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公开(公告)号：CN101432876A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200780015010.0
申请日：2007-04-24
Applicant: 住友电木株式会社
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L23/16 , H01L23/3128 , H01L23/562 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/105 , H01L25/18 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/0652 , H01L2225/06541 , H01L2225/06551 , H01L2225/06572 , H01L2225/06582 , H01L2225/06586 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2225/107 , H01L2924/00014 , H01L2924/01012 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01087 , H01L2924/07802 , H01L2924/07811 , H01L2924/09701 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 半导体器件(100)包含其表面上装有第一半导体芯片(125)的第一树脂基板(101)；其表面上装有第二半导体芯片(131)的第二树脂基板(111)；和与第一树脂基板(101)的正面和与第二树脂基板(111)的背面接合使这些表面电连接的树脂基材(109)。在第一树脂基板(101)表面中的第一树脂基板(101)周围安置树脂基材(109)。此外，在第一树脂基板(101)表面上，在位于第一树脂基板(101)、第二树脂基板(111)和树脂基材(109)之间的空间中安置第一半导体芯片(125)。
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公开(公告)号：CN101427382A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200780014509.X
申请日：2007-05-30
Applicant: 住友电木株式会社
IPC: H01L31/02 , C08F299/00 , H01L23/02 , H01L23/10
CPC classification number: H01L27/14618 , H01L27/14632 , H01L27/14687 , H01L2224/48091 , H01L2924/16235 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供受光装置1的制造方法，其包括以下步骤：在透明基板13上设置包含光固化树脂的树脂层14，其中多个透明基板部分13A结合成一整体；对至少树脂层14进行选择性光照，然后进行显影，使所述树脂层14保留在透明基板13包围面向透明基板部分13A的受光部分11的区域；将所述透明基板13分割成透明基板部分13A单元，由此获得多个透明基板部分13A；将基底12分割成基底部分12A单元，由此获得多个基底部分12A；通过树脂层14将基底部分12A和透明基板部分13A接合。
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公开(公告)号：CN103094133A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201310018374.1
申请日：2009-06-03
Applicant: 住友电木株式会社
CPC classification number: H01L23/5389 , H01L21/56 , H01L23/3121 , H01L23/3135 , H01L23/562 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/29366 , H01L2224/29386 , H01L2224/8385 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/0101 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01059 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/014 , H01L2924/04953 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/1301 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/3511 , H05K1/0271 , H05K3/284 , H05K3/305 , H05K2201/068 , H05K2201/10674 , H05K2203/1322 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/05341 , H01L2924/05442 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299
Abstract: 搭载半导体元件的基板（10），具有：芯基板（1）、搭载于芯基板（1）的一个面的半导体元件（2）、粘接芯基板（1）和半导体元件（2）的粘接膜（3）、嵌入半导体元件（2）的第一层（4）、设置于芯基板（1）的第一层（4）相反侧的与第一层（4）的材料及组成比率相同的第二层（5）、设置于第一层（4）和第二层（5）的至少一层的表层（6），并且粘接膜（3）25℃时的储能模量是5～1000MPa，表层（6）在玻璃化转变点Tga℃以下按照JISC6481进行检测的面方向上的热膨胀系数是40ppm/℃以下，该玻璃化转变点Tga℃是在20℃以上且按照JIS C6481进行检测的表层的玻璃化转变点Tga℃。
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公开(公告)号：CN102027584B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200980117653.5
申请日：2009-05-13
Applicant: 住友电木株式会社
CPC classification number: H01L23/49816 , C09J163/00 , H01L21/563 , H01L21/6836 , H01L23/3114 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/81 , H01L24/94 , H01L2221/68336 , H01L2224/02319 , H01L2224/0401 , H01L2224/0558 , H01L2224/05644 , H01L2224/1134 , H01L2224/13022 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16 , H01L2224/274 , H01L2224/27416 , H01L2224/29 , H01L2224/29101 , H01L2224/29111 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29386 , H01L2224/29388 , H01L2224/73203 , H01L2224/81193 , H01L2224/81208 , H01L2224/81801 , H01L2224/8191 , H01L2224/83101 , H01L2224/83102 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83855 , H01L2224/8388 , H01L2224/92125 , H01L2224/94 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01021 , H01L2924/01022 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01056 , H01L2924/01059 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/1579 , H05K3/0052 , H05K2201/10378 , H05K2201/10674 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/05341 , H01L2924/05432 , H01L2924/05442 , H01L2924/05032 , H01L2924/05042 , H01L2924/0503 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299
Abstract: 本发明的制造半导体组件的方法包括：获得具有形成于其功能表面上的突起电极的半导体晶片，和在一个表面具有焊料凸块且在其另一个表面具有电极垫的电路板；将所述半导体晶片与电路板结合，同时在所述半导体晶片和电路板之间提供具有焊剂活性的树脂层，并且使所述突起电极接触所述焊料凸块，同时穿透所述具有焊剂活性的树脂层，从而获得结合结构；向所述结合结构的电极垫涂覆焊料；和切割所述结合结构以获得多个半导体组件。
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公开(公告)号：CN102057484B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN200980121341.1
申请日：2009-06-03
Applicant: 住友电木株式会社
CPC classification number: H01L23/5389 , H01L21/56 , H01L23/3121 , H01L23/3135 , H01L23/562 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/29366 , H01L2224/29386 , H01L2224/8385 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/0101 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01059 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/014 , H01L2924/04953 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/1301 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/3511 , H05K1/0271 , H05K3/284 , H05K3/305 , H05K2201/068 , H05K2201/10674 , H05K2203/1322 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/05341 , H01L2924/05442 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299
Abstract: 搭载半导体元件的基板(10)，具有：芯基板(1)、搭载于芯基板(1)的一个面的半导体元件(2)、粘接芯基板(1)和半导体元件(2)的粘接膜(3)、嵌入半导体元件(2)的第一层(4)、设置于芯基板(1)的第一层(4)相反侧的与第一层(4)的材料及组成比率相同的第二层(5)、设置于第一层(4)和第二层(5)的至少一层的表层(6)，并且粘接膜(3)25℃时的储能模量是5～1000MPa，表层(6)在玻璃化转变点Tga℃以下按照JISC 6481进行检测的面方向上的热膨胀系数是40ppm/℃以下，该玻璃化转变点Tga℃是在20℃以上且按照JIS C 6481进行检测的表层的玻璃化转变点Tga℃。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101743638B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200880024476.1
申请日：2008-02-19
Applicant: 住友电木株式会社
CPC classification number: H01L27/14618 , H01L27/14683 , H01L31/0203 , H01L2224/48091 , H01L2924/01004 , H01L2924/01012 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01077 , H01L2924/10253 , H01L2924/16195 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种光接收装置1，包括：支撑衬底12，上面设置有光检测器11，所述光检测器包括光检测部分111和基板112，所述光检测部分111设置在所述基板上；透明衬底13，设置为与所述支撑衬底12的上面设置有所述光检测器11的一面相对。在所述支撑衬底12与所述透明衬底13之间，将框架部分14设置为包围所述光检测器11。所述框架部分14是光固化的粘合剂，与所述透明衬底13和所述支撑衬底12直接粘合。这种结构使光接收装置能够表现出期望的性能，还提供了一种制造这种光接收装置的方法。
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公开(公告)号：CN101427382B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200780014509.X
申请日：2007-05-30
Applicant: 住友电木株式会社
IPC: H01L31/02 , C08F299/00 , H01L23/02 , H01L23/10
CPC classification number: H01L27/14618 , H01L27/14632 , H01L27/14687 , H01L2224/48091 , H01L2924/16235 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供受光装置1的制造方法，其包括以下步骤：在透明基板13上设置包含光固化树脂的树脂层14，其中多个透明基板部分13A结合成一整体；对至少树脂层14进行选择性光照，然后进行显影，使所述树脂层14保留在透明基板13包围面向透明基板部分13A的受光部分11的区域；将所述透明基板13分割成透明基板部分13A单元，由此获得多个透明基板部分13A；将基底12分割成基底部分12A单元，由此获得多个基底部分12A；通过树脂层14将基底部分12A和透明基板部分13A接合。
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公开(公告)号：CN101743638A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200880024476.1
申请日：2008-02-19
Applicant: 住友电木株式会社
CPC classification number: H01L27/14618 , H01L27/14683 , H01L31/0203 , H01L2224/48091 , H01L2924/01004 , H01L2924/01012 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01077 , H01L2924/10253 , H01L2924/16195 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种光接收装置1，包括：支撑衬底12，上面设置有光检测器11，所述光检测器包括光检测部分111和基板112，所述光检测部分111设置在所述基板上；透明衬底13，设置为与所述支撑衬底12的上面设置有所述光检测器11的一面相对。在所述支撑衬底12与所述透明衬底13之间，将框架部分14设置为包围所述光检测器11。所述框架部分14是光固化的粘合剂，与所述透明衬底13和所述支撑衬底12直接粘合。这种结构使光接收装置能够表现出期望的性能，还提供了一种制造这种光接收装置的方法。
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公开(公告)号：CN101822132B
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN200880111487.3
申请日：2008-10-15
Applicant: 住友电木株式会社
CPC classification number: H01L23/3735 , H01L23/49833 , H01L23/5389 , H01L2924/0002 , H05K1/0271 , H05K3/284 , H05K2203/1322 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种搭载半导体元件的基板(10)，其特征在于，具有：芯基板(1)；在芯基板(1)的一个面上搭载的半导体元件(2)；包埋半导体元件(2)的第一层(3)；在芯基板(1)的与第一层(3)相反的侧上设置的第二层(4)，第二层(4)的材料及组成比例与第一层(3)的材料及组成比例相同；在第一层(3)上以及第二层(4)上设置的至少一层的表层(5)，表层(5)比第一层(3)以及第二层(4)硬。将表层(5)在25℃时的杨氏模量设为X[GPa]，将第一层(3)在25℃时的杨氏模量设为Y[GPa]时，优选满足0.5≤X-Y≤13的关系。
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公开(公告)号：CN101395708B
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200780007229.6
申请日：2007-04-20
Applicant: 住友电木株式会社
CPC classification number: H01L21/563 , H01L21/6835 , H01L23/293 , H01L24/16 , H01L2221/68345 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01087 , H01L2924/01322 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/30105 , H01L2924/00 , H01L2224/0401
Abstract: 半导体装置1包括基板3、安装在基板3上的半导体芯片4、连接基板3和半导体芯片4的凸块5和填充凸块5周围的底填料6。当凸块5是熔点为230℃或以上的高熔点焊料时，底填料6是弹性模量为30MPa～3000MPa的树脂材料。当凸块5是无铅焊料时，底填料6是弹性模量为150MPa～800MPa的树脂材料。在25℃～玻璃转化温度之间，装配层31的绝缘层311在基板面内方向的线性膨胀系数为35ppm/℃或以下。
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