公开(公告)号：CN107403847A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201710569811.7

申请日：2017-07-13

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曾祥斌 ,  吴少雄 ,  王文照 ,  曾洋 ,  丁佳 ,  胡一说 ,  周广通 ,  徐素娥

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/09 ,  H01L31/18 ,  H01L21/02

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/09 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工艺，光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼薄膜以及衬底；电极结构为电极、主支、分支三部分，相邻主支之间和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小，起到并联二硫化钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉积(CVD)的方法，硅片作为衬底，MoO3粉末作为钼源，硫粉作为硫源，通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度，制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜。使用该方法制备层状二硫化钼薄膜，对设备要求低，实验过程简单方便、重复性高。

公开(公告)号：CN105244414B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201510678656.3

申请日：2015-10-20

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曾祥斌 ,  陈晓晓 ,  文西兴 ,  廖武刚 ,  王文照 ,  徐素娥 ,  丁佳

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/074

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种二硫化钼/ 硅异质结太阳能电池及其制备方法，化学气相沉积（CVD）方法可制得大面积、均匀、高结晶的二硫化钼膜，该材料具有较高的载流子迁移率且带隙可调控，制备的二硫化钼/ 硅异质结太阳电池具有常温制备、工艺简单、成本低、光电转换效率高等特点，在降低器件成本的同时，能够实现太阳能的有效转换。

公开(公告)号：CN106531834A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201611090552.1

申请日：2016-11-30

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曾祥斌 ,  郭富城 ,  徐素娥 ,  李寒剑 ,  丁佳 ,  王文照 ,  王硕 ,  付永胜 ,  胡一说 ,  周广通 ,  吴少雄

IPC: H01L31/074 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/074 ,  H01L31/035272 ,  H01L31/0547 ,  H01L31/1804

Abstract: 本发明公开了一种HIT(Heterojunction with Intrinsic Thin-layer)太阳能电池及其制备方法，该电池的组成包括N型单晶硅衬底(N-c-Si)、本征氢化非晶硅层(a-Si：H)、低氢气稀释比(RH)的P型微晶硅层、高RH的P型微晶硅层、ITO(indium tin oxide)透明导电薄膜、正面栅线电极、DBRs(Distributed Bragg reflectors)、背电极。DBRs是由三层重掺杂N型非晶硅薄膜和氮化硅薄膜构成。本发明优化了HIT太阳能电池窗口层和背反射层的结构，能够大大提升电池对近红外光的吸收，降低串联电阻，提升开路电压和短路电流，进而提升太阳能电池效率。

公开(公告)号：CN105870253A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201610258405.4

申请日：2016-04-25

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曾祥斌 ,  王文照 ,  陈晓晓 ,  丁佳 ,  李寒剑 ,  徐素娥 ,  郭富城

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/074

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/18 ,  H01L31/074

Abstract: 本发明公开了一种制备二硫化钨/硅（WS2/Si）异质结太阳能电池的方法，主要工艺是：对p型单晶硅片清洗、制绒后置于PECVD系统中制备出本征非晶硅薄膜层；经WO3的硫化制备出WS2薄膜层；在其反面热蒸发金属铝背电极，正面采用电子束蒸发制备出钯薄膜构成上电极，得到异质结太阳能电池。该化学气相沉积方法可制备出面积大、分布均匀、高结晶性的纳米WS2薄膜材料，有很好的载流子迁移率和带隙可调控优点，且实验方法简单、工艺可控、易操作、成本较低、光电转换效率高，能够实现太阳能的有效转换。

公开(公告)号：CN105161576A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201510677976.7

申请日：2015-10-20

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曾祥斌 ,  文杨阳 ,  文西兴 ,  廖武刚 ,  王文照 ,  徐素娥 ,  李寒剑 ,  郭富城

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1864

Abstract: 本发明公开了一种基于二硫化钼的肖特基太阳电池的制备方法，利用金属钯与二硫化钼形成肖特基异质结，在石英衬底上制备薄膜太阳能电池。纳米层状二硫化钼薄膜的制备采用化学气相沉积法实现，金属钯薄膜采用磁控溅射法实现，钯薄膜作为背电极，金属钛/金叠层薄膜通过热蒸发方法在二硫化钼薄膜上沉积作为上电极。这种基于二硫化钼的肖特基异质结太阳能电池光电转换效率高，制备方法简单易行，成本低，具有广泛应用前景。