公开(公告)号：CN111404024A

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN202010234429.2

申请日：2020-03-27

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 陈平 ,  赵德刚 ,  朱建军 ,  刘宗顺 ,  杨静 ,  梁锋

IPC: H01S5/20 ,  H01S5/343

Abstract: 一种具有复合波导层的氮化镓基近紫外激光器包括一衬底；一n型外延层；一n型限制层；一第一n型AlInN波导层；一第二n型AlInN波导层；一有源区；一AlInN波导层；一p型电子阻挡层；一p型AlInN波导层；一p型限制层，其制作在p型AlGaN波导层上，该p型限制层的中间为一凸起的脊形；一p型掺杂/p型重掺接触层；一p型欧姆电极以及一n型欧姆电极。本发明采用AlInN材料代替AlGaN材料作为氮化镓基近紫外激光器的波导层，在同样的生长温度下，AlInN的晶体质量更好，缺陷密度更低，减少了由缺陷和杂质引起的光学吸收。AlInN更容易通过改变组分获得更大的折射率差，将光场更好地限制在有源区附近，增大了激光器的光学限制因子。

公开(公告)号：CN105449522B

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201511001357.2

申请日：2015-12-28

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 杨静 ,  赵德刚 ,  陈平 ,  朱建军

IPC: H01S5/343

Abstract: 本发明公开了一种绿光激光器外延片，其从下向上的顺序依次包括：蓝宝石衬底、低温成核层、高温非掺杂GaN层、高温n型GaN层、高温n型AlGaN限制层、非掺杂下波导层、InGaN/GaN多量子阱发光层结构、p型AlGaN电子阻挡层、非掺杂上波导层、p型AlGaN限制层、p型GaN层。本发明通过降低V型缺陷的密度，减少高In组分InGaN量子阱中富In区的密度，提高量子阱的In组分均匀性，从而提高绿光激光器中InGaN/GaN多量子阱的热稳定性，为制备高性能的绿光激光器奠定基础。

公开(公告)号：CN109461796A

公开(公告)日：2019-03-12

申请号：CN201811213531.3

申请日：2018-10-17

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 彭莉媛 ,  赵德刚 ,  梁锋 ,  杨静 ,  朱建军 ,  刘宗顺

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/06

Abstract: 本发明提供了一种InGaN/(In)GaN量子阱结构的制造方法及LED外延片。InGaN/(In)GaN量子阱结构包括依次生成的N个量子阱，其中N≥1，第i个(1≤i≤N)量子阱的制造方法包括：若i＝1，则在预设基础结构上形成第一垒层，否则在第i-1个量子阱上形成第一垒层；在第一垒层上通入第i预设数量的In原子；在第一垒层上形成InGaN阱层；在InGaN阱层上形成盖层；在盖层上形成第二垒层。本发明解决了光电器件的发光效率低和发光均匀性差的问题，达到了提高光电器件的发光效率和发光均匀性的效果。

公开(公告)号：CN104393088B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201410592387.4

申请日：2014-10-29

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 杨静 ,  赵德刚 ,  乐伶聪 ,  李晓静 ,  何晓光

IPC: H01L31/0725 ,  H01L31/0735 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0304

CPC classification number: Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种InGaN/AlInGaN多量子阱太阳能电池结构，包括：一衬底；在衬底上依序制作有低温成核层、非故意掺杂缓冲层、n型掺杂GaN层、非掺杂InGaN/AlInGaN多量子阱层、P型掺杂氮化镓层，该n型掺杂GaN层上面的一侧有一台面，该台面上制作一N型欧姆电极，一P型欧姆电极，其制作在P型接触层上。本发明可以增加多量子阱太阳能电池吸收层的总电场，提高载流子的分离效率，从而提高太阳能电池的转换效率。

公开(公告)号：CN104332545A

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201410443191.9

申请日：2014-09-02

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 杨静 ,  赵德刚 ,  乐伶聪 ,  李晓静 ,  何晓光

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/00 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/005 ,  H01L2933/0008 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/34353

Abstract: 本发明公开了一种低电阻率P型铝镓氮材料及其制备方法，该制备方法包括：对衬底升温，在氢气环境下热处理，去除衬底表面的杂质；在衬底上生长低温成核层，为后续生长材料提供成核中心；在低温成核层上生长一层非故意掺杂模板层；在非故意掺杂模板层上低温外延生长一层低碳杂质浓度的P型铝镓氮层；在氮气环境下，高温退火使P型铝镓氮层中受主激活，得到低电阻率P型铝镓氮材料。利用本发明，通过更改生长条件，降低低温生长的P型铝镓氮材料中非故意掺杂的碳杂质的浓度，从而减轻了受主补偿作用，达到降低P型铝镓氮材料电阻率的目的。

公开(公告)号：CN104201220A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201410426193.7

申请日：2014-08-26

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 杨静 ,  赵德刚 ,  陈平 ,  刘宗顺 ,  江德生

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0352

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/0392

Abstract: 一种含有低温插入层的铟镓氮/氮化镓多量子阱太阳能电池，包括：一衬底；一低温成核层，其制作在衬底上，该低温成核层为后续生长氮化镓材料提供成核中心；一非故意掺杂氮化镓缓冲层，其制作在低温成核层上；一n型掺杂氮化镓层，其制作在非故意掺杂氮化镓缓冲层上；一非故意掺杂多量子阱层，其制作在n型掺杂氮化镓层上面的一侧，另一侧的n型掺杂氮化镓层上面形成一台面，该非故意掺杂多量子阱层为铟镓氮太阳能电池的吸收层；一p型掺杂氮化镓层，其制作在非故意掺杂多量子阱层上；一N型欧姆电极，其制作在n型掺杂氮化镓层上的台面上；一P型欧姆电极，其制作在p型掺杂氮化镓层上。本发明具有增加入射光的吸收，并提高载流子的分离效率的优点。

公开(公告)号：CN103956653A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201410204718.2

申请日：2014-05-15

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 乐伶聪 ,  赵德刚 ,  江德生 ,  刘宗顺 ,  陈平 ,  杨静 ,  何晓光 ,  李晓静 ,  杨辉

IPC: H01S5/06

Abstract: 一种减小GaN基蓝紫光端发射激光器中电子泄漏的方法，包括以下步骤：步骤1：在一蓝宝石衬底上依序制作低温成核层、n型接触和电流扩展层、n型AlGaN限制层、n型GaN波导层、InGaN/GaN量子阱有源区、InGaN插入层、AlGaN电子阻挡层、p型GaN波导层、p型AlGaN限制层和p型GaN接触层；步骤2：采用光刻的方法，在p型GaN接触层上面的一侧向下刻蚀，刻蚀深度到达n型接触和电流扩展层，使n型接触和电流扩展层的表面形成一台面；步骤3：在n型接触和电流扩展层表面形成的台面上制作n型电极；步骤4：在p型GaN接触层的上表面制作一p型电极，完成制备。本发明可以提高电子跃过AlGaN电子阻挡层的有效势垒高度，从而减小电子泄漏，提高GaN基蓝紫光激光器性能。

公开(公告)号：CN103094378A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201310031285.0

申请日：2013-01-28

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 杨静 ,  赵德刚 ,  李亮 ,  吴亮亮 ,  乐伶聪 ,  李晓静 ,  何晓光

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/06

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 一种含有变In组分InGaN/GaN多层量子阱结构的太阳能电池，包括：一衬底；在衬底上依序制作有低温氮化镓成核层、非故意掺杂氮化镓缓冲层、n型掺杂GaN层、第一非掺杂高In组分量子阱层、第二非掺杂低In组分量子阱层、非掺杂低In组分量子阱层、P型掺杂氮化镓层，该n型掺杂GaN层上面的一侧有一台面，该台面上制作一N型欧姆电极，一P型欧姆电极，其制作在P型接触层上。本发明可以有效的利用不同波段的太阳光，提高太阳能电池的转换效率。

公开(公告)号：CN120051058A

公开(公告)日：2025-05-27

申请号：CN202510183443.7

申请日：2025-02-19

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 赵德刚 ,  赵全普 ,  孙兆兰 ,  杨静 ,  梁锋 ,  侯玉菲 ,  杨倩 ,  刘宗顺 ,  陈平

IPC: H10F77/20 ,  H10F30/227 ,  H10F30/222 ,  H10F71/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/34

Abstract: 本发明提供了一种氮化铝真空探测器，可应用于半导体及光电子材料技术领域，该真空探测器包括：蓝宝石衬底；氮化铝外延层，氮化铝外延层位于衬底上，其中，氮化铝外延层的局部区域包含硅原子，包含硅原子的区域在氮化铝外延层表面的投影不完全覆盖其表面；第一电极，位于氮化铝外延层包含硅原子的区域表面；以及第二电极，位于氮化铝外延层不包含硅原子的区域表面。通过在氮化铝外延层中局部注入高浓度硅杂质，使得氮化铝外延层与第一电极形成良好的欧姆接触，而第二电极与氮化铝外延层形成肖特基接触，构建出相对MSM结构探测器响应更快且无需加较高偏压的肖特基结探测器。

公开(公告)号：CN118231511A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202410397054.X

申请日：2024-04-02

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 赵德刚 ,  孙兆兰 ,  杨静 ,  梁锋 ,  刘宗顺 ,  陈平

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种基于PN异质结的氮化铝真空探测器及其制备方法，包括：蓝宝石衬底；在蓝宝石衬底上依次叠置的氮化铝缓冲层、氮化铝外延层和P型铝镓氮层；氮化铝层、二氧化硅绝缘膜和第一Ti/Al/Ti/Au层沿第一方向并列覆盖于P型铝镓氮层上，其中第一方向为垂直于叠置方向；Ni/Au电极，设置在氮化铝层上；第二Ti/Al/Ti/Au层，设置于Ni/Au电极上。该装置受表面态影响小，能在不外加偏压的条件下工作，提高了氮化铝真空探测器的响应性能。