单晶薄膜。薄膜的禁带宽度覆盖绝大部分太阳光谱，非常适合用于可见光催化分解水。本发明制备方法适合大规模产业化，制备的ZnCdO薄膜在高效光催化水分解和光伏电池等领域有应用前景。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105862013A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610439793.6
申请日：2016-06-17
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/48
CPC classification number: C23C16/48
Abstract: 一种应用于小型MOCVD系统的高温加热装置，包括加热元件、电炉盘和电极连接线，加热元件上面设有盖板，电炉盘底部预留若干孔洞，连接加热元件的电极连接线有陶瓷管加以保护；加热装置外部由不锈钢外罩所封闭，电炉盘下方有隔热板，隔热板上预留若干和电炉盘底部相对应的孔洞，隔热板上方外罩的侧面设有能通保护气体的不锈钢管，不锈钢管管可供氮气等保护气通入加热元件上部，对加热元件进行双重保护；本发明可实现小型MOCVD系统的高温加热，并能有效阻止高温情况下氧气等对加热元件造成的氧化和腐蚀影响，大幅提升了加热元件使用寿命，也可以屏蔽限制高温条件下加热元件的各种释放，有利于获得性能优异的沉积薄膜材料。
-
公开(公告)号：CN116390630A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310220333.4
申请日：2023-03-08
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种基于金刚石的磁场传感器及制备，包括由单晶金刚石衬底，掺氮的金刚石薄膜层，及钛、金电极构成的电极层，单晶金刚石衬底、掺氮的金刚石薄膜层、电极层由下至上依次设置，在两个电极间形成金属‑半导体‑金属结构；所述单晶金刚石衬底为高温高压法合成的Ib型金刚石单晶，晶向为(100)，X射线衍射半峰宽小于0.1°，含氮量为27±5ppm；所述掺氮的金刚石薄膜层厚度为20～80μm，含氮量约为168±15ppm。本发明中掺氮的金刚石薄膜层提高了金刚石中的氮空位(NV)含量，通过电压调控尽可能让NV色心处于利于传感的NV‑形态，以提高传感灵敏度。在微波信号的作用下观察PL谱中NV‑对应的特征峰的强弱变化，以此实现所制器件对磁场传感的功能。
-
公开(公告)号：CN111188027B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202010088816.X
申请日：2020-02-12
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/50 , C23C16/34
Abstract: 一种化学气相沉积设备，包括气体输入结构和反应室，所述气体输入结构包括气体分配器以及下方的出气套筒，所述气体分配器为开设有一个入口和多个均匀分布的出口相连通的容器，所述每个出口均为出气套筒的结构，出气套筒包括由内向外依次同轴嵌套设置的第一管、第二管和第三管，所述气体分配器的每一所述出口与所述第一管对应，所述第一管内的空间用于传输第一反应物，所述第一管外与所述第二管内之间的空间用于传输隔离气体，所述第二管外与所述第三管内之间的空间用于传输第二反应物，所述隔离气体使得所述第一反应物与所述第二反应物至少在出气套筒出口处隔离。
-
公开(公告)号：CN111188027A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN202010088816.X
申请日：2020-02-12
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/50 , C23C16/34
Abstract: 一种化学气相沉积设备，包括气体输入结构和反应室，所述气体输入结构包括气体分配器以及下方的出气套筒，所述气体分配器为开设有一个入口和多个均匀分布的出口相连通的容器，所述每个出口均为出气套筒的结构，出气套筒包括由内向外依次同轴嵌套设置的第一管、第二管和第三管，所述气体分配器的每一所述出口与所述第一管对应，所述第一管内的空间用于传输第一反应物，所述第一管外与所述第二管内之间的空间用于传输隔离气体，所述第二管外与所述第三管内之间的空间用于传输第二反应物，所述隔离气体使得所述第一反应物与所述第二反应物至少在出气套筒出口处隔离。
-
公开(公告)号：CN106601881B
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201710093149.2
申请日：2017-02-21
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED，以纳米图形化(PSS)蓝宝石作为外延基底，使用MOCVD方法生长ZnO低温缓冲层和ZnO高温外延层，以ZnO外延层作为高品质导电衬底，后续生长GaN紫外LED外延，LED芯片经剥离和转移后，形成ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED。新型的垂直结构型GaN紫外LED，可降低器件成本，并提高GaN紫外LED的出光效率。形成ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED，剥离工艺简单，成本低，有利于实现柔性衬底的照明工程。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
37
records
(took 0.083 seconds)
