公开(公告)号：CN120051058A

公开(公告)日：2025-05-27

申请号：CN202510183443.7

申请日：2025-02-19

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 赵德刚 ,  赵全普 ,  孙兆兰 ,  杨静 ,  梁锋 ,  侯玉菲 ,  杨倩 ,  刘宗顺 ,  陈平

IPC: H10F77/20 ,  H10F30/227 ,  H10F30/222 ,  H10F71/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/34

Abstract: 本发明提供了一种氮化铝真空探测器，可应用于半导体及光电子材料技术领域，该真空探测器包括：蓝宝石衬底；氮化铝外延层，氮化铝外延层位于衬底上，其中，氮化铝外延层的局部区域包含硅原子，包含硅原子的区域在氮化铝外延层表面的投影不完全覆盖其表面；第一电极，位于氮化铝外延层包含硅原子的区域表面；以及第二电极，位于氮化铝外延层不包含硅原子的区域表面。通过在氮化铝外延层中局部注入高浓度硅杂质，使得氮化铝外延层与第一电极形成良好的欧姆接触，而第二电极与氮化铝外延层形成肖特基接触，构建出相对MSM结构探测器响应更快且无需加较高偏压的肖特基结探测器。

公开(公告)号：CN116072736A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202310100927.1

申请日：2023-01-18

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 杨倩 ,  杨静 ,  赵德刚 ,  张臻琢

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/201

Abstract: 本发明公开了一种消除纳米管缺陷的肖特基二极管及其制备方法，包括由下至上设置的第一掺杂硅N型层和第二掺杂硅N型层，其特征在于，还包括：AlGaN插入层，设置于第一掺杂硅N型层与第二掺杂硅N型层之间，用于消除氮化镓中纳米管缺陷。本发明提供的肖特基二极管利用铝原子的迁移率较低的特点，在材料生长过程中加入一层铝镓氮可以使铝原子在纳米管的空心附近成核，从而阻止了纳米管继续向上延伸，实现消除纳米管缺陷的目的，进而降低了肖特基二极管的漏电流。

公开(公告)号：CN120051057A

公开(公告)日：2025-05-27

申请号：CN202510183354.2

申请日：2025-02-19

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 赵全普 ,  赵德刚 ,  孙兆兰 ,  杨静 ,  梁锋 ,  侯玉菲 ,  杨倩 ,  刘宗顺 ,  陈平

IPC: H10F77/20 ,  H10F30/227 ,  H10F30/222 ,  H10F71/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/34

Abstract: 本发明提供了一种基于异质结的氮化铝真空探测器，可应用于半导体及光电子材料技术领域，该真空探测器包括：依次设置的蓝宝石衬底、氮化铝外延层、n型氮化铝镓层、氮化铝层；还包括，第一电极，位于氮化铝层远离蓝宝石衬底的一侧；第二电极，位于n型氮化铝镓层远离蓝宝石衬底的一侧；以及绝缘层，位于n型氮化铝镓层远离蓝宝石衬底的一侧，且位于氮化铝层与第二电极之间，其中，氮化铝层与n型氮化铝镓层之间形成异质结。通过设置高掺杂浓度的n型氮化铝镓层和未掺杂的氮化铝层，使得耗尽区主要分布在氮化铝层中，使得氮化铝层中有较高的电场强度，利于载流子的分离和运输。