公开(公告)号：CN117766570A

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202311798935.4

申请日：2023-12-25

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 刘志强 ,  付松 ,  梁萌 ,  康俊杰 ,  伊晓燕 ,  王军喜 ,  李晋闽

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/20 ,  H01L29/207 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本公开提供了一种用于GaN功率器件的外延结构及其生长方法，该外延结构从下至上依次包括：图形化衬底(1)、高阻成核层(2)、高阻加厚层(3)及表面层(4)；其中，高阻成核层(2)及高阻加厚层(3)均采用高阻杂质掺杂。本发明的外延结构可以避免早期引入高阻杂质带来的不利影响，从外延阶段开始即可实现高晶体质量及高阻，消除底层潜在导电通道，为后续GaN功率器件的高耐压和优良正向性能提供高质量基础，极大提升器件的正反向特性，同时节省外延厚度，大大降低生产成本。