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公开(公告)号：CN108100991A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711220668.7
申请日：2017-11-29
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: B81C99/00
Abstract: 本发明提供了一种MEMS空气流量计晶圆上芯片质量检测方法、装置及系统，涉及芯片设计领域。所述芯片质量检测方法，包括：发送测试控制指令以使电阻测试装置对待测晶圆上的一个芯片进行扫描测试；获取并存储扫描测试信息，所述扫描测试信息包括所述芯片上各电阻的电阻值；根据所述扫描测试信息与预设电阻范围进行比对，判断所述芯片质量是否合格；发送移动控制指令以使所述待测晶圆按预设路径运动，从而对所述待测晶圆上的下一个芯片进行扫描测试并根据扫描信息判断所述下一个芯片是否合格。本发明可全自动完成整个晶圆上所有芯片的连续测试，极大地提高了测试效率。
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公开(公告)号：CN107963609A
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201711140014.3
申请日：2017-11-16
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00269 , B81C1/00261 , B81C1/00325
Abstract: 本发明公开了一种基于阳极键合的全硅MEMS圆片级真空封装方法，在MEMS圆片级真空封装工艺中采用2次阳极键合实现了盖板、MEMS器件结构、衬底之间的机械和电信号连接，并形成了压力可控的MEMS密封腔体，和现有的基于硅-硅焊料键合、硅-硅熔融键合等全硅键合工艺相比工艺难度低、成品率高；对盖板玻璃片进行减薄至10～50微米及对衬底玻璃片进行减薄至10～50微米，而现有的全硅键合工艺介质层厚度最大不超过3微米，由于越薄的介质层引入的寄生电容越大，因此，本发明引入的寄生电容小，使得MEMS器件输出的信噪比提高。
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公开(公告)号：CN107963609B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201711140014.3
申请日：2017-11-16
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种基于阳极键合的全硅MEMS圆片级真空封装方法，在MEMS圆片级真空封装工艺中采用2次阳极键合实现了盖板、MEMS器件结构、衬底之间的机械和电信号连接，并形成了压力可控的MEMS密封腔体，和现有的基于硅‑硅焊料键合、硅‑硅熔融键合等全硅键合工艺相比工艺难度低、成品率高；对盖板玻璃片进行减薄至10～50微米及对衬底玻璃片进行减薄至10～50微米，而现有的全硅键合工艺介质层厚度最大不超过3微米，由于越薄的介质层引入的寄生电容越大，因此，本发明引入的寄生电容小，使得MEMS器件输出的信噪比提高。
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公开(公告)号：CN108199617A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201711387843.1
申请日：2017-12-20
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于MEMS技术的横向振动能量采集器件。其包括静电采集单元和压电采集单元，两者不是单纯物理上的叠加而是进行了深度耦合。压电能量采集单元为静电能量采集单元提供其工作所必须的初始静电电荷从而使其摆脱了电池的束缚，从而实现了无源化。静电能量采集单元为MEMS可变电容，在振动过程中MEMS可变电容发生交变，同时压电体产生的电荷也发生交变，两者通过合理的电连接和电学通断控制能够更加有效的将压电电荷抽取到MEMS可变电容上，并经过MEMS可变电容升压更加有效的给储能电容充电。本发明还提供了一种基于MEMS技术的横向振动能量采集器件的加工方法。
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公开(公告)号：CN109065498B
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201810778947.3
申请日：2018-07-16
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: H01L21/768 , H01L23/48
Abstract: 一种三维系统封装集成应用的硅转接板制作方法，涉及先进封装技术领域；包括如下步骤：步骤(一)、将第一玻璃片和低阻硅晶圆阳极键合；步骤(二)、获得低阻硅柱；去除低阻硅晶圆下表面的介质层掩膜；步骤(三)、对第二玻璃片和低阻硅晶圆阳极键合；步骤(四)、将第一玻璃片和第二玻璃片减厚；步骤(五)、制备复合金属层并进行图形化刻蚀；步骤(六)、制备电学互连引线窗口和焊点接触窗口；步骤(七)、制备第一布线层和第二布线层；步骤(八)、制备电镀工艺获得微凸点；本发明具有高强度和低应力的特性，实现了多尺寸芯片三维封装及2.5D/3D微系统集成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108328570A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810093882.9
申请日：2018-01-31
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: B81C99/00
Abstract: 本发明公开了一种带有薄膜背腔结构的MEMS芯片裂片方法及支撑工装，所述方法包括以下步骤：1)在晶圆正面进行MEMS芯片加工工艺，完成MEMS芯片正面工艺的制备；2)将晶圆正面与玻璃陪片贴在一起，在晶圆背面进行背腔的刻蚀，刻蚀的同时完成刻蚀槽的制备；3)将刻蚀完成的晶圆与玻璃陪片分离，然后将刻蚀完成的晶圆背面贴在UV膜，将晶圆正面朝下放置在支撑工装上，在UV膜面用球形滚动装置顺着刻蚀槽的方向按压滚动，使芯片沿刻蚀槽分开；4)对完成步骤3)的晶圆上粘贴的UV膜进行扩膜，得到MEMS芯片单元。本发明具有成品率高、成本低、效率高、操作简单的特点。
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公开(公告)号：CN105068190B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201510548810.5
申请日：2015-08-31
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: G02B6/35
Abstract: 本发明公开了一种MEMS光开关，包括驱动模块、折叠梁、支撑梁、微反射镜、输入光纤和输出光纤，其中微反射镜位于支撑梁中间位置，支撑梁的两端设置有驱动模块，驱动模块侧面设置有折叠梁；沿支撑梁方向顺向排布的驱动模块为静电梳齿驱动结构，由可动梳齿和固定梳齿组成，微反射镜为M形，其中间部位形成尖端，通过改变输入光纤与M形微反射镜中间部位尖端的相对位置，使得来自输入光纤的输入光通过微反射镜不同位置处的反射传输至不同的输出光纤。本发明在相同驱动电压的作用下，左右两驱动端产生同向的静电力，其合力为传统单端驱动结构产生的驱动力的两倍，提高了MEMS光开关静电驱动能力，有利于降低驱动电压。
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公开(公告)号：CN108199617B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201711387843.1
申请日：2017-12-20
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于MEMS技术的横向振动能量采集器件。其包括静电采集单元和压电采集单元，两者不是单纯物理上的叠加而是进行了深度耦合。压电能量采集单元为静电能量采集单元提供其工作所必须的初始静电电荷从而使其摆脱了电池的束缚，从而实现了无源化。静电能量采集单元为MEMS可变电容，在振动过程中MEMS可变电容发生交变，同时压电体产生的电荷也发生交变，两者通过合理的电连接和电学通断控制能够更加有效的将压电电荷抽取到MEMS可变电容上，并经过MEMS可变电容升压更加有效的给储能电容充电。本发明还提供了一种基于MEMS技术的横向振动能量采集器件的加工方法。
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公开(公告)号：CN109065498A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810778947.3
申请日：2018-07-16
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: H01L21/768 , H01L23/48
Abstract: 一种三维系统封装集成应用的硅转接板制作方法，涉及先进封装技术领域；包括如下步骤：步骤(一)、将第一玻璃片和低阻硅晶圆阳极键合；步骤(二)、获得低阻硅柱；去除低阻硅晶圆下表面的介质层掩膜；步骤(三)、对第二玻璃片和低阻硅晶圆阳极键合；步骤(四)、将第一玻璃片和第二玻璃片减厚；步骤(五)、制备复合金属层并进行图形化刻蚀；步骤(六)、制备电学互连引线窗口和焊点接触窗口；步骤(七)、制备第一布线层和第二布线层；步骤(八)、制备电镀工艺获得微凸点；本发明具有高强度和低应力的特性，实现了多尺寸芯片三维封装及2.5D/3D微系统集成。
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公开(公告)号：CN105068190A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510548810.5
申请日：2015-08-31
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: G02B6/35
CPC classification number: G02B6/3518 , G02B6/3584
Abstract: 本发明公开了一种MEMS光开关，包括驱动模块、折叠梁、支撑梁、微反射镜、输入光纤和输出光纤，其中微反射镜位于支撑梁中间位置，支撑梁的两端设置有驱动模块，驱动模块侧面设置有折叠梁；沿支撑梁方向顺向排布的驱动模块为静电梳齿驱动结构，由可动梳齿和固定梳齿组成，微反射镜为M形，其中间部位形成尖端，通过改变输入光纤与M形微反射镜中间部位尖端的相对位置，使得来自输入光纤的输入光通过微反射镜不同位置处的反射传输至不同的输出光纤。本发明在相同驱动电压的作用下，左右两驱动端产生同向的静电力，其合力为传统单端驱动结构产生的驱动力的两倍，提高了MEMS光开关静电驱动能力，有利于降低驱动电压。
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