公开(公告)号：CN108100991A

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201711220668.7

申请日：2017-11-29

Applicant: 北京航天控制仪器研究所

Inventor： 马高印 ,  邢朝洋 ,  梅崴 ,  刘福民 ,  庄海涵 ,  张树伟

IPC: B81C99/00

Abstract: 本发明提供了一种MEMS空气流量计晶圆上芯片质量检测方法、装置及系统，涉及芯片设计领域。所述芯片质量检测方法，包括：发送测试控制指令以使电阻测试装置对待测晶圆上的一个芯片进行扫描测试；获取并存储扫描测试信息，所述扫描测试信息包括所述芯片上各电阻的电阻值；根据所述扫描测试信息与预设电阻范围进行比对，判断所述芯片质量是否合格；发送移动控制指令以使所述待测晶圆按预设路径运动，从而对所述待测晶圆上的下一个芯片进行扫描测试并根据扫描信息判断所述下一个芯片是否合格。本发明可全自动完成整个晶圆上所有芯片的连续测试，极大地提高了测试效率。

公开(公告)号：CN104677382B

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201510082123.9

申请日：2015-02-15

Applicant: 北京航天控制仪器研究所

Inventor： 马高印 ,  严小军 ,  王雪 ,  邓忠武 ,  徐超

IPC: G01C25/00

Abstract: 一种三浮惯性仪表有源磁悬浮自动湿对中标定方法，对每路惠斯顿检测电桥的第一磁悬浮元件施加加力信号，拖曳三浮惯性仪表浮子运动到正向极限位置，同时通过数字控制器获得对应的数字电压值，记为Umaxoi；对每路惠斯顿检测电桥的第二磁悬浮元件施加加力信号，拖曳三浮惯性仪表浮子运动到负向极限位置，同时通过数字控制器获得对应的数字电压值，记为Uminoi；i＝1至N；计算浮子处于机械零位时每路惠斯顿检测电桥对应的电气零偏Uobi，Uobi＝(Umaxoi+Uminoi)/2；i＝1至N；将获得的电气零偏作为浮子磁悬浮位置控制的参考电压，实现浮子的定中控制。本发明能够快速、自动实现仪表浮子处于机械零位时电气零位偏差的标定，容错性好，误差小，可配合死区、刚度等参数灵活调整。

公开(公告)号：CN103675350B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201310692808.6

申请日：2013-12-17

Applicant: 北京航天控制仪器研究所

Inventor： 马高印 ,  韩丰田 ,  张龙 ,  游鹏程 ,  严小军

IPC: G01P15/125

Abstract: 一种硅微静电悬浮加速度计，涉及MEMS微惯性器件及仪表。它包括测控系统、金属基座和表头；所述测控系统由垂直堆栈的四层电路组成；所述四层电路依次包括数字控制板、模数数模接口板、主体检测板和前置检测板；所述表头焊接于前置检测板上；金属基座上有安装孔和安装凸台；所述数字控制板、模数数模接口板和主体检测板依次连接并固定于金属基座的安装孔上；前置检测板固定于金属基座的安装凸台上。本发明分辨率高、安装误差的稳定性好，具有局部温控功能而且结构紧凑。

公开(公告)号：CN103675350A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310692808.6

申请日：2013-12-17

Applicant: 北京航天控制仪器研究所

Inventor： 马高印 ,  韩丰田 ,  张龙 ,  游鹏程 ,  严小军

IPC: G01P15/125

Abstract: 一种硅微静电悬浮加速度计，涉及MEMS微惯性器件及仪表。它包括测控系统、金属基座和表头；所述测控系统由垂直堆栈的四层电路组成；所述四层电路依次包括数字控制板、模数数模接口板、主体检测板和前置检测板；所述表头焊接于前置检测板上；金属基座上有安装孔和安装凸台；所述数字控制板、模数数模接口板和主体检测板依次连接并固定于金属基座的安装孔上；前置检测板固定于金属基座的安装凸台上。本发明分辨率高、安装误差的稳定性好，具有局部温控功能而且结构紧凑。

公开(公告)号：CN108328570A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201810093882.9

申请日：2018-01-31

Applicant: 北京航天控制仪器研究所

Inventor： 刘福民 ,  张树伟 ,  邱飞燕 ,  马高印 ,  孙鹏 ,  梅崴 ,  梁德春 ,  庄海涵

IPC: B81C99/00

Abstract: 本发明公开了一种带有薄膜背腔结构的MEMS芯片裂片方法及支撑工装，所述方法包括以下步骤：1)在晶圆正面进行MEMS芯片加工工艺，完成MEMS芯片正面工艺的制备；2)将晶圆正面与玻璃陪片贴在一起，在晶圆背面进行背腔的刻蚀，刻蚀的同时完成刻蚀槽的制备；3)将刻蚀完成的晶圆与玻璃陪片分离，然后将刻蚀完成的晶圆背面贴在UV膜，将晶圆正面朝下放置在支撑工装上，在UV膜面用球形滚动装置顺着刻蚀槽的方向按压滚动，使芯片沿刻蚀槽分开；4)对完成步骤3)的晶圆上粘贴的UV膜进行扩膜，得到MEMS芯片单元。本发明具有成品率高、成本低、效率高、操作简单的特点。

公开(公告)号：CN104677382A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201510082123.9

申请日：2015-02-15

Applicant: 北京航天控制仪器研究所

Inventor： 马高印 ,  严小军 ,  王雪 ,  邓忠武 ,  徐超

IPC: G01C25/00

CPC classification number: G01C25/005

Abstract: 一种三浮惯性仪表有源磁悬浮自动湿对中标定方法，对每路惠斯顿检测电桥的第一磁悬浮元件施加加力信号，拖曳三浮惯性仪表浮子运动到正向极限位置，同时通过数字控制器获得对应的数字电压值，记为Umaxoi；对每路惠斯顿检测电桥的第二磁悬浮元件施加加力信号，拖曳三浮惯性仪表浮子运动到负向极限位置，同时通过数字控制器获得对应的数字电压值，记为Uminoi；i＝1至N；计算浮子处于机械零位时每路惠斯顿检测电桥对应的电气零偏Uobi，Uobi＝(Umaxoi+Uminoi)/2；i＝1至N；将获得的电气零偏作为浮子磁悬浮位置控制的参考电压，实现浮子的定中控制。本发明能够快速、自动实现仪表浮子处于机械零位时电气零位偏差的标定，容错性好，误差小，可配合死区、刚度等参数灵活调整。