公开(公告)号：CN102832272A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201210319268.2

申请日：2012-08-31

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 李亮 ,  赵德刚 ,  江德生 ,  刘宗顺 ,  陈平 ,  吴亮亮 ,  乐伶聪 ,  杨辉

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种InGaN太阳能电池及其制作方法，包括：一衬底；一GaN缓冲层制作在衬底上；一N型GaN欧姆接触层制作在GaN缓冲层上；一本征InGaN吸收层制作在N型GaN欧姆接触层上面的一侧，N型GaN欧姆接触层的另一侧形成一台面；一GaN保护层制作在本征InGaN吸收层上；一P型GaN层制作在低温GaN保护层上；一P型GaN欧姆接触层制作在P型GaN层上；一电流扩展层制作在P型GaN欧姆接触层上；一P型欧姆接触电极制作在电流扩展层上；一N型欧姆接触电极，该N型欧姆接触电极制作在N型GaN欧姆接触层的台面上。本发明具有提高InGaN太阳能电池效率的优点。

公开(公告)号：CN103094378A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201310031285.0

申请日：2013-01-28

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 杨静 ,  赵德刚 ,  李亮 ,  吴亮亮 ,  乐伶聪 ,  李晓静 ,  何晓光

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/06

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 一种含有变In组分InGaN/GaN多层量子阱结构的太阳能电池，包括：一衬底；在衬底上依序制作有低温氮化镓成核层、非故意掺杂氮化镓缓冲层、n型掺杂GaN层、第一非掺杂高In组分量子阱层、第二非掺杂低In组分量子阱层、非掺杂低In组分量子阱层、P型掺杂氮化镓层，该n型掺杂GaN层上面的一侧有一台面，该台面上制作一N型欧姆电极，一P型欧姆电极，其制作在P型接触层上。本发明可以有效的利用不同波段的太阳光，提高太阳能电池的转换效率。

公开(公告)号：CN103077964A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201310020078.5

申请日：2013-01-18

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 吴亮亮 ,  赵德刚 ,  江德生 ,  刘宗顺 ,  陈平 ,  李亮 ,  乐伶聪 ,  杨辉

IPC: H01L29/45 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开了一种改进p-GaN薄膜欧姆接触的材料结构及其制备方法，该材料结构包括：衬底(1)；生长在该衬底(1)上的缓冲层(2)；生长在该缓冲层(2)上的n-GaN薄膜层(3)；生长在该n-GaN薄膜层(3)上的p-GaN薄膜层(4)；以及生长在该p-GaN薄膜层(4)上的重掺杂p-GaN薄膜层(5)。本发明是在p-GaN薄膜与金属之间插入一层很薄的具有大量缺陷的重掺杂p-GaN层，通过低温生长或者离子注入等方法使得重掺杂p-GaN层内拥有大量的缺陷能级，使得载流子可以通过变程跳跃或者缺陷能级辅助完成载流子输运，进而可以降低其与接触金属的比接触电阻率，改善p-GaN薄膜的欧姆接触性能。

公开(公告)号：CN103094378B

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201310031285.0

申请日：2013-01-28

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 杨静 ,  赵德刚 ,  李亮 ,  吴亮亮 ,  乐伶聪 ,  李晓静 ,  何晓光

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/065

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 一种含有变In组分InGaN/GaN多层量子阱结构的背入射太阳能电池，包括：一衬底；在衬底上依序制作有低温氮化镓成核层、非故意掺杂氮化镓缓冲层、n型掺杂GaN层、第一非掺杂高In组分量子阱层、第二非掺杂低In组分量子阱层、非掺杂低In组分量子阱层和P型掺杂氮化镓层，该n型掺杂GaN层上面的一侧有一台面，该台面上制作一N型欧姆电极，一P型欧姆电极，其制作在P型掺杂氮化镓层上。本发明可以有效的利用不同波段的太阳光，提高太阳能电池的转换效率。

公开(公告)号：CN102832272B

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201210319268.2

申请日：2012-08-31

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 李亮 ,  赵德刚 ,  江德生 ,  刘宗顺 ,  陈平 ,  吴亮亮 ,  乐伶聪 ,  杨辉

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种InGaN太阳能电池及其制作方法，包括：一衬底；一GaN缓冲层制作在衬底上；一N型GaN欧姆接触层制作在GaN缓冲层上；一本征InGaN吸收层制作在N型GaN欧姆接触层上面的一侧，N型GaN欧姆接触层的另一侧形成一台面；一GaN保护层制作在本征InGaN吸收层上；一P型GaN层制作在低温GaN保护层上；一P型GaN欧姆接触层制作在P型GaN层上；一电流扩展层制作在P型GaN欧姆接触层上；一P型欧姆接触电极制作在电流扩展层上；一N型欧姆接触电极，该N型欧姆接触电极制作在N型GaN欧姆接触层的台面上。本发明具有提高InGaN太阳能电池效率的优点。