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公开(公告)号：CN108777250A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201810527383.6
申请日：2018-05-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于半导体器件领域，公开了一种大尺寸单晶氧化亚锡及其制备方法。将SnCl2·2H2O溶解在酸溶液中，然后滴加碱性溶液，调节溶液pH值范围为11.5～12.5，生成白色溶胶物质Sn6O4(OH)4，然后超声处理或加热处理，得到黑色沉淀物质，沉淀经分离、洗涤、干燥，得到所述大尺寸单晶氧化亚锡。本发明利用酸碱中和反应机理制备大尺寸单晶SnO，本发明的制备方法操作简单，所需原料及设备无特殊要求；并且所制得的单晶SnO尺寸大，形状规则，可以有效改善场效应晶体管的性能。
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公开(公告)号：CN107546262A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710581574.6
申请日：2017-07-17
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/24 , H01L29/06 , H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本发明属于薄膜晶体管技术领域，公开了一种基于锶铟氧化物的薄膜晶体管及其制备方法。所述薄膜晶体管由衬底上依次设置的栅极、栅极绝缘层、有源层和源漏电极构成；所述有源层为锶铟氧化物，即在In2O3中以一定比例掺杂SrO。本发明采用锶铟氧化物作为有源层，仅需要非常低的退火温度就能够大幅度地提升电子的传输效率。
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公开(公告)号：CN107302027A
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201710537847.7
申请日：2017-07-04
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/417 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/786 , H01L29/41725 , H01L29/66742
Abstract: 本发明属于显示器件技术领域，公开了一种双层有源层结构的薄膜晶体管及其制备方法。所述薄膜晶体管由依次层叠的衬底、栅极、栅极绝缘层、有源层和源/漏电极构成；所述有源层由一层绝缘体层和一层半导体层构成，其中半导体层靠近栅极绝缘层；所述的绝缘体层材料为具有绝缘特性的二元氧化物AO，半导体层为具有半导体特性的四元氧化物BCDO，其中A、B、C、D代表不同的金属元素。本发明采用不同的两种氧化物堆叠起来而成为薄膜晶体管的有源层，能够在室温下通过磁控溅射方式制备，制备工艺简单，且不需要退火处理，所得薄膜晶体管具有高迁移率、高稳定性。
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公开(公告)号：CN107369719B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201710739074.0
申请日：2017-08-25
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/45 , H01L21/44
Abstract: 本发明属于电子器件制备技术领域，公开了一种氧化物薄膜晶体管纯铜复合结构源漏电极及其制备方法。所述制备方法为：在有源层上依次沉积刻蚀缓冲层、黏附阻挡层和纯Cu薄膜；旋涂光刻胶，曝光显影，保留有源沟道顶部一半的光刻胶；依次刻蚀非有源沟道区的纯Cu薄膜、黏附阻挡层、刻蚀缓冲层和有源层；除去有源沟道顶部保留的光刻胶，使纯Cu薄膜暴露出来；刻蚀纯Cu薄膜层和黏附阻挡层，使其图形化形成TFT的源漏电极；除去有源沟道表面的刻蚀缓冲层；除去源漏电极表面的光刻胶。通过引入C膜作为刻蚀缓冲层，可避免刻蚀纯铜源漏电极时对氧化物有源层的破坏，同时可以避免铜刻蚀时双氧水基刻蚀液使用，降低生产成本和安全风险。
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公开(公告)号：CN108735821B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201810527382.1
申请日：2018-05-29
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/24 , H01L21/34
Abstract: 本发明属于显示器件技术领域，公开了一种镨铟锌氧化物薄膜晶体管及其制备方法。所述薄膜晶体管由基板、金属栅极、栅极绝缘层、Pr‑IZO半导体有源层、氧化物绝缘体钝化层和金属源漏电极构成。本发明通过在IZO半导体中引入Pr元素掺杂，通过室温溅射工艺沉积Pr‑IZO有源层薄膜，结合超薄Al2O3钝化层对电场下的载流子运输进行控制，在室温下实现高迁移率、高电流开关比的氧化物薄膜晶体管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107785439B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201710785090.3
申请日：2017-09-04
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/34 , C23C14/34
Abstract: 本发明属于显示器件技术领域，公开了一种室温脉冲直流溅射波形优化的薄膜晶体管及其制备方法。所述制备方法为：室温下直流溅射在基板上制备TFT金属栅极；室温下通过阳极氧化法将一部分栅极氧化成栅极绝缘层；室温下通过脉冲直流溅射制备氧化物半导体有源层，所述氧化物半导体为非晶型铟镓锌氧化物；室温下通过直流溅射制备金属源漏电极。本发明的方法不需要热处理等额外工艺，只需通过调制脉冲直流溅射波形，在室温下优化器件的电学性能，制备高性能的薄膜晶体管，体现出了工艺简单、耗时短、节约能源和适用于工业生产的发展潜力。
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公开(公告)号：CN109897447A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910187207.7
申请日：2019-03-13
Applicant: 华南理工大学
IPC: C09D11/03 , C09D11/033 , C09D11/36 , C09D11/38
Abstract: 本发明属于薄膜器件制备技术领域，公开了一种可低温印刷氧化物绝缘薄膜的制备方法。将氧化物前驱体材料溶解于良溶剂中，取样进行TG/DSC测试，选取挥发温度、致密化温度＜200℃的墨水，然后进行粘度和张力测试，加入辅助溶剂，调节墨水粘度和张力，再通过TG/DSC测试确定退火温度；通过紫外吸收曲线测试确定最大吸收波段；将所得墨水体系印刷成膜，在确定的退火温度下进行热退火处理，然后采用最大吸收波段的紫外光进行处理，得到氧化物绝缘薄膜。本发明通过一系列有效的测试分析，从物理化学的角度对前驱体、溶剂选择以及后处理参数进行了筛选和优化，获得可低温印刷氧化物绝缘薄膜，对大面积柔性电子设备的发展具有推动作用。
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公开(公告)号：CN109411543A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811117597.2
申请日：2018-09-20
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/34 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/43 , H01L29/49
Abstract: 本发明属于薄膜晶体管技术领域，公开了一种透明薄膜晶体管及其制备方法。所述透明薄膜晶体管由依次层叠的玻璃基板、AZO栅极电极、Al2O3栅极绝缘层、AZO半导体层、Al2O3半导体修饰层以及AZO源漏电极构成。本发明采用脉冲激光沉积制备得到了AZO半导体层、Al2O3半导体修饰层，构成AZO/Al2O3有源层，实现室温制备，且无毒绿色环保，与此同时本发明还将单层AZO薄膜应用在TFT的栅极、源漏上，解决了单层AZO薄膜难以应用于电极上的问题，制备出了高性能、高透明的TFT器件。
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公开(公告)号：CN108649074A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810354086.6
申请日：2018-04-19
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明属于显示器件领域，公开了一种AZO透明栅极薄膜晶体管及其制备方法。将基底清洗，烘干预处理后通过脉冲激光沉积制备AZO栅极；在AZO栅极上使用射频磁控溅射沉积制备Al2O3栅极绝缘层；在栅极绝缘层上使用脉冲直流磁控溅射沉积IGZO半导体层；使用射频磁控溅射在半导体层上沉积Al2O3半导体修饰层；在300～350℃的温度下，对器件进行热退火处理；使用直流溅射沉积Al源漏电极，得到AZO透明栅极薄膜晶体管。本发明通过激光脉冲沉积制备AZO栅极，在降低薄膜电阻率的同时且兼有优良的透明度，极大地提高了TFT的器件性能。
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公开(公告)号：CN108336135A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810213140.5
申请日：2018-03-15
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/49 , H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 本发明属于显示器件技术领域，公开了一种钕铟锌氧化物薄膜晶体管及其制备方法。所述薄膜晶体管由基板、金属栅极、栅极绝缘层、Nd-IZO半导体有源层、氧化物绝缘体钝化层和金属源漏电极构成。本发明在IZO半导体靶材中引入一定比例的Nd元素掺杂，通过室温溅射工艺沉积Nd-IZO高载流子浓度有源层薄膜，结合超薄Al2O3钝化层对电场下的载流子运输进行控制，可以优化器件的电学性能，以获得高性能的薄膜晶体管。
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