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公开(公告)号：CN115777142A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202180048318.5
申请日：2021-06-25
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L23/12
Abstract: 一种扇出型封装构造的半导体装置，具备：半导体元件(11)，在表面(11a)具有第1电极焊盘(111)和第2电极焊盘(112)；封固件(12)，由绝缘性的树脂材料构成，覆盖半导体元件中的将上述表面和背面(11b)相连的侧面(11c)；以及再布线层(13)，覆盖半导体元件的表面及封固件的一部分。再布线层具有：绝缘层(131)，由绝缘性的树脂材料构成；第1再布线(132)，至少一部分配置在半导体元件的侧面与封固件的边界之上；以及第2再布线(133)，与第2电极焊盘电连接，并且至少一部分跨第1再布线而延伸设置至半导体元件的外轮廓的外侧，与第1再布线在电气上独立。
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公开(公告)号：CN107112241B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201580070212.X
申请日：2015-12-08
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L21/338 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/786 , H01L29/812
Abstract: 半导体装置具备横式开关器件，该横式开关器件具有基板(1)、在基板上具有由GaN层(3)和AlGaN层(4)形成的异质结构造且形成有凹部(5)的沟道形成层、构成为具有形成在凹部内的栅极绝缘膜(6)和栅极电极(7)的栅极构造部、以及在沟道形成层上配置在夹着栅极构造部的两侧的源极电极(8)和漏极电极(9)，在GaN层与AlGaN层的界面中的GaN层侧引起二维电子气载流子，并且在对栅极电极施加了电压时在凹部的底部中的GaN层的表面部形成沟道，从而在源极电极与漏极电极之间流过电流。AlGaN层具有：第一AlGaN层(4a)，被设定为二维电子气浓度被确定的Al混晶比；以及第二AlGaN层(4b)，Al混晶比小于第一AlGaN层的Al混晶比，从而引起负的固定电荷，设置成与栅极构造部接触且与源极电极和漏极电极分离。
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公开(公告)号：CN104937720B
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201380070729.X
申请日：2013-12-23
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/1095 , H01L29/0634 , H01L29/086 , H01L29/41766 , H01L29/4238 , H01L29/6634 , H01L29/66348 , H01L29/66712 , H01L29/66734 , H01L29/7397 , H01L29/78 , H01L29/7802 , H01L29/7813
Abstract: 在半导体装置中，形成：第1导电型的第1半导体区域(15a)，与接触用沟槽(16)中的开口部侧的侧面接触，与第2半导体层(15)相比为高杂质浓度；第2导电型的第2半导体区域(11a)，与接触用沟槽(16)的底面及底面侧的侧面接触，与第1半导体层(11)相比为高杂质浓度。并且，将与第1半导体区域(15a)及第2半导体区域(11a)电连接的第1电极(18)配置到接触用沟槽(16)。即使通过使接触用沟槽的宽度变短而进行微细化，也能够抑制半导体装置在从开启状态变化为截止状态时被破坏。
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公开(公告)号：CN113632214B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202080021722.9
申请日：2020-03-12
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 经由接合件而与引线框电连接。一种半导体模组，具备：第1散热部件(1、7)；半导体装置(2)，具备半导体元件(20)、将其周围覆盖的封固件(21)、以及再布线层(24)，搭载在第1散热部件上，上述再布线层具备与半导体元件电连接的第1布线(26)及第2布线(27)，形成在半导体元件及封固件之上；第2散热部件(3、7)，配置在半导体装置上；引线框(4)，经由接合件第1散热部件的一部分、半导体装置、以及第2散热部件的一部分覆盖。半导体装置的一部分从第(5)而与半导体装置电连接；以及封固件(6)，将(56)对比文件US 2005133896 A1,2005.06.23JP 2011091259 A,2011.05.06JP 2012243890 A,2012.12.10王辉;王德宏.半导体激光器焊接的热分析.微纳电子技术.2008,(07),全文.阳英;柴广跃;段子刚;高敏;张浩希.基于ANSYS的大功率半导体光放大器的热分析.电子与封装.2008,(09),全文.
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公开(公告)号：CN111565906B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN201880083830.1
申请日：2018-12-06
Applicant: 株式会社电装
IPC: B29C45/14
Abstract: 在金属部件(50)被树脂材料所构成的树脂部件(40)在该金属部件(50)的一部分露出的状态下覆盖的树脂成形体中，在金属部件(50)中的被树脂部件(40)覆盖的部分处，形成由凹凸构成的接合部(53)，所述凹凸具有第1凹凸(71)和形成在包含第1凹凸(71)的表面的位置处的高低差比第1凹凸(71)小的第2凹凸(72)。并且，使树脂材料进入到凹凸中而将树脂部件(40)与接合部(53)接合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113632214A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202080021722.9
申请日：2020-03-12
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 一种半导体模组，具备：第1散热部件(1、7)；半导体装置(2)，具备半导体元件(20)、将其周围覆盖的封固件(21)、以及再布线层(24)，搭载在第1散热部件上，上述再布线层具备与半导体元件电连接的第1布线(26)及第2布线(27)，形成在半导体元件及封固件之上；第2散热部件(3、7)，配置在半导体装置上；引线框(4)，经由接合件(5)而与半导体装置电连接；以及封固件(6)，将第1散热部件的一部分、半导体装置、以及第2散热部件的一部分覆盖。半导体装置的一部分从第2散热部件中的与半导体装置面对的另一面(3b)的外轮廓伸出，第2布线的一端延伸设置至半导体装置中的从另一面的外轮廓伸出的部分，一端经由接合件而与引线框电连接。
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公开(公告)号：CN115989580A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202180052928.2
申请日：2021-08-06
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L23/29
Abstract: 元件封装(40)具备半导体元件(41)、再布线层(42)以及密封树脂体(45)。半导体元件(41)具备：半导体衬底(410)，具有元件区域(412)及划线区域(413)；源极电极及焊盘，形成在半导体衬底的一面(410a)；以及保护膜(411)，配置在一面中的元件区域上。密封树脂体包含以具有不超过保护膜的上表面的缘部(411d)的高度的方式配置在划线区域(413)的一面上的密封树脂体(45S)。再布线层配置在保护膜到划线区域上的密封树脂体的范围中。
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公开(公告)号：CN115699296A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202180040056.8
申请日：2021-05-21
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 半导体装置，具备：半导体元件(11)，在表面(11a)具有第1电极焊盘(111)以及多个第2电极焊盘(112)，在将表面和背面(11b)相连的方向上产生电流；密封件(12)，由绝缘性的树脂材料构成，将半导体元件的表面的一部分以及侧面(11c)覆盖；以及延伸设置布线(152)，在半导体元件之上配置在密封件的内部或密封件之上，与第2电极焊盘电连接并且从半导体元件的外轮廓的内侧延伸设置至外侧。
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公开(公告)号：CN115428145A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202180028696.7
申请日：2021-03-19
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 半导体装置具备半导体元件(11)、与半导体元件的背面(11b)侧接合的导电体(10)和将半导体元件的侧面(11c)及导电体的一部分覆盖的密封件(12)。半导体装置具备再布线层(15)，该再布线层具有将半导体元件的表面(11a)及密封件的一部分覆盖的绝缘层(151)、与半导体元件连接的第1电极(13)及第2电极(14)、将第1电极中的从绝缘层露出的部分覆盖的导电性的第1外部露出层(152)、和将第2电极中的从绝缘层露出的部分覆盖的导电性的第2外部露出层(153)。第2电极的与半导体元件相反的一侧的端部延伸设置到再布线层中的半导体元件的外轮廓外侧的位置。第2外部露出层将第2电极中的位于半导体元件的外轮廓外侧的一部分区域覆盖。导电体的与半导体元件的背面接合的上表面(10a)的相反侧的下表面(10b)从密封件露出。
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公开(公告)号：CN111565906A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201880083830.1
申请日：2018-12-06
Applicant: 株式会社电装
IPC: B29C45/14
Abstract: 在金属部件(50)被树脂材料所构成的树脂部件(40)在该金属部件(50)的一部分露出的状态下覆盖的树脂成形体中，在金属部件(50)中的被树脂部件(40)覆盖的部分处，形成由凹凸构成的接合部(53)，所述凹凸具有第1凹凸(71)和形成在包含第1凹凸(71)的表面的位置处的高低差比第1凹凸(71)小的第2凹凸(72)。并且，使树脂材料进入到凹凸中而将树脂部件(40)与接合部(53)接合。
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