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公开(公告)号：CN106298452B
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201610751120.4
申请日：2016-08-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种基于阵列式点压的晶圆键合方法，包括：基于传统的晶圆键合方法，采用了创造性的点压设备，将传统晶圆键合方法的平面各点同时的键合方式改为平面各点非同时异步的键合方式。本发明所陈述的点压键合方法包括：使用热压键合方式准备好待键合的晶圆片，选择好点压设备的单次键合点的大小，将待键合的区域按照单次键合大小划分为等大的阵列点，实际键合过程中，使用点压设备按照这些阵列点，在一定温度一定压力下实施键合。与传统晶圆键合方法所使用的晶圆键合机价格昂贵、操作复杂相比，本发明所使用的点压键合设备制作成本低、操作简单。此外点压键合法具有键合区域的可选择性等特性，能够满足某些特定应用领域下的需要。
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公开(公告)号：CN106601740B
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201611226809.1
申请日：2016-12-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L27/092 , H01L29/10 , H01L21/20
Abstract: 本发明提供一种硅基InGaAs沟道双栅COMS器件。本发明采用介质键合方法实现硅基半导体材料与InGaAs沟道双栅CMOS器件的集成，以提高CMOS器件的异构集成度，且双栅结构能够实现器件的低功耗工作，且器件的阈值电压调节更容易。
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公开(公告)号：CN108336145A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810086638.X
申请日：2018-01-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 北京大学
IPC: H01L29/786 , G06N3/063
CPC classification number: H01L29/786 , G06N3/0635
Abstract: 本发明提供了一种人工神经元结构及其制备方法、信号和时间提取方法，其中，该人工神经元结构，包括：衬底；背栅金属层，位于所述衬底下方；外延层，位于所述衬底上方；两个互不接触的源漏金属层，位于所述外延层上方；以及有机薄膜层，分别与两个所述源漏金属层接触，且叠置于所述外延层之上，其中，该有机薄膜层上设有两个开孔，用于裸露至少部分的两个所述源漏金属层。该人工神经元结构通过模拟生物神经元的工作原理，利用电化学反应提供的电荷调控半导体沟道中的载流子浓度分布，对多种电刺激实现对应的输出；具有含时变化的特性；可以断电工作，使静态功耗降低至零，适合低功耗电路应用；同时还具有非常广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN106711054A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611242157.0
申请日：2016-12-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种硅基双栅器件的键合方法。本方法包括：制备功能层，并在功能层一面制作金属层；准备衬底层，并在衬底层一面制作绝缘层；在绝缘层上制作硅层；将所述金属层和所述硅层通过合金化键合工艺键合，形成背栅金属层，完成硅基双栅器件的键合。本发明通过金属层和硅层的键合，同时实现了背栅金属的制作与器件和衬底结构间的键合，无须增加额外的键合层，所形成的背栅合金层厚度可以与设计要求极为贴近，并不增加器件结构的寄生电阻与寄生电容，并且键合形成的中间层很小。
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公开(公告)号：CN106653886A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611251389.2
申请日：2016-12-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/0236 , H01L21/02 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/02366 , H01L21/02019 , H01L31/184
Abstract: 本发明公开了一种砷化镓表面形貌控制方法，包括如下步骤：步骤1：将待刻蚀表面形貌的砷化镓样品置于真空室中，然后向真空室内充入氧分压气体；步骤2：调节氧分压，根据氧分压将真空室升温至对应温度，使砷化镓与氧分子在高温低压工作区域结合生成气态的三氧化二砷与一氧化二镓，控制反应时间实现砷化镓表面的形貌控制。本发明所提供的砷化镓(GaAs)表面形貌控制技术，工艺非常简单，且更加环保、成本低廉。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106298878A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610862149.X
申请日：2016-09-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/20 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种双栅MOSFET结构及其制备方法，属于半导体集成技术领域。所述双栅MOSFET结构自下而上为第一栅金属层、III-V族半导体沟道层、III-V族半导体源漏层、第二栅金属层，所述第一栅金属层和第二栅金属层构成双栅结构；所述III-V族半导体沟道层和III-V族半导体源漏层采用III-V族半导体材料。本发明采用双栅结构可以有效提高MOSFET器件的栅控能力，减小短沟道效应等的影响。本发明采用通孔技术实现背栅结构可以有效减小寄生电容，提高了器件的射频特性。本发明的所述MOSFET结构集成在硅衬底上，可以与其他硅基CMOS集成器件实现单片集成。
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公开(公告)号：CN106298452A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610751120.4
申请日：2016-08-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/0201
Abstract: 本发明公开了一种基于阵列式点压的晶圆键合方法，包括：基于传统的晶圆键合方法，采用了创造性的点压设备，将传统晶圆键合方法的平面各点同时的键合方式改为平面各点非同时异步的键合方式。本发明所陈述的点压键合方法包括：使用热压键合方式准备好待键合的晶圆片，选择好点压设备的单次键合点的大小，将待键合的区域按照单次键合大小划分为等大的阵列点，实际键合过程中，使用点压设备按照这些阵列点，在一定温度一定压力下实施键合。与传统晶圆键合方法所使用的晶圆键合机价格昂贵、操作复杂相比，本发明所使用的点压键合设备制作成本低、操作简单。此外点压键合法具有键合区域的可选择性等特性，能够满足某些特定应用领域下的需要。
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公开(公告)号：CN103022215B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201210576570.6
申请日：2012-12-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种基于硅基锗外延的非波导近红外探测器及其制备方法，该非波导近红外探测器包括：n型Si衬底；于该n型Si衬底上沉积的SiO2层中制备的空气孔型或介质柱型光子晶体；在该光子晶体上形成的Ge基外延薄膜；在该Ge基外延薄膜上形成的P型Si；在该P型Si上形成的减反层；于刻蚀该减反层的外侧直至该n型Si衬底中而形成的台阶上制备的n型Si接触电极Al；于刻蚀该减反层的内侧直至该P型Si上表面而形成的台阶上制备的P型Si接触电极；以及在被刻蚀后的该减反层上形成的钝化层。利用本发明，解决了现有近红外探测器中二维光子晶体光子禁带效应的应用，以及Ge与Si晶格失配所产生的应力的释放等问题。
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公开(公告)号：CN103839947A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201210491259.1
申请日：2012-11-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L27/12 , H01L21/762
Abstract: 本发明公开了一种硅基绝缘体上硅衬底结构及其制备方法，该硅衬底结构包括：硅衬底；形成于该硅衬底之上的结晶氧化物层；以及形成于该结晶氧化物层之上的结晶硅层。本发明提供的硅基绝缘体上硅衬底结构及其制备方法，通过在硅衬底表面沉积结晶氧化物层，再在结晶氧化物层表面上沉积单晶硅层，从而实现了方便地在绝缘体上制备极薄硅层，具有可大面积生长、散热性能好、衬底绝缘性能好、以及制备成本低廉等优点，可以方便在大尺寸晶圆上制备全耗尽硅基器件。
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