公开(公告)号：CN118825047A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202310430810.X

申请日：2023-04-20

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 施博 ,  梁萌 ,  刘志强 ,  张宁 ,  康俊杰 ,  伊晓燕 ,  王军喜

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本公开实施例提供了一种氮化镓基纳米柱阵列结构，包括：氮化镓模板；介质掩模层，生长于氮化镓模板上，具有刻蚀至氮化镓模板的周期性的纳米圆孔；纳米柱阵列，生长于介质掩模层的纳米圆孔所在位置，纳米柱阵列中的每个纳米柱从下至上依次包括N型氮化镓纳米柱、多量子阱有源区和P型氮化镓层，N型氮化镓纳米柱的底部接触氮化镓模板，且高度高于纳米圆孔。该氮化镓基纳米柱阵列结构基于介质掩模实现选区外延生长纳米柱阵列，有效避免干法刻蚀的损伤，且纳米柱阵列具有大面积、低缺陷、尺寸位置精确可控的特征，能够直接应用于超高分辨率显示领域。