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公开(公告)号：CN103956358A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410193836.8
申请日：2014-05-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L25/075 , H01L33/64
Abstract: 一种LED模组的散热结构，包括：一散热基板；一粘结层，其形成在散热基板的上面；多个LED芯片，其均匀粘接在粘结层的上面；一侧面散热材料，其填充在各LED芯片之间。本发明具有结构简单、工作温度降低、热阻小及散热效果好的优点。本发明还提供一种LED模组的散热结构的散热方法。
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公开(公告)号：CN103808496A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201410077532.5
申请日：2014-03-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明提供了一种LED光源阵列投影测试装置，该LED光源阵列投影测试装置包括：扩束元件，位于被测试LED光源阵列的光路后端；投影元件，位于扩束元件的光路后端；以及投影面，位于投影元件的光路后端；其中，被测试LED光源阵列发出的光束经由扩束元件进行扩束放大后，由投影元件投影至投影面，被测试LED阵列中的单颗LED光源与投影面上的位置具有对应关系。本发明LED光源阵列投影测试装置仅使用透镜和反射镜即可将光源点阵模块通过类似投影的方式呈现在任意平面上，目测即可快速找到故障点，装置结构简单，测试过程方便快捷、成本较低。
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公开(公告)号：CN103579461A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310553763.4
申请日：2013-11-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/0066 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/3065 , H01L27/15 , H01L33/50 , H01L2933/0016 , H01L2933/0041
Abstract: 本发明提供了一种制备晶圆级全彩LED显示阵列的方法。该方法包括：步骤A，在衬底上生长GaN材料，制备GaN外延片；步骤B，通过深刻蚀工艺在所述GaN外延片上形成多个独立的LED结构；以及步骤F，对准不同列的LED结构，在蓝宝石衬底背面涂敷不同荧光粉，以形成红、绿、蓝LED芯片，从而形成晶圆级全彩LED显示阵列。本发明制备晶圆级全彩LED显示阵列的方法由逐列涂覆的荧光粉直接在LED蓝宝石wafer上实现全彩显示，从而实现了晶圆级LED显示阵列的像素尺寸小于500um。
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公开(公告)号：CN103470992A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310449655.2
申请日：2013-09-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: F21S2/00 , F21V7/00 , F21Y101/02
Abstract: 本发明公开了一种投影式照明系统，其包括：投影系统，用于提供投影式照明系统的投射光线。控制系统，用于控制各个系统之间的互联通信，反射系统，用于将投影系统发出的投射光线转换成特定范围内的照明光线。本发明提出的上述方案利用投影原理将基础光线投影至反射系统，利用该投影区域作为照明光源，经反射后的光线用于普通照明或特殊照明。该系统能够为照明环境提供最佳的灵活性，而高效光源和投影系统为该系统提供了足够的光利用效率。
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公开(公告)号：CN102867837A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210340102.9
申请日：2012-09-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L27/15
Abstract: 一种阵列式高压LED器件的制作方法，包括：在外延结构的P型氮化镓层上制作掩膜，选择性刻蚀外延结构，形成N型台阶结构；在外延结构的N型氮化镓层的表面制作掩膜，形成隔离的深槽；进行高温硫磷酸腐蚀；在刻蚀后的外延结构的表面沉积绝缘介质层；腐蚀掉深槽侧壁以外的绝缘介质层；在相邻的各N型台阶结构之间制作透明导电层；部分腐蚀掉最外侧的N型台阶结构上面的P型氮化镓层表面的透明导电层；在其上制作P金属电极和N金属电极。本发明可以减少电极吸光，增加芯片外延的侧面与底部出光面积，与后工艺相互配合，可以提高高压发光二极管芯片的发光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102157640B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110064300.2
申请日：2011-03-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法，包括：采用金属有机化学气相沉积的方法，在半导体衬底上依次生长低温GaN缓冲层、不掺杂GaN层、N-GaN层、多量子阱层和P-GaN层，形成GaN外延片；将GaN外延片放入蒸发台，在P-GaN层的表面蒸镀CsCl或氯化物；蒸镀结束后，向蒸发台腔室中充入水汽，控制相对湿度使P-GaN层表面的CsCl或氯化物吸收水分逐渐长大形成CsCl或氯化物的纳米岛；将CsCl或氯化物纳米岛作为刻蚀掩膜，对GaN外延片进行刻蚀，形成表面粗化的GaN外延片；再将GaN外延片的一侧进行刻蚀，形成台面；在GaN外延片的上表面蒸镀一层ITO薄膜；在GaN外延片的上表面制作P电极，在台面上制作N电极，完成器件制备。
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公开(公告)号：CN102709410A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210180419.0
申请日：2012-06-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种纳米柱发光二极管的制作方法，包括：在蓝宝石衬底上依次外延u-GaN层、n型GaN层、二氧化硅掩蔽层和聚苯乙烯球；采用加热和ICP的方法，刻蚀聚苯乙烯球；采用加温处理，使聚苯乙烯球在二氧化硅掩蔽层的表面有稍微塌陷，把点接触变成面接触；在其上蒸金属；去除聚苯乙烯球表面的金属；采用加热处理和刻蚀二氧化硅掩蔽层；酸液腐蚀去掉金属掩膜，形成二氧化硅纳米孔状阵列结构；在其上依次外延MQW层、EBL层和p-GaN层，形成基片，在基片上生长ITO透明电极；分割成小芯片，将小芯片置于BOE溶液中超声时间为80s，使二氧化硅纳米孔状阵列结构的二氧化硅掩蔽层被腐蚀掉后，被空气包覆，完成器件的制备。该方法使用自组装技术，工艺简单，技术先进，有利于大规模生产。
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公开(公告)号：CN102637787A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210124792.4
申请日：2012-04-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种无间断生长高质量InGaN/GaN多量子阱的方法，包括：在蓝宝石图形衬底上外延生长uGaN，在uGaN上生长nGaN，然后在nGaN上生长MQW应力释放层；在MQW应力释放层上外延生长InGaN/GaN多量子阱；在InGaN/GaN多量子阱上重复生长多个InGaN/GaN多量子阱；在该多个InGaN/GaN多量子阱上生长GaN基LED所需的pAlGaN和pGaN。本发明选用金属有机物化学气相沉积法，利用在切换量子阱和垒生长条件过程中保持GaN生长，即进行量子阱无间断生长，缩短了多量子阱生长所需的时间，大大提高了生产效率，同时获取高质量InGaN/GaN多量子阱的LED外延片。
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公开(公告)号：CN102544289A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210056638.8
申请日：2012-03-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种将氮化镓基发光二极管的外延结构表面粗化的方法，包括以下步骤：步骤1：取一外延结构；步骤2：配制一预定比例的混合溶液，将外延结构表面浸入混合溶液中，随即捞出；步骤3：烘干，从而在外延结构的表面形成规则排列的由混合溶液析出的颗粒掩膜；步骤4：以所述的颗粒掩膜作为掩膜，对外延结构表面进行刻蚀，使得外延结构表面粗糙化；步骤5：清洗去掉外延结构上的掩膜，完成粗化方法的制备。本发明的方法是与后工艺相互配合，可以提高发光二极管芯片的提取效率。该方法还具有制作工艺简单、成本极低，而且比较环保等优点。
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公开(公告)号：CN102534769A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210075720.5
申请日：2012-03-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法，包括以下步骤：步骤1：采用MOCVD技术，对图形衬底进行高温处理后，降温；步骤2：在图形衬底上生长一氮化物成核层；步骤3：退火，实现成核层再结晶；步骤4：在结晶后的氮化物成核层上生长一第一非故意掺杂氮化镓层；步骤5：在第一非故意掺杂氮化镓层上生长一第二非故意掺杂氮化镓层；步骤6：在第二非故意掺杂氮化镓层上依次生长N型氮化镓层、有源层和P型氮化镓层，得到完整外延结构。本发明可以使得氮化镓外延层有较低的缺陷密度一尤其是穿透性位错缺陷，因此能有效的提高器件的效率和使用寿命，同时该发明方法具有很宽的生长工艺窗口。
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