-
公开(公告)号：CN101937957A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN201010251508.0
申请日：2010-08-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/36
Abstract: 一种氮化镓基垂直结构发光二极管电极结构的制作方法，包括如下步骤：步骤1：取一具有蓝宝石衬底的氮化镓LED外延片，将该具有蓝宝石衬底的氮化镓LED外延片上的外延层的四周刻蚀，形成台面，该台面是LED的发光区域；步骤2：在台面上及外延层的四周，并覆盖部分外延层四周的上表面制作绝缘薄膜；步骤3：在绝缘薄膜上及覆盖外延层的上表面制作P电极；步骤4：然后用键合或电镀的方式，在P电极的上表面制作转移衬底；步骤5：采用激光剥离去除外延片中的蓝宝石衬底；步骤6：在去除衬底后的外延层的表面制作N电极，完成氮化镓基垂直结构发光二极管电极结构的制作。
-
公开(公告)号：CN103943739B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201410185391.9
申请日：2014-05-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种提高光提取效率发光二极管的制备方法，包括：在一具有蓝宝石衬底的氮化镓LED外延片上表面的P型氮化镓层上制作一单层紧密排列的聚苯乙烯球；在聚苯乙烯球间隙填充二氧化硅凝胶；高温加热，形成二氧化硅碗状阵列；将二氧化硅碗状阵列的一部分覆盖光刻胶进行保护；将未保护的二氧化硅去除干净，然后在用去膜剂去除光刻胶；在剩余二氧化硅碗状阵列和P型氮化镓层的表面蒸镀反光金属薄膜，选用酸性硫酸铜电镀液在导电薄膜的上表面电镀金属铜；采用激光剥离技术去除外延片中的蓝宝石衬底，露出P型氮化镓层另一面的N型氮化镓层的表面；通过光刻技术、电子束蒸发技术和金属剥离技术在N型氮化镓层的表面沉积金属薄膜，作为N电极，位置刚好对应于下方的二氧化硅碗状阵列，完成制备。
-
公开(公告)号：CN103762222A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201410034788.8
申请日：2014-01-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种模块化阵列式高压LED芯片及其制造方法，芯片由至少一个单元模块组成，该单元模块包含至少一个LED微晶粒；各LED微晶粒之间互相绝缘隔离集成于衬底上，且各单元模块中的LED微晶粒之间以及单元模块之间通过互联引线的方式串联在一起。在制造时，先在一个衬底上生长N型外延层、量子阱发光层、P型外延层，刻蚀出制作N电极的N型外延层的材料面和LED微晶粒间的绝缘隔离跑道后，分别在P型外延材料制作电流阻挡层、ITO透明导电层和金属电极；然后通过激光划片工艺沿所述隔离跑道进行切割，得到模块化阵列式高压LED芯片。本发明能同时得到30V和60V的阵列式高压芯片，并降低了芯片制造成本，给芯片的加工提供了多种可供选择的方案。
-
公开(公告)号：CN103579424A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310587155.5
申请日：2013-11-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0079
Abstract: 本发明公开了一种制备低反射率蓝宝石图形衬底的方法，包括：在蓝宝石衬底上生长掩膜材料；对掩膜材料进行光刻，得到具有周期尺寸图形的掩膜；湿法腐蚀蓝宝石衬底得到一定深度的凹坑；干法刻蚀蓝宝石衬底，直至掩膜退缩完全；表面清洗。本发明提供的这种干湿法相结合的技术来制备低反射率蓝宝石图形衬底的方法，通过先在不消耗掩膜的情况下湿法腐蚀蓝宝石衬底，再进行干法刻蚀蓝宝石衬底，而且极大的提高了掩膜的利用率，使同样周期的图形可以实现更深的深度，达到低反射率的目的。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101937956A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN201010251507.6
申请日：2010-08-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/36
Abstract: 一种氮化镓基垂直结构发光二极管芯片桥联电极制备方法，包括：取一具有蓝宝石衬底的氮化镓LED外延片，将该具有蓝宝石衬底的氮化镓LED外延片上的外延层的四周刻蚀，形成第一台面；在第一台面上的外延层的四周制作侧壁绝缘薄膜，该侧壁绝缘薄膜并覆盖外延层上表面的四周；在外延层及侧壁绝缘薄膜的上面制作P电极；然后用键合或电镀的方式，在P电极的上表面制作转移衬底；采用激光剥离去除外延片中的蓝宝石衬底，形成第二台面；在第二台面上制作绝缘薄膜，该绝缘薄膜覆盖外延层的四周及其侧壁绝缘薄膜的上表面；在第二台面的外延层的部分表面及部分绝缘薄膜的上表面，制作N电极，该N电极的焊盘在外延层以外的区域，完成发光二极管芯片桥联电极的制备。
-
公开(公告)号：CN105870114A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610467039.3
申请日：2016-06-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L25/075
CPC classification number: H01L25/0753
Abstract: 本发明公开了一种柔性发光器件及其制备方法、发光装置，一种柔性发光器件，包括：上透明导电薄膜、下透明导电薄膜、以及多个发光单元，所述发光单元夹设并电性连接于所述上透明导电薄膜和下透明导电薄膜之间，所述发光单元包括两个正反向并联的LED发光芯片。所述柔性发光装置可以采用交流电源驱动，发光均匀稳定，驱动电路简单。
-
公开(公告)号：CN105870114B
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201610467039.3
申请日：2016-06-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L25/075
Abstract: 本发明公开了一种柔性发光器件及其制备方法、发光装置，一种柔性发光器件，包括：上透明导电薄膜、下透明导电薄膜、以及多个发光单元，所述发光单元夹设并电性连接于所述上透明导电薄膜和下透明导电薄膜之间，所述发光单元包括两个正反向并联的LED发光芯片。所述柔性发光装置可以采用交流电源驱动，发光均匀稳定，驱动电路简单。
-
公开(公告)号：CN104617202A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201510017329.3
申请日：2015-01-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/0075 , H01L33/32 , H01L33/62 , H01L2933/0016 , H01L2933/0066
Abstract: 一种氮化镓基发光器件的电极体系及其制作方法，其中氮化镓基发光器件，包括：一透明衬底；一第一半导体层，一有源层和一第二半导体层，所述第一半导体层与第二半导体层的导电类型相反；一P型接触层，位于空穴为多数载流子的第一半导体层或第二半导体层的表面，其为的金属氧化物导电薄膜；一Ag或Al的反射镜，位于p型接触层上，所述Ag或Al的反射镜与p型接触层直接接触；一P电极焊盘，在Ag或Al的反射镜上，由多层金属组成，多层金属包含金属扩散阻挡层和焊接层。本发明可以增加透射率，提高发光器件的发光效率。
-
公开(公告)号：CN103956415A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410192628.6
申请日：2014-05-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/0075
Abstract: 一种GaN基发光二极管的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在一衬底上依序生长缓冲层和n型GaN层；步骤2：采用光刻的方法，在n型GaN层上制备选择性生长掩膜；步骤3：在去掉选择性生长掩膜的n型GaN层的上面依序生长多量子阱层和p型GaN层；步骤4：将n型GaN层上保留的选择性生长掩膜刻蚀掉；步骤5：在p型GaN层和暴露的n型GaN层上生长透明电极层；步骤6：在p型GaN层上的透明电极层上制作金属电极，在n型GaN层上的透明电极层上制作金属电极，完成制备。本发明取消了器件制备过程中的台面干法刻蚀工艺，完全避免了台面刻蚀时造成量子阱以及P型GaN的损伤，不仅有效降低了材料生长过程的气源的消耗，还采用湿法工艺完成台面，省略了干法刻蚀设备的需求，大大节约了生产成本。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
19
records
(took 0.037 seconds)
