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公开(公告)号：CN102916048A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210408617.8
申请日：2012-10-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种基于体硅材料的无结硅纳米线晶体管及其制备方法。该无结硅纳米线晶体管包括：一体硅衬底，在体硅衬底上制作一P型或N型掺杂层，在该P型或N型掺杂层上制作一掺杂类型与之相反的N型或P型掺杂层，不同类型的掺杂层构成PN结起到电学隔离的作用；在N型或P型掺杂层上制作晶体管的源区、漏区和硅纳米线，硅纳米线连接源区与漏区构成导电沟道；一绝缘介质层制作在整个硅纳米线以及源、漏区表面；一多晶硅栅条，制作在源区与漏区之间，并完全包裹硅纳米线；一漏电极，该漏电极制作在硅的漏区上；一源电极，该源电极制作在硅的源区上；一栅电极，该栅电极制作在多晶硅栅条上。利用本发明，能够在体硅衬底上实现无结硅纳米线晶体管。
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公开(公告)号：CN112670371B
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202011566704.7
申请日：2020-12-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/112
Abstract: 本发明公开了一种侧栅晶体管太赫兹探测器的制备方法及其侧栅晶体管太赫兹探测器，其中，该方法包括：在衬底上制作源电极和漏电极；在衬底和源电极、漏电极上旋涂抗蚀剂，并利用曝光技术去除掉部分抗蚀剂，露出部分衬底，形成台面抗蚀剂掩膜；根据台面抗蚀剂掩膜，刻蚀预设深度的部分衬底，形成衬底的台面；在台面抗蚀剂掩膜和衬底上制作栅极图像并形成栅电极；去除台面抗蚀剂掩膜，同时剥离台面抗蚀剂掩膜上的顶栅，在台面的两侧形成双栅电极；在衬底、源电极、漏电极和双栅电极表面制作天线图形，并形成天线及引线，得到侧栅晶体管太赫兹探测器。
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公开(公告)号：CN109682364B
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201811529259.X
申请日：2018-12-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中国科学院大学
IPC: G01C19/56
Abstract: 本发明公开了一种压电MEMS解耦结构及MEMS陀螺仪，该压电MEMS解耦结构，包括：一T型梁结构，包括一体化的横梁和纵梁，该T型梁结构自下而上依次包括：衬底、下电极层和压电材料层；第二上电极，作为检测电极，呈T型，位于T型梁结构之上，关于纵梁中心线对称；以及第一上电极和第三上电极，作为驱动电极，位于纵梁之上，对称分布于纵梁中心线两侧，与第二上电极位于纵梁上的部分相互独立。该解耦结构通过将其整体形状设置为一包含一体化横梁和纵梁的T型梁结构，并在该T型梁结构上设置关于纵梁中心线对称的T型检测电极和在纵梁上对称分布的两个驱动电极，实现了完全解耦，可有效提高陀螺仪的检测精度。
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公开(公告)号：CN107978642A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201711346622.X
申请日：2017-12-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中国科学院大学
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种GaN基异质结二极管及其制备方法，该GaN基异质结二极管包括：依次生长在衬底上的GaN本征层和势垒层；在部分势垒层上形成部分凹槽区域，高空穴浓度结构层覆盖在凹槽上表面；阴极电极位于势垒层上表面未被高空穴浓度结构层覆盖的部分区域；阳极电极第一部分位于势垒层上表面未被高空穴浓度结构层覆盖的另一部分区域，其位置紧挨着高空穴浓度结构层；阳极电极第二部分覆盖于高空穴浓度结构层的上表面；钝化保护层覆盖在势垒层上表面未被阴极电极和阳极电极覆盖的区域。本发明可靠性高，重复性好，可实现对器件开启电压的调节，获得低开启电压、低反向漏电流的GaN异质结二极管。
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公开(公告)号：CN102437182A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110392863.4
申请日：2011-12-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/423 , H01L21/335 , H01L21/28
Abstract: 一种SiO2/SiN双层钝化T型栅AlGaN/GaN HEMT，包括：一衬底，在衬底上依次生长GaN缓冲层、GaN本征层和AlGaN势垒层；源漏电极，该源漏电极制作在势垒层上面的两侧；一下钝化层，制作在源漏电极之间及势垒层的上面；一上钝化层，制作在源漏电极之间及下钝化层的上面；其中该下钝化层和上钝化层的中间有一条形栅槽；一栅电极，其断面为T形，制作在该下钝化层和上钝化层的条形栅槽内，栅电极上部高于上钝化层的表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102157361A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201010605875.6
申请日：2010-12-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法，包括如下步骤：步骤1：在待制备T型栅的样品上面淀积介质钝化层；步骤2：在介质钝化层上涂覆抗蚀剂；步骤3：利用光子束超衍射纳米加工技术，在抗蚀剂上曝光，显影，定影，形成栅足图形；步骤4：用RIE刻蚀技术，将栅足图形下面的介质钝化层刻蚀，形成沟槽；步骤5：将残余的抗蚀剂洗去，在介质钝化层上涂覆光刻胶；步骤6：利用光子束超衍射纳米加工技术，在光刻胶上曝光，显影，定影，形成栅头图形；步骤7：在光刻胶上蒸发栅极金属；步骤8：去除光刻胶，在介质钝化层的沟槽和栅头图形上形成三维T型的金属电极。
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公开(公告)号：CN116487992A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310511939.3
申请日：2023-05-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/10
Abstract: 本公开提供一种表面等离激元激光器微腔，包括：半导体纳米线、多个金属椭球和半导体基板；其中，多个金属椭球以一维阵列形式排布在半导体基板表面，每个金属椭球半埋设于半导体基板中，半导体纳米线覆盖在多个金属椭球上且包覆每个金属椭球的一部分；其中，特定频率的电磁波在一维阵列形式排布的多个金属椭球的两端无法传播，在一维阵列形式排布的多个金属椭球的中间振荡。该表面等离激元激光器能够实现选模，具有低损耗，高品质因子等综合性能。
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公开(公告)号：CN112670371A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011566704.7
申请日：2020-12-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/112
Abstract: 本发明公开了一种侧栅晶体管太赫兹探测器的制备方法及其侧栅晶体管太赫兹探测器，其中，该方法包括：在衬底上制作源电极和漏电极；在衬底和源电极、漏电极上旋涂抗蚀剂，并利用曝光技术去除掉部分抗蚀剂，露出部分衬底，形成台面抗蚀剂掩膜；根据台面抗蚀剂掩膜，刻蚀预设深度的部分衬底，形成衬底的台面；在台面抗蚀剂掩膜和衬底上制作栅极图像并形成栅电极；去除台面抗蚀剂掩膜，同时剥离台面抗蚀剂掩膜上的顶栅，在台面的两侧形成双栅电极；在衬底、源电极、漏电极和双栅电极表面制作天线图形，并形成天线及引线，得到侧栅晶体管太赫兹探测器。
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公开(公告)号：CN109626318B
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201811579463.2
申请日：2018-12-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中国科学院大学
Abstract: 本发明公开了一种盖板结构及其制作方法、电容式传感器，该盖板结构，用于微机电器件晶圆级封装，包括：密封盖板，其上设有一凹槽，该凹槽形成一容置空间；电极板，位于凹槽形成的容置空间之内，与凹槽左右两侧的密封盖板之间存在间隙；第一垂直通孔，设置于电极板之下，贯穿凹槽下方的密封盖板；第二垂直通孔，设置于密封盖板的非凹槽位置并贯穿密封盖板中的绝缘部分；以及第一电极引线和第二电极引线，分别沿着第一垂直通孔和第二垂直通孔引出至密封盖板的下表面。本发明的盖板结构及其制作方法、电容式传感器，具有与微机电器件制备工艺兼容、工艺简单、气密性好、具备垂直引线、不需要高温、降低寄生电容、以及广泛适用的综合性能。
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公开(公告)号：CN109626318A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811579463.2
申请日：2018-12-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中国科学院大学
Abstract: 本发明公开了一种盖板结构及其制作方法、电容式传感器，该盖板结构，用于微机电器件晶圆级封装，包括：密封盖板，其上设有一凹槽，该凹槽形成一容置空间；电极板，位于凹槽形成的容置空间之内，与凹槽左右两侧的密封盖板之间存在间隙；第一垂直通孔，设置于电极板之下，贯穿凹槽下方的密封盖板；第二垂直通孔，设置于密封盖板的非凹槽位置并贯穿密封盖板中的绝缘部分；以及第一电极引线和第二电极引线，分别沿着第一垂直通孔和第二垂直通孔引出至密封盖板的下表面。本发明的盖板结构及其制作方法、电容式传感器，具有与微机电器件制备工艺兼容、工艺简单、气密性好、具备垂直引线、不需要高温、降低寄生电容、以及广泛适用的综合性能。
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