公开(公告)号：CN106330109A

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201610793670.2

申请日：2016-08-31

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 刘洪刚 ,  夏庆贞 ,  常虎东 ,  孙兵 ,  王盛凯

IPC: H03F1/32 ,  H03F3/21

CPC classification number: H03F1/3205 ,  H03F3/211

Abstract: 本发明提供一种共源共栅放大电路及功率放大器。所述共源共栅放大电路包括晶体管M1和晶体管M2，M1和M2均为GaAs-MOSHEMT，所述M1的源极接地，所述M1的栅极作为所述共源共栅放大电路的信号输入端Vin，所述M1的栅极通过扼流电感L1连接负电压源VSS1，所述M1的漏极通过扼流电感L4连接正电压源VDD1，所述M1的漏极通过隔直电容C2连接所述M2的源极，所述M2的源极通过扼流电感L5接地，所述M2的栅极通过扼流电感L2连接负电压源VSS1，所述M2的栅极通过栅极电容C1接地，所述M2的漏极作为放大电路的信号输出端Vout，所述M2的漏极通过扼流电感L3连接正电压源VDD2。本发明的技术方案无需引入额外的升压模块，从而在保证较好的功率放大性能的前提下，降低了设计的复杂度。

公开(公告)号：CN106601740B

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201611226809.1

申请日：2016-12-27

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 常虎东 ,  刘洪刚 ,  夏庆贞 ,  孙兵 ,  王盛凯

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/10 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明提供一种硅基InGaAs沟道双栅COMS器件。本发明采用介质键合方法实现硅基半导体材料与InGaAs沟道双栅CMOS器件的集成，以提高CMOS器件的异构集成度，且双栅结构能够实现器件的低功耗工作，且器件的阈值电压调节更容易。

公开(公告)号：CN106330109B

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201610793670.2

申请日：2016-08-31

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 刘洪刚 ,  夏庆贞 ,  常虎东 ,  孙兵 ,  王盛凯

IPC: H03F1/32 ,  H03F3/21

Abstract: 本发明提供一种共源共栅放大电路及功率放大器。所述共源共栅放大电路包括晶体管M1和晶体管M2，M1和M2均为GaAs‑MOSHEMT，所述M1的源极接地，所述M1的栅极作为所述共源共栅放大电路的信号输入端Vin，所述M1的栅极通过扼流电感L1连接负电压源VSS1，所述M1的漏极通过扼流电感L4连接正电压源VDD1，所述M1的漏极通过隔直电容C2连接所述M2的源极，所述M2的源极通过扼流电感L5接地，所述M2的栅极通过扼流电感L2连接负电压源VSS1，所述M2的栅极通过栅极电容C1接地，所述M2的漏极作为放大电路的信号输出端Vout，所述M2的漏极通过扼流电感L3连接正电压源VDD2。本发明的技术方案无需引入额外的升压模块，从而在保证较好的功率放大性能的前提下，降低了设计的复杂度。

公开(公告)号：CN106601740A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201611226809.1

申请日：2016-12-27

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 常虎东 ,  刘洪刚 ,  夏庆贞 ,  孙兵 ,  王盛凯

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/10 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L27/0922 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/1079

Abstract: 本发明提供一种硅基InGaAs沟道双栅COMS器件。本发明采用介质键合方法实现硅基半导体材料与InGaAs沟道双栅CMOS器件的集成，以提高CMOS器件的异构集成度，且双栅结构能够实现器件的低功耗工作，且器件的阈值电压调节更容易。