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公开(公告)号：CN102832272B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201210319268.2
申请日：2012-08-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种InGaN太阳能电池及其制作方法，包括：一衬底；一GaN缓冲层制作在衬底上；一N型GaN欧姆接触层制作在GaN缓冲层上；一本征InGaN吸收层制作在N型GaN欧姆接触层上面的一侧，N型GaN欧姆接触层的另一侧形成一台面；一GaN保护层制作在本征InGaN吸收层上；一P型GaN层制作在低温GaN保护层上；一P型GaN欧姆接触层制作在P型GaN层上；一电流扩展层制作在P型GaN欧姆接触层上；一P型欧姆接触电极制作在电流扩展层上；一N型欧姆接触电极，该N型欧姆接触电极制作在N型GaN欧姆接触层的台面上。本发明具有提高InGaN太阳能电池效率的优点。
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公开(公告)号：CN101369825B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200710120285.2
申请日：2007-08-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明一种四端口微带传输线网络串扰测量装置，其特性在于，其中包括：一矢量网络分析仪，该矢量网络分析仪包括一数据端及两信号端，两信号端各连接一条同轴电缆；多个同轴标准，该多个同轴标准与矢量网络分析仪的信号端配合，用于插接测量待测电路；一数字信号处理器，该数字信号处理器通过一数据线与矢量网络分析仪的数据端连接，接收矢量网络分析仪测量的数据进行运算。
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公开(公告)号：CN102176607A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110054481.0
申请日：2011-03-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/042
Abstract: 本发明提供一种TO封装的VCSEL二维圆形阵列模块的驱动转接装置，包括：一TO管座；一TO管壳，该TO管壳扣置于TO管座上，该TO管壳用于放置TO管壳封装的VCSEL阵列；三个交流的信号输入端，该每一信号输入端与TO管座对应的管脚之间通过一电容连接，该交流的信号输入端为VCSEL提供交流驱动；三个直流的信号输入端，该每一信号接收端与TO管座对应的管脚之间通过一电感连接，该直流的信号输入端为TO管壳封装的VCSEL提供直流偏置。
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公开(公告)号：CN101369825A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200710120285.2
申请日：2007-08-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明一种四端口微带传输线网络串扰测量装置，其特性在于，其中包括：一矢量网络分析仪，该矢量网络分析仪包括一数据端及两信号端，两信号端各连接一条同轴电缆；多个同轴标准，该多个同轴标准与矢量网络分析仪的信号端配合，用于插接测量待测电路；一数字信号处理器，该数字信号处理器通过一数据线与矢量网络分析仪的数据端连接，接收矢量网络分析仪测量的数据进行运算。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103094378A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201310031285.0
申请日：2013-01-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/06
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 一种含有变In组分InGaN/GaN多层量子阱结构的太阳能电池，包括：一衬底；在衬底上依序制作有低温氮化镓成核层、非故意掺杂氮化镓缓冲层、n型掺杂GaN层、第一非掺杂高In组分量子阱层、第二非掺杂低In组分量子阱层、非掺杂低In组分量子阱层、P型掺杂氮化镓层，该n型掺杂GaN层上面的一侧有一台面，该台面上制作一N型欧姆电极，一P型欧姆电极，其制作在P型接触层上。本发明可以有效的利用不同波段的太阳光，提高太阳能电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN103077964A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310020078.5
申请日：2013-01-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种改进p-GaN薄膜欧姆接触的材料结构及其制备方法，该材料结构包括：衬底(1)；生长在该衬底(1)上的缓冲层(2)；生长在该缓冲层(2)上的n-GaN薄膜层(3)；生长在该n-GaN薄膜层(3)上的p-GaN薄膜层(4)；以及生长在该p-GaN薄膜层(4)上的重掺杂p-GaN薄膜层(5)。本发明是在p-GaN薄膜与金属之间插入一层很薄的具有大量缺陷的重掺杂p-GaN层，通过低温生长或者离子注入等方法使得重掺杂p-GaN层内拥有大量的缺陷能级，使得载流子可以通过变程跳跃或者缺陷能级辅助完成载流子输运，进而可以降低其与接触金属的比接触电阻率，改善p-GaN薄膜的欧姆接触性能。
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公开(公告)号：CN102832272A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210319268.2
申请日：2012-08-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种InGaN太阳能电池及其制作方法，包括：一衬底；一GaN缓冲层制作在衬底上；一N型GaN欧姆接触层制作在GaN缓冲层上；一本征InGaN吸收层制作在N型GaN欧姆接触层上面的一侧，N型GaN欧姆接触层的另一侧形成一台面；一GaN保护层制作在本征InGaN吸收层上；一P型GaN层制作在低温GaN保护层上；一P型GaN欧姆接触层制作在P型GaN层上；一电流扩展层制作在P型GaN欧姆接触层上；一P型欧姆接触电极制作在电流扩展层上；一N型欧姆接触电极，该N型欧姆接触电极制作在N型GaN欧姆接触层的台面上。本发明具有提高InGaN太阳能电池效率的优点。
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公开(公告)号：CN103094378B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201310031285.0
申请日：2013-01-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/065
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 一种含有变In组分InGaN/GaN多层量子阱结构的背入射太阳能电池，包括：一衬底；在衬底上依序制作有低温氮化镓成核层、非故意掺杂氮化镓缓冲层、n型掺杂GaN层、第一非掺杂高In组分量子阱层、第二非掺杂低In组分量子阱层、非掺杂低In组分量子阱层和P型掺杂氮化镓层，该n型掺杂GaN层上面的一侧有一台面，该台面上制作一N型欧姆电极，一P型欧姆电极，其制作在P型掺杂氮化镓层上。本发明可以有效的利用不同波段的太阳光，提高太阳能电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN102176607B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201110054481.0
申请日：2011-03-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/042
Abstract: 本发明提供一种TO封装的VCSEL二维圆形阵列模块的驱动转接装置，包括：一TO管座；一TO管壳，该TO管壳扣置于TO管座上，该TO管壳用于放置TO管壳封装的VCSEL阵列；三个交流的信号输入端，该每一信号输入端与TO管座对应的管脚之间通过一电容连接，该交流的信号输入端为VCSEL提供交流驱动；三个直流的信号输入端，该每一信号接收端与TO管座对应的管脚之间通过一电感连接，该直流的信号输入端为TO管壳封装的VCSEL提供直流偏置。
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