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公开(公告)号：CN102214740A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110136242.X
申请日：2011-05-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法，包括：选择一衬底；在该衬底上生长一氮化镓成核层；在该氮化镓成核层上生长非故意掺杂氮化镓层；在该非故意掺杂氮化镓层上生长一氮化铝镓/氮化镓超晶格插入层；在该氮化铝镓/氮化镓超晶格插入层上生长N型掺杂的氮化镓层；在该N型掺杂的氮化镓层上生长氮化铝镓铟多量子阱发光层；在该氮化铝镓铟多量子阱发光层上生长P型掺杂的氮化铝镓铟层；以及在该P型掺杂的氮化铝镓铟层上生长P型掺杂的氮化镓层。利用本发明，可以调制外延层中因为晶格失配带来的应力，同时使GaN外延层中的位错转向、合并，从而降低后续生长的外延层中穿透位错的密度，改善材料质量，提高发光二极管的抗静电能力。
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公开(公告)号：CN118825047A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202310430810.X
申请日：2023-04-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开实施例提供了一种氮化镓基纳米柱阵列结构，包括：氮化镓模板；介质掩模层，生长于氮化镓模板上，具有刻蚀至氮化镓模板的周期性的纳米圆孔；纳米柱阵列，生长于介质掩模层的纳米圆孔所在位置，纳米柱阵列中的每个纳米柱从下至上依次包括N型氮化镓纳米柱、多量子阱有源区和P型氮化镓层，N型氮化镓纳米柱的底部接触氮化镓模板，且高度高于纳米圆孔。该氮化镓基纳米柱阵列结构基于介质掩模实现选区外延生长纳米柱阵列，有效避免干法刻蚀的损伤，且纳米柱阵列具有大面积、低缺陷、尺寸位置精确可控的特征，能够直接应用于超高分辨率显示领域。
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公开(公告)号：CN117766570A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311798935.4
申请日：2023-12-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/10 , H01L29/20 , H01L29/207 , H01L21/02 , H01L21/205 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本公开提供了一种用于GaN功率器件的外延结构及其生长方法，该外延结构从下至上依次包括：图形化衬底(1)、高阻成核层(2)、高阻加厚层(3)及表面层(4)；其中，高阻成核层(2)及高阻加厚层(3)均采用高阻杂质掺杂。本发明的外延结构可以避免早期引入高阻杂质带来的不利影响，从外延阶段开始即可实现高晶体质量及高阻，消除底层潜在导电通道，为后续GaN功率器件的高耐压和优良正向性能提供高质量基础，极大提升器件的正反向特性，同时节省外延厚度，大大降低生产成本。
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公开(公告)号：CN113410363B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202110674991.1
申请日：2021-06-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种Micro LED芯片结构及其制备方法、显示装置，该芯片结构包括：第一衬底；反射镜，设置在第一衬底上；外延结构，设置在反射镜的表面上，包括位于外延结构顶部的n‑GaN层，用于发出光信号；钝化层，覆盖外延结构侧壁，并覆盖反射镜表面剩余部分；钝化层与n‑GaN层形成平面，剩余部分为反射镜表面未被外延覆盖的部分；介质层，设置在钝化层与n‑GaN层形成的平面上，用于当外部电压高于阈值电压时，为Micro LED芯片结构提供电注入通道；透明电极层，设置在介质层上，用于多个Micro LED芯片结构之间形成电连接，并用于透过外延结构发出的光信号。本发明采用非接触式的电注入结构，采用透明电极层作为光传输通道和芯片结构的电极，避免因单独制备互联电路而引起的光的吸收损耗。
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公开(公告)号：CN113410363A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110674991.1
申请日：2021-06-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种Micro LED芯片结构及其制备方法、显示装置，该芯片结构包括：第一衬底；反射镜，设置在第一衬底上；外延结构，设置在反射镜的表面上，包括位于外延结构顶部的n‑GaN层，用于发出光信号；钝化层，覆盖外延结构侧壁，并覆盖反射镜表面剩余部分；钝化层与n‑GaN层形成平面，剩余部分为反射镜表面未被外延覆盖的部分；介质层，设置在钝化层与n‑GaN层形成的平面上，用于当外部电压高于阈值电压时，为Micro LED芯片结构提供电注入通道；透明电极层，设置在介质层上，用于多个Micro LED芯片结构之间形成电连接，并用于透过外延结构发出的光信号。本发明采用非接触式的电注入结构，采用透明电极层作为光传输通道和芯片结构的电极，避免因单独制备互联电路而引起的光的吸收损耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107889308B
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201711067124.1
申请日：2017-11-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H05B33/08
Abstract: 本发明提供了一种LED光源的应用方法，包括步骤：根据应用环境，预设一第一LED光源系统，其包括第一驱动电路和多路第一光源，各第一光源包括不同的第一光波长；将第一LED光源系统放置于应用环境中，筛选第一光波长，确定筛选后光波长组及其中的各筛选后光波长的强度比例；以及构建一第二LED光源系统，其中，第二LED光源系统包括一第二驱动电路和一路第二光源，第二光源包括各筛选后光波长按照强度比例合成的一路混合波长光源。同时，本发明还提供了一种对应装置。通过预设第一LED光源系统，获取满足预定标准的光波长，从而完成修正，得到第二LED光源系统，能够使得第二LED光源系统更符合应用环境。
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公开(公告)号：CN107889308A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201711067124.1
申请日：2017-11-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H05B33/08
CPC classification number: H05B33/0842 , H05B33/0809
Abstract: 本发明提供了一种LED光源的应用方法，包括步骤：根据应用环境，预设一第一LED光源系统，其包括第一驱动电路和多路第一光源，各第一光源包括不同的第一光波长；将第一LED光源系统放置于应用环境中，筛选第一光波长，确定筛选后光波长组及其中的各筛选后光波长的强度比例；以及构建一第二LED光源系统，其中，第二LED光源系统包括一第二驱动电路和一路第二光源，第二光源包括各筛选后光波长按照强度比例合成的一路混合波长光源。同时，本发明还提供了一种对应装置。通过预设第一LED光源系统，获取满足预定标准的光波长，从而完成修正，得到第二LED光源系统，能够使得第二LED光源系统更符合应用环境。
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公开(公告)号：CN103700736A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310713492.4
申请日：2013-12-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/0066 , H01L33/0075
Abstract: 一种氮化镓基外延膜的选区激光剥离方法，包括下列步骤：在第一基板上生长氮化镓外延膜，所述氮化镓基外延膜包含但不限于n型氮化物、有源层、p型氮化物；然后通过制作隔离槽，把氮化镓基外延膜分离成氮化镓基单元器件；以金属层作为金属中间层，并通过金属中间层将待剥离的单元器件与第二基板相结合；不需剥离的区域悬空于第二基板上，或在不需剥离区域与第二基板之间的间隙和隔离槽中填充保护材料；通过激光剥离方法将所有待剥离的单元器件从第一基板上剥离，转移到第二基板上形成氮化镓基单元器件的阵列。本发明实现了氮化镓基外延膜的选区剥离，把部分芯片转移到第二衬底上，随后可用于器件的晶圆级封装，提高了装配的灵活性和封装效率，降低了成本。
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公开(公告)号：CN102637787A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210124792.4
申请日：2012-04-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种无间断生长高质量InGaN/GaN多量子阱的方法，包括：在蓝宝石图形衬底上外延生长uGaN，在uGaN上生长nGaN，然后在nGaN上生长MQW应力释放层；在MQW应力释放层上外延生长InGaN/GaN多量子阱；在InGaN/GaN多量子阱上重复生长多个InGaN/GaN多量子阱；在该多个InGaN/GaN多量子阱上生长GaN基LED所需的pAlGaN和pGaN。本发明选用金属有机物化学气相沉积法，利用在切换量子阱和垒生长条件过程中保持GaN生长，即进行量子阱无间断生长，缩短了多量子阱生长所需的时间，大大提高了生产效率，同时获取高质量InGaN/GaN多量子阱的LED外延片。
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公开(公告)号：CN102534769A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210075720.5
申请日：2012-03-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法，包括以下步骤：步骤1：采用MOCVD技术，对图形衬底进行高温处理后，降温；步骤2：在图形衬底上生长一氮化物成核层；步骤3：退火，实现成核层再结晶；步骤4：在结晶后的氮化物成核层上生长一第一非故意掺杂氮化镓层；步骤5：在第一非故意掺杂氮化镓层上生长一第二非故意掺杂氮化镓层；步骤6：在第二非故意掺杂氮化镓层上依次生长N型氮化镓层、有源层和P型氮化镓层，得到完整外延结构。本发明可以使得氮化镓外延层有较低的缺陷密度一尤其是穿透性位错缺陷，因此能有效的提高器件的效率和使用寿命，同时该发明方法具有很宽的生长工艺窗口。
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