-
公开(公告)号：CN107251205A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201680012544.7
申请日：2016-06-10
IPC: H01L21/336 , H01L21/322 , H01L21/329 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 本发明提供半导体装置和半导体装置的制造方法，在成为n－型漂移层(1)的n－型半导体基板的正面形成FS结构的RC‑IGBT的正面元件结构。接着，在n－型半导体基板的背面形成p+型集电区(10)、n+型阴极区(11)和n+型FS层(12)。n+型FS层(12)使用硒而形成。接着，从n－型半导体基板的背面照射轻离子，并且在n－型漂移层(1)的内部形成第一低寿命区域(31)。接着，从n－型半导体基板的背面照射轻离子，并且在n+型FS层(12)的内部形成第二低寿命区域(32)。接着，利用退火处理，降低n+型FS层(12)内部的结晶缺陷的缺陷密度。由此，能够抑制漏电流的增加、降低电损耗，并且提高合格率。
-
公开(公告)号：CN109314139A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201780032407.4
申请日：2017-09-15
IPC: H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/322 , H01L21/329 , H01L21/336 , H01L29/41 , H01L29/739 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 对插塞电极(12)进行凹蚀而使其仅残留在接触孔(8a)的内部，并且使层间绝缘膜(8)的上表面(8e)上的阻挡金属(9)露出。然后，对阻挡金属(9)进行凹蚀，使层间绝缘膜(8)的上表面(8e)露出。然后，形成其余的元件结构，并利用氦或电子束照射控制寿命，之后进行氢退火。在该氢退火时，由于在覆盖栅电极(4)的层间绝缘膜(8)的上表面(8e)不存在阻挡金属(9)，所以能够使氢原子到达台面部。由此，因氦或电子束的照射而产生于台面部的晶格缺陷恢复，栅极阈值电压恢复。由此，即使在对于具备插塞电极隔着阻挡金属埋入接触孔的结构的半导体装置进行了寿命控制的情况下也能稳定且容易地得到该半导体装置的预定特性。
-
公开(公告)号：CN107251205B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201680012544.7
申请日：2016-06-10
IPC: H01L21/336 , H01L21/322 , H01L21/329 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 本发明提供半导体装置和半导体装置的制造方法，在成为n－型漂移层(1)的n－型半导体基板的正面形成FS结构的RC‑IGBT的正面元件结构。接着，在n－型半导体基板的背面形成p+型集电区(10)、n+型阴极区(11)和n+型FS层(12)。n+型FS层(12)使用硒而形成。接着，从n－型半导体基板的背面照射轻离子，并且在n－型漂移层(1)的内部形成第一低寿命区域(31)。接着，从n－型半导体基板的背面照射轻离子，并且在n+型FS层(12)的内部形成第二低寿命区域(32)。接着，利用退火处理，降低n+型FS层(12)内部的结晶缺陷的缺陷密度。由此，能够抑制漏电流的增加、降低电损耗，并且提高合格率。
-
公开(公告)号：CN109314139B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN201780032407.4
申请日：2017-09-15
IPC: H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/322 , H01L21/329 , H01L21/336 , H01L29/41 , H01L29/739 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 对插塞电极(12)进行凹蚀而使其仅残留在接触孔(8a)的内部，并且使层间绝缘膜(8)的上表面(8e)上的阻挡金属(9)露出。然后，对阻挡金属(9)进行凹蚀，使层间绝缘膜(8)的上表面(8e)露出。然后，形成其余的元件结构，并利用氦或电子束照射控制寿命，之后进行氢退火。在该氢退火时，由于在覆盖栅电极(4)的层间绝缘膜(8)的上表面(8e)不存在阻挡金属(9)，所以能够使氢原子到达台面部。由此，因氦或电子束的照射而产生于台面部的晶格缺陷恢复，栅极阈值电压恢复。由此，即使在对于具备插塞电极隔着阻挡金属埋入接触孔的结构的半导体装置进行了寿命控制的情况下也能稳定且容易地得到该半导体装置的预定特性。
-
公开(公告)号：CN116349006A9
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202180072875.0
申请日：2021-12-08
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L21/8234
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，具备晶体管部，所述半导体装置具备：第一导电型的漂移区，其设置于半导体基板；多个沟槽部，其从半导体基板的正面延伸至漂移区；第一导电型的发射区，其设置为在半导体基板的正面，从多个沟槽部中的沟槽部延伸至相邻的沟槽部，并且掺杂浓度高于漂移区的掺杂浓度；以及第二导电型的沟槽底部，其设置于沟槽部的下端，晶体管部在俯视时具有不设置沟槽底部的电子通过区。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115443542A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202180030559.7
申请日：2021-06-09
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/322 , H01L21/329 , H01L21/265 , H01L29/06 , H01L29/739 , H01L21/336 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，其具备如下注入工序：从半导体基板的注入面向第一注入位置注入第一导电型的第一掺杂剂，在注入第一掺杂剂后，从半导体基板的注入面向距注入面的距离比第一注入位置距注入面的距离更大的第二注入位置注入第一导电型的第二掺杂剂。第一注入位置和第二注入位置可以配置在缓冲区。
-
公开(公告)号：CN111886682A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201980021045.8
申请日：2019-10-11
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/739 , H01L29/78
Abstract: 提供一种半导体装置，在深度方向上，氢浓度分布具有第一氢浓度峰和第二氢浓度峰，施主浓度分布具有第一施主浓度峰和第二施主浓度峰，第一氢浓度峰和第一施主浓度峰配置于第一深度，第二氢浓度峰和第二施主浓度峰配置于第二深度，该第二深度以下表面为基准时比第一深度深，各浓度峰具有浓度值随着从下表面朝向上表面而增大的上行斜坡，用第二氢浓度峰的上行斜坡的斜率将第二施主浓度峰的上行斜坡的斜率归一化而得的值小于用第一氢浓度峰的上行斜坡的斜率将第一施主浓度峰的上行斜坡的斜率归一化而得的值。
-
公开(公告)号：CN116888741A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202280016726.7
申请日：2022-08-25
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种绝缘栅双极型晶体管，该绝缘栅双极型晶体管具备：基区，其设置于发射区与漂移区之间；蓄积区，其设置于基区与漂移区之间，并且掺杂浓度比漂移区的掺杂浓度高；栅极沟槽部，其从半导体基板的上表面设置到比蓄积区更靠下方的位置为止；以及下端区域，其与栅极沟槽部的下端接触而设置，蓄积区具有掺杂浓度在深度方向上呈现最大值的第一浓度峰，第一浓度峰与下端区域之间在深度方向上的距离比第一浓度峰与基区之间在所述深度方向上的距离小。
-
公开(公告)号：CN116349006A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202180072875.0
申请日：2021-12-08
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L21/8234
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，具备晶体管部，所述半导体装置具备：第一导电型的漂移区，其设置于半导体基板；多个沟槽部，其从半导体基板的正面延伸至漂移区；第一导电型的发射区，其设置为在半导体基板的正面，从多个沟槽部中的沟槽部延伸至相邻的沟槽部，并且掺杂浓度高于漂移区的掺杂浓度；以及第二导电型的沟槽底部，其设置于沟槽部的下端，晶体管部在俯视时具有不设置沟槽底部的电子通过区。
-
公开(公告)号：CN116348995A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202280007098.6
申请日：2022-05-18
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种半导体装置(100)，其具备：第一导电型的发射区(12)，其与栅极沟槽部(40)接触；第二导电型的接触区(15)，其在栅极沟槽部的长度方向上与发射区交替地配置；第一沟槽接触部(54‑1)，其设置到接触区的内部；第二沟槽接触部(54‑2)，其设置到发射区的内部；第二导电型的第一插塞部(201)，其被设置为与第一沟槽接触部的下端接触，且浓度比基区的浓度高；以及第二导电型的第二插塞部(202)，其被设置为与第二沟槽接触部的下端接触，并设置到比第一插塞部更靠下表面侧的位置，且浓度比基区的浓度高。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
38
records
(took 0.029 seconds)
