公开(公告)号：CN112166506B

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN201980032573.3

申请日：2019-03-27

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 大仓康嗣

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L21/60 ,  H01L23/40 ,  H01L23/48 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 在半导体装置中，第1金属层(22)形成在半导体衬底(21)的一面上。第1保护膜(23)在第1金属层上具有开口部(23a)，以将第1金属层的端部覆盖的方式形成。在开口部(23a)中，在第1金属层上形成有第2金属层(24)，在第2金属层上形成有防氧化层(25)。第2保护膜(26)具有开口部(26a)，以将防氧化层的端部及第1保护膜覆盖的方式形成。并且，与防氧化层相比对第2保护膜的密接性高的密接部(27)与第2保护膜中的开口周缘部(26c)的下表面的一部分密接。

公开(公告)号：CN115777142A

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN202180048318.5

申请日：2021-06-25

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 大泽青吾 ,  犬塚仁浩 ,  中野贵博 ,  大仓康嗣

IPC: H01L23/12

Abstract: 一种扇出型封装构造的半导体装置，具备：半导体元件(11)，在表面(11a)具有第1电极焊盘(111)和第2电极焊盘(112)；封固件(12)，由绝缘性的树脂材料构成，覆盖半导体元件中的将上述表面和背面(11b)相连的侧面(11c)；以及再布线层(13)，覆盖半导体元件的表面及封固件的一部分。再布线层具有：绝缘层(131)，由绝缘性的树脂材料构成；第1再布线(132)，至少一部分配置在半导体元件的侧面与封固件的边界之上；以及第2再布线(133)，与第2电极焊盘电连接，并且至少一部分跨第1再布线而延伸设置至半导体元件的外轮廓的外侧，与第1再布线在电气上独立。

公开(公告)号：CN112166506A

公开(公告)日：2021-01-01

申请号：CN201980032573.3

申请日：2019-03-27

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 大仓康嗣

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L21/60 ,  H01L23/40 ,  H01L23/48 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 在半导体装置中，第1金属层(22)形成在半导体衬底(21)的一面上。第1保护膜(23)在第1金属层上具有开口部(23a)，以将第1金属层的端部覆盖的方式形成。在开口部(23a)中，在第1金属层上形成有第2金属层(24)，在第2金属层上形成有防氧化层(25)。第2保护膜(26)具有开口部(26a)，以将防氧化层的端部及第1保护膜覆盖的方式形成。并且，与防氧化层相比对第2保护膜的密接性高的密接部(27)与第2保护膜中的开口周缘部(26c)的下表面的一部分密接。

公开(公告)号：CN1400657A

公开(公告)日：2003-03-05

申请号：CN02127066.X

申请日：2002-07-26

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 平野尚彦 ,  手嶋孝纪 ,  中濑好美 ,  八木贤次 ,  大仓康嗣 ,  真光邦明 ,  野村和仁 ,  福田丰 ,  铃木干昌 ,  则武千景

IPC: H01L23/36 ,  H01L21/301 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L24/33 ,  H01L21/565 ,  H01L23/367 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/4334 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01088 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15724 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18301 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一种半导体器件，包括在工作中产生热的半导体芯片，用于冷却该芯片的一对散热器和其中埋置该芯片和该散热器的铸模树脂。芯片的厚度t1和用焊料连接到芯片的散热器之一的厚度t2满足式t2/t1≥5。此外，散热器的热膨胀系数α1和铸模树脂的热膨胀系数α2满足式0.5≤α2/α1≤1.5。另外，面对焊料的芯片表面具有满足式Ra≤500nm的粗糙度Ra。此外，焊料是锡－基焊料以抑制芯片中压应力松弛，压应力松弛是由焊料的蠕变引起的。

公开(公告)号：CN109314139B

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN201780032407.4

申请日：2017-09-15

Applicant: 富士电机株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 宫田大嗣 ,  野口晴司 ,  吉田崇一 ,  田边広光 ,  河野宪司 ,  大仓康嗣

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/322 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L29/41 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 对插塞电极(12)进行凹蚀而使其仅残留在接触孔(8a)的内部，并且使层间绝缘膜(8)的上表面(8e)上的阻挡金属(9)露出。然后，对阻挡金属(9)进行凹蚀，使层间绝缘膜(8)的上表面(8e)露出。然后，形成其余的元件结构，并利用氦或电子束照射控制寿命，之后进行氢退火。在该氢退火时，由于在覆盖栅电极(4)的层间绝缘膜(8)的上表面(8e)不存在阻挡金属(9)，所以能够使氢原子到达台面部。由此，因氦或电子束的照射而产生于台面部的晶格缺陷恢复，栅极阈值电压恢复。由此，即使在对于具备插塞电极隔着阻挡金属埋入接触孔的结构的半导体装置进行了寿命控制的情况下也能稳定且容易地得到该半导体装置的预定特性。

公开(公告)号：CN104769708B

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201380057853.2

申请日：2013-10-21

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 大仓康嗣

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L22/32 ,  G01R31/2621 ,  H01L22/14 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/7397 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体装置具备：并列设置了多个栅极电极(26)的半导体基板(12)，形成于所述半导体基板(12)上的多个栅极布线(38)，多个栅极焊盘(36)，第1焊盘(32)以及第2焊盘(40)。相邻的所述栅极电极(26)规定多个单元(42)，所述多个单元(42)包含多个晶体管单元(44)。所述多个栅极电极(26)由所述多个栅极布线(38)区分成多个种类。所述多个晶体管单元(44)由规定的所述栅极电极(26)的组合被区分成多个种类。

公开(公告)号：CN1267990C

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN02127066.X

申请日：2002-07-26

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 平野尚彦 ,  手孝纪 ,  中濑好美 ,  八木贤次 ,  大仓康嗣 ,  真光邦明 ,  野村和仁 ,  福田丰 ,  铃木干昌 ,  则武千景

IPC: H01L23/36 ,  H01L21/301 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L24/33 ,  H01L21/565 ,  H01L23/367 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/4334 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01088 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15724 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18301 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一种半导体器件，包括在工作中产生热的半导体芯片，用于冷却该芯片的一对散热器和其中埋置该芯片和该散热器的铸模树脂。芯片的厚度t1和用焊料连接到芯片的散热器之一的厚度t2满足式t2/t1≥5。此外，散热器的热膨胀系数α1和铸模树脂的热膨胀系数α2满足式0.5≤α2/α1≤1.5。另外，面对焊料的芯片表面具有满足式Ra≤500nm的粗糙度Ra。此外，焊料是锡-基焊料以抑制芯片中压应力松弛，压应力松弛是由焊料的蠕变引起的。

公开(公告)号：CN115989580A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202180052928.2

申请日：2021-08-06

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 犬塚仁浩 ,  中野贵博 ,  竹中正幸 ,  水野直仁 ,  大泽青吾 ,  大仓康嗣

IPC: H01L23/29

Abstract: 元件封装(40)具备半导体元件(41)、再布线层(42)以及密封树脂体(45)。半导体元件(41)具备：半导体衬底(410)，具有元件区域(412)及划线区域(413)；源极电极及焊盘，形成在半导体衬底的一面(410a)；以及保护膜(411)，配置在一面中的元件区域上。密封树脂体包含以具有不超过保护膜的上表面的缘部(411d)的高度的方式配置在划线区域(413)的一面上的密封树脂体(45S)。再布线层配置在保护膜到划线区域上的密封树脂体的范围中。

公开(公告)号：CN115699296A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202180040056.8

申请日：2021-05-21

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 大泽青吾 ,  大仓康嗣

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/29 ,  H01L23/36 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 半导体装置，具备：半导体元件(11)，在表面(11a)具有第1电极焊盘(111)以及多个第2电极焊盘(112)，在将表面和背面(11b)相连的方向上产生电流；密封件(12)，由绝缘性的树脂材料构成，将半导体元件的表面的一部分以及侧面(11c)覆盖；以及延伸设置布线(152)，在半导体元件之上配置在密封件的内部或密封件之上，与第2电极焊盘电连接并且从半导体元件的外轮廓的内侧延伸设置至外侧。

公开(公告)号：CN115428145A

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN202180028696.7

申请日：2021-03-19

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 中野贵博 ,  大泽青吾 ,  大仓康嗣 ,  水野直仁 ,  犬塚仁浩

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/34 ,  H01L23/12 ,  H01L23/48 ,  H01L25/18

Abstract: 半导体装置具备半导体元件(11)、与半导体元件的背面(11b)侧接合的导电体(10)和将半导体元件的侧面(11c)及导电体的一部分覆盖的密封件(12)。半导体装置具备再布线层(15)，该再布线层具有将半导体元件的表面(11a)及密封件的一部分覆盖的绝缘层(151)、与半导体元件连接的第1电极(13)及第2电极(14)、将第1电极中的从绝缘层露出的部分覆盖的导电性的第1外部露出层(152)、和将第2电极中的从绝缘层露出的部分覆盖的导电性的第2外部露出层(153)。第2电极的与半导体元件相反的一侧的端部延伸设置到再布线层中的半导体元件的外轮廓外侧的位置。第2外部露出层将第2电极中的位于半导体元件的外轮廓外侧的一部分区域覆盖。导电体的与半导体元件的背面接合的上表面(10a)的相反侧的下表面(10b)从密封件露出。