公开(公告)号：CN118825047A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202310430810.X

申请日：2023-04-20

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 施博 ,  梁萌 ,  刘志强 ,  张宁 ,  康俊杰 ,  伊晓燕 ,  王军喜

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本公开实施例提供了一种氮化镓基纳米柱阵列结构，包括：氮化镓模板；介质掩模层，生长于氮化镓模板上，具有刻蚀至氮化镓模板的周期性的纳米圆孔；纳米柱阵列，生长于介质掩模层的纳米圆孔所在位置，纳米柱阵列中的每个纳米柱从下至上依次包括N型氮化镓纳米柱、多量子阱有源区和P型氮化镓层，N型氮化镓纳米柱的底部接触氮化镓模板，且高度高于纳米圆孔。该氮化镓基纳米柱阵列结构基于介质掩模实现选区外延生长纳米柱阵列，有效避免干法刻蚀的损伤，且纳米柱阵列具有大面积、低缺陷、尺寸位置精确可控的特征，能够直接应用于超高分辨率显示领域。

公开(公告)号：CN117766570A

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202311798935.4

申请日：2023-12-25

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 刘志强 ,  付松 ,  梁萌 ,  康俊杰 ,  伊晓燕 ,  王军喜 ,  李晋闽

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/20 ,  H01L29/207 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本公开提供了一种用于GaN功率器件的外延结构及其生长方法，该外延结构从下至上依次包括：图形化衬底(1)、高阻成核层(2)、高阻加厚层(3)及表面层(4)；其中，高阻成核层(2)及高阻加厚层(3)均采用高阻杂质掺杂。本发明的外延结构可以避免早期引入高阻杂质带来的不利影响，从外延阶段开始即可实现高晶体质量及高阻，消除底层潜在导电通道，为后续GaN功率器件的高耐压和优良正向性能提供高质量基础，极大提升器件的正反向特性，同时节省外延厚度，大大降低生产成本。

公开(公告)号：CN118315445A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410605637.7

申请日：2024-05-15

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 伊晓燕 ,  吴志勇 ,  刘志强 ,  王良臣 ,  梁萌 ,  康俊杰 ,  王军喜 ,  李晋闽

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/47 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明提供一种准垂直结构GaN肖特基二极管及其制备方法，准垂直结构GaN肖特基二极管包括衬底、缓冲层、传输层、漂移层、阴极层以及阳极层；本发明通过在漂移层上形成多个纳米柱，通过将阳极层设置为欧姆接触金属层和肖特基接触金属层的混合结构，当准垂直结构GaN肖特基二极管处于正向偏置状态时，肖特基接触金属层与欧姆接触金属层同时导通，由于欧姆接触金属层的功函数低，从而可以有效降低准垂直结构GaN肖特基二极管的开启电压和导通电阻，有效提高准垂直结构GaN肖特基二极管的整流效率，减小器件的功率损耗，降低成本。