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公开(公告)号：CN109411543A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811117597.2
申请日：2018-09-20
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/34 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/43 , H01L29/49
Abstract: 本发明属于薄膜晶体管技术领域，公开了一种透明薄膜晶体管及其制备方法。所述透明薄膜晶体管由依次层叠的玻璃基板、AZO栅极电极、Al2O3栅极绝缘层、AZO半导体层、Al2O3半导体修饰层以及AZO源漏电极构成。本发明采用脉冲激光沉积制备得到了AZO半导体层、Al2O3半导体修饰层，构成AZO/Al2O3有源层，实现室温制备，且无毒绿色环保，与此同时本发明还将单层AZO薄膜应用在TFT的栅极、源漏上，解决了单层AZO薄膜难以应用于电极上的问题，制备出了高性能、高透明的TFT器件。
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公开(公告)号：CN109411542A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811048754.9
申请日：2018-09-10
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/34 , H01L21/477
Abstract: 本发明属于显示器器件领域，具体涉及一种背沟道刻蚀型非晶氧化物薄膜晶体管及其制备方法。所述制备方法包括以下步骤：(1)在基板上沉积栅极；(2)在栅极表面阳极氧化生长栅极绝缘层；(3)在栅极绝缘层上沉积有源层；(4)在有源层上制备源电极和漏电极，并利用湿法刻蚀进行图形化；(5)将器件进行空气常压退火，退火温度为350℃；(6)在沟道上方制备钝化层。一般制备完器件后，沟道区域含有残留物，会导致器件电学性能恶化，但经过350℃前退火，可以消除沟道区的残留物，提高器件性能。因此，制备小型化器件时，由于当沟道尺寸很小时沟道区的残留物很难去除，需要经过350℃前退火消除沟道区的残留物，从而提高器件性能。
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公开(公告)号：CN108649074A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810354086.6
申请日：2018-04-19
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明属于显示器件领域，公开了一种AZO透明栅极薄膜晶体管及其制备方法。将基底清洗，烘干预处理后通过脉冲激光沉积制备AZO栅极；在AZO栅极上使用射频磁控溅射沉积制备Al2O3栅极绝缘层；在栅极绝缘层上使用脉冲直流磁控溅射沉积IGZO半导体层；使用射频磁控溅射在半导体层上沉积Al2O3半导体修饰层；在300～350℃的温度下，对器件进行热退火处理；使用直流溅射沉积Al源漏电极，得到AZO透明栅极薄膜晶体管。本发明通过激光脉冲沉积制备AZO栅极，在降低薄膜电阻率的同时且兼有优良的透明度，极大地提高了TFT的器件性能。
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公开(公告)号：CN108336135A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810213140.5
申请日：2018-03-15
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/49 , H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 本发明属于显示器件技术领域，公开了一种钕铟锌氧化物薄膜晶体管及其制备方法。所述薄膜晶体管由基板、金属栅极、栅极绝缘层、Nd-IZO半导体有源层、氧化物绝缘体钝化层和金属源漏电极构成。本发明在IZO半导体靶材中引入一定比例的Nd元素掺杂，通过室温溅射工艺沉积Nd-IZO高载流子浓度有源层薄膜，结合超薄Al2O3钝化层对电场下的载流子运输进行控制，可以优化器件的电学性能，以获得高性能的薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN107785439A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201710785090.3
申请日：2017-09-04
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/34 , C23C14/34
Abstract: 本发明属于显示器件技术领域，公开了一种室温脉冲直流溅射波形优化的薄膜晶体管及其制备方法。所述制备方法为：室温下直流溅射在基板上制备TFT金属栅极；室温下通过阳极氧化法将一部分栅极氧化成栅极绝缘层；室温下通过脉冲直流溅射制备氧化物半导体有源层，所述氧化物半导体为非晶型铟镓锌氧化物；室温下通过直流溅射制备金属源漏电极。本发明的方法不需要热处理等额外工艺，只需通过调制脉冲直流溅射波形，在室温下优化器件的电学性能，制备高性能的薄膜晶体管，体现出了工艺简单、耗时短、节约能源和适用于工业生产的发展潜力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109887991A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910135861.3
申请日：2019-02-25
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/24 , H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本发明属于薄膜晶体管技术领域，公开了一种叠层硅掺杂氧化锡薄膜晶体管及其制备方法。所述叠层硅掺杂氧化锡薄膜晶体管包括依次层叠的衬底、栅极、栅极绝缘层、第一层有源层、第二层有源层和源漏电极；其中第一层有源层为硅的质量百分含量为0～3％的硅掺杂氧化锡，第二层有源层为硅的质量百分含量为5～10％的硅掺杂氧化锡。本发明采用硅掺杂氧化锡半导体材料作为有源层材料，通过搭配不同硅掺杂含量氧化锡有源层材料，制备叠层有源层结构，调控器件沟道中的载流子，获得良好的器件性能。
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公开(公告)号：CN109727702A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811515158.7
申请日：2018-12-12
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于电子器件材料制备技术领域，公开了一种锆掺杂氧化锡透明导电薄膜及其制备方法。所述方法包括如下制备步骤：(1)配制锆掺杂氧化锡前驱体溶液；(2)将干净玻璃衬底进行等离子体处理；(3)在等离子体处理过的玻璃衬底上旋涂制备锆掺杂氧化锡薄膜；(4)将制备好的薄膜先在热台上进行预固化，之后再进行退火。本发明制备的锆掺杂氧化锡透明导电薄膜具有高透过率，低电阻率，工艺简单，成本低廉等优点。
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公开(公告)号：CN109524469A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811219278.2
申请日：2018-10-19
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/24
Abstract: 本发明属于晶体管技术领域，公开了一种基于少层氧化亚锡的场效应晶体管及其制备方法。将尺寸大于200μm的大尺寸氧化亚锡晶体均匀洒在胶带上，通过胶带反复撕揭的机械剥离法剥离少层氧化亚锡晶体，然后转移到干净的硅片衬体上；在硅片衬体上旋涂一层电子束光刻胶，然后通过电子束光刻的方法得到源、漏电极图形，通过电子束蒸镀源、漏电极，得到基于少层氧化亚锡的场效应晶体管。本发明将少层氧化亚锡作为半导体有源层应用于场效应晶体管，并采用电子束光刻技术制备源、漏电极，具有操作可控性强，实验精度高的优点，有源层与源、漏电极之间的接触会很致密，可以有效改善场效应晶体管的性能。
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公开(公告)号：CN109402735A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811062169.4
申请日：2018-09-12
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于场效应晶体管技术领域，具体涉及一种少层单晶氧化亚锡及其制备方法与应用。所述少层单晶氧化亚锡的制备方法包括以下步骤：以晶粒尺寸大于100μm的三维单晶氧化亚锡为原料，将其均匀洒在胶带的一部分上；将胶带中洒有所述三维单晶氧化亚锡的部分与空白部分对折挤压，然后撕开，重复所述对折挤压和撕开操作直至得到所述少层单晶氧化亚锡。所述少层单晶氧化亚锡可用于制备场效应晶体管。本发明采用的方法实验操作简单，所需的药品以及实验仪器都是普通常见的，不需要作特殊处理。并且所制得的少层单晶SnO不易受到污染，形状规则，可以有效改善场效应晶体管的性能。
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公开(公告)号：CN109390411A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201811146879.5
申请日：2018-09-29
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/22 , H01L29/221 , H01L21/02
Abstract: 本发明属于薄膜晶体管技术领域，公开了一种叠层有源层薄膜晶体管及其制备方法。所述叠层有源层薄膜晶体管由依次层叠的玻璃基板、Al:Nd薄膜栅极、Al2O3:Nd栅极绝缘层、AZO半导体层、Al2O3半导体修饰层以及Al源漏电极构成。本发明采用射频磁控溅射沉积制备得到了AZO半导体层、Al2O3半导体修饰层，构成AZO/Al2O3有源层，AZO薄膜含有的元素为Al、Zn、O，这三种元素资源丰富，且都无毒无害，可以很好的响应当下提倡的绿色环保要求，与此同时可实现大面积的生产，且制备过程不需要加热处理。
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