一种基于三明治式角度敏感器的高精度双轴倾斜测量装置

    公开(公告)号:CN107504950B

    公开(公告)日:2019-11-12

    申请号:CN201710633118.1

    申请日:2017-07-28

    Abstract: 一种基于三明治式角度敏感器的高精度双轴倾斜测量装置,包括双轴倾角传感器电路、电连接器和封装壳体;双轴倾角传感器电路包括X轴MEMS角度敏感器、Y轴MEMS角度敏感器、调理电路、A/D转换电路、单片机电路、串口电路,MEMS角度敏感器敏感到安装载体倾斜角度的变化,后经调理电路、A/D转换电路、单片机电路、串口输出与倾斜角度成比例的数字量连续信号;电连接器焊接在双轴倾角传感器电路上并安装在金属封装壳体上形成电气接口;封装壳体将双轴倾角传感器电路和电连接器封装在一起,并通过安装法兰形成机械接口。本发明可广泛应用于无人机、舰载设备、卫星通讯、工程机械、铁塔智能监测、太阳能追踪系统等平台的倾斜角度测量。

    基于晶圆键合工艺的圆片级封装MEMS芯片结构及其加工方法

    公开(公告)号:CN108529550A

    公开(公告)日:2018-09-14

    申请号:CN201810401013.8

    申请日:2018-04-28

    Abstract: 本发明涉及一种基于晶圆键合工艺的圆片级封装MEMS芯片结构及其制造方法,MEMS芯片包括衬底层、器件层、盖帽层三层结构,三层结构键合在一起,形成一个可供器件层上的梳齿微结构移动的空腔结构;衬底层上布有电极图形,并采用共面电极实现空腔结构内的器件层结构与空腔外电极焊盘的互联;在器件层与衬底的键合面上,具有阵列凹坑结构。并且在器件层的键合密封环上有贯通于密封腔内外的凹槽结构,凹槽结构在晶圆键合后将被键合介质与硅的共晶体所填充。该结构有助于提高金-硅键合强度,并能够有助于提高真空密封的真空度。在该结构的制造工艺中,使用气态HF对键合表面进行处理,去除表面的二氧化硅,保障金-硅键合强度的同时避免微结构的粘连。

    一种谐振加速度计的自适应闭环测量系统

    公开(公告)号:CN108519498A

    公开(公告)日:2018-09-11

    申请号:CN201810189872.5

    申请日:2018-03-08

    Abstract: 本发明公开了一种谐振加速度计的自适应闭环测量系统,频率控制采用自适应控制的锁相环结构,可根据外界加速度的变化自动选择环路滤波器的控制方式,解决了现有技术中电路参数固定,无法自适应调节的问题,有效克服了锁相环路响应速度和稳态相差之间的矛盾,进而有效提升加速度计的量程、标度因数线性度和零偏稳定性。同时,实现结构简单,无需复杂算法,具有简单高效、适应性强的优点。其中的PI控制单元采用增量式算法,是对传统的位置式PI算法的改进,可获得更好的控制效果,有助于提升系统的稳定性;幅值控制模块采用交流自动增益控制方法,模块中采用简单有效的幅值解调方法,节省了硬件资源,并可在较大范围内调节驱动信号幅值。

    一种MEMS空气流量计晶圆上芯片质量检测方法、装置及系统

    公开(公告)号:CN108100991A

    公开(公告)日:2018-06-01

    申请号:CN201711220668.7

    申请日:2017-11-29

    Abstract: 本发明提供了一种MEMS空气流量计晶圆上芯片质量检测方法、装置及系统,涉及芯片设计领域。所述芯片质量检测方法,包括:发送测试控制指令以使电阻测试装置对待测晶圆上的一个芯片进行扫描测试;获取并存储扫描测试信息,所述扫描测试信息包括所述芯片上各电阻的电阻值;根据所述扫描测试信息与预设电阻范围进行比对,判断所述芯片质量是否合格;发送移动控制指令以使所述待测晶圆按预设路径运动,从而对所述待测晶圆上的下一个芯片进行扫描测试并根据扫描信息判断所述下一个芯片是否合格。本发明可全自动完成整个晶圆上所有芯片的连续测试,极大地提高了测试效率。

    一种基于阳极键合的全硅MEMS圆片级真空封装方法

    公开(公告)号:CN107963609A

    公开(公告)日:2018-04-27

    申请号:CN201711140014.3

    申请日:2017-11-16

    CPC classification number: B81C1/00269 B81C1/00261 B81C1/00325

    Abstract: 本发明公开了一种基于阳极键合的全硅MEMS圆片级真空封装方法,在MEMS圆片级真空封装工艺中采用2次阳极键合实现了盖板、MEMS器件结构、衬底之间的机械和电信号连接,并形成了压力可控的MEMS密封腔体,和现有的基于硅-硅焊料键合、硅-硅熔融键合等全硅键合工艺相比工艺难度低、成品率高;对盖板玻璃片进行减薄至10~50微米及对衬底玻璃片进行减薄至10~50微米,而现有的全硅键合工艺介质层厚度最大不超过3微米,由于越薄的介质层引入的寄生电容越大,因此,本发明引入的寄生电容小,使得MEMS器件输出的信噪比提高。

    一种数字陀螺仪信号控制处理系统

    公开(公告)号:CN105258689A

    公开(公告)日:2016-01-20

    申请号:CN201510680007.7

    申请日:2015-10-19

    CPC classification number: G01C19/5776

    Abstract: 本发明一种数字陀螺仪信号控制处理系统,包括驱动模块控制环路L1和检测模态控制环路L2。本发明采用的相关欠采样技术采用振动式陀螺仪驱动信号频率作为基准,采用正交的采样信号,在每个驱动信号周期里对振动式陀螺仪驱动信号和检测信号进行重采样,并通过CIC梳状滤波器输出驱动振动的幅度信号和频率失配信号以及检测振动的角速度信息和正交误差信息。本发明的相关欠采样算法无需进行乘法即能提取调制信号的幅度和相位信息,具有简单高效的特点。本发明提出的数字陀螺仪信号控制处理系统及相关欠采样技术,适合振动式哥氏陀螺仪。

    一种惯性微系统输出误差建模方法

    公开(公告)号:CN114861390B

    公开(公告)日:2025-04-01

    申请号:CN202210288829.0

    申请日:2022-03-22

    Abstract: 本发明提出了一种惯性微系统输出误差建模方法,该方法基于MEMS惯性仪表输出误差与输出稳定性之间的相关特性,建立输出误差关于输出稳定性的多项式模型,采用最小二乘法,识别模型的参数,采用模型显著性分析方法进行模型优化。当模型的显著性和模型参数的显著性均满足理论值要求时,得到惯性微系统的输出误差模型。本发明有别于以往的基于温度等因素的零偏建模方法,丰富了系统误差建模的方法与手段,具有较强的工程实用价值,可以用于MEMS陀螺仪、MEMS加速度计的输出误差建模与补偿,能够显著提升惯性微系统的精度。

    一种带微流道封装基板及其制备方法

    公开(公告)号:CN115497896A

    公开(公告)日:2022-12-20

    申请号:CN202211059112.5

    申请日:2022-08-31

    Abstract: 本发明提供了一种带微流道封装基板及其制备方法,所述带微流道封装基板包括硅基板和位于硅基板上表面的布线层;硅基板包括键合连接的上层硅片、中间层玻璃片和下层硅片;上层硅片、下层硅片和中间层玻璃片具有相互连通的区域,形成密封的流道结构,下层硅片的下方加工有连通密封流道结构的入口和出口;上层硅片和下层硅片的TSV结构相对,中间层玻璃片上加工有纵向通孔结构,形成对应TSV结构的接触窗口,接触窗口内表面制备有图形化电极互联线;TSV结构和互联电极结构实现电信号的垂直互连,布线层实现X和Y方向电信号的平面互连。本发明制备的硅基封装基板可以在上、下表面布线,同时满足集成微系统三维电互联和芯片散热需求。

    一种微型化全集成NDIR气体传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN110927094B

    公开(公告)日:2021-04-20

    申请号:CN201911161561.9

    申请日:2019-11-20

    Abstract: 本发明公开了一种微型化全集成NDIR气体传感器及其制备方法,属于红外气体传感器技术领域。该传感器包括光电探测器、MEMS红外光源、上层硅片、下层衬底和信号处理ASIC芯片;所述上层硅片和下层衬底键合形成气室,气室内蒸镀有反射层,硅片键合面上分布有气体扩散槽;所述光电探测器、MEMS红外光源和信号处理ASIC芯片设于所述气室上部,在所述上层硅片上开设有分别对准所述光电探测器和MEMS红外光源的光电探测器窗口和红外光源窗口,MEMS红外光源发出的光从红外光源窗口入射至所述反射层,发生多次反射后进入光电探测器。本发明利用MEMS工艺实现了NDIR气体传感器的进一步微型化、全集成,并提高了灵敏度。

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