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公开(公告)号：CN102231374B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201110174762.X
申请日：2011-06-27
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L23/538 , H01L27/144
Abstract: 本发明公开了一种应用于背照射线列红外焦平面探测器的高稳定性倒焊基板。在抛光的蓝宝石或陶瓷衬底上制备多层金属膜，包括接触层、导电层、阻挡层、粘附层，通过干法刻蚀和湿法腐蚀形成与光敏芯片和读出电路互连的图形，连通率达到99％以上，然后制作绝缘层，最后沉积互连的In柱凸点。这种多层金属薄膜结构的倒焊基板具有良好的热稳定性，烘烤温度可以达到85℃以上，可以实现具有高温稳定性的线列红外焦平面探测器。
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公开(公告)号：CN101692456B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200910197301.7
申请日：2009-10-16
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144 , H01L31/105 , H01L31/0232 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种集成滤光微结构的InGaAs线列或面阵探测器，它由InP衬底、N型InP层、氮化硅钝化层、InGaAs吸收层、P型InP帽层、P电极区、中心波长在λ1的Si/SiO2滤光微结构薄膜、中心波长在λ2的Si/SiO2滤光微结构薄膜和P电极互连层和N电极区组成。滤光微结构是基于法布里-珀罗谐振腔结构设计的带通型滤光片，选用Si和SiO2作为高折射率(nH)材料和低折射率(nL)材料。本发明的优点：滤光片微结构直接生长在InGaAs探测器芯片上，避免了多波段之间可能存在的“串色”和杂散光的进入，同时有利于两个波段尽可能靠近，缩短对同一目标探测的时间延迟。
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公开(公告)号：CN102544222A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210019114.1
申请日：2012-01-20
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种平面型子像元结构铟镓砷红外探测器芯片制备方法，其步骤包括：1)外延材料清洗，2)淀积氮化硅扩散掩膜，3)第一次光刻，4)开子像元扩散窗口，5)光刻胶剥离，6)闭管扩散，7)开管取片，8)第二次光刻，9)生长P电极，10)光刻胶剥离，11)淀积二氧化硅增透膜，12)P电极退火，13)第三次光刻，14)开P电极孔，15)光刻胶剥离，16)第四次光刻，17)加厚P电极，18)光刻胶剥离，19)背面抛光，20)生长N电极，21)划片。所制备的探测器在量子效率不降低的前提下，光敏元响应均匀，增加少数载流子的寿命、降低器件的暗电流；对于线列探测器，这种结构可以有效地降低盲元率，抑制光敏元扩大和串音。
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公开(公告)号：CN100593854C
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200810033431.2
申请日：2008-02-01
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L25/00 , H01L23/488 , H01L23/49
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种大面阵红外焦平面探测器在冷平台上的组装结构及其组装方法，它适用于对大面阵红外焦平面探测器芯片的杜瓦封装。大面阵红外焦平面探测器在微型杜瓦的冷平台上的组装结构包括大面阵红外探测器芯片、基板衬底、微型杜瓦的冷平台、引线电路、滤光片支架、滤光片、由两类共用圆筒组成的冷屏、硅铝丝。本发明通过在基板衬底、滤光片支架和冷屏制备和连接上引入特定的处理方法，来实现了大面阵红外焦平面探测器在微型杜瓦的冷平台上的组装结构，本发明降低了微型杜瓦的冷平台的热容量，缩短了降温时间，同时也有效的抑制了杂散光和降低了微型杜瓦组件的寄生热负载。
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公开(公告)号：CN101614610A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200910055333.3
申请日：2009-07-24
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明公开了一种测量InGaAs探测器偏振敏感响应的装置，它由光源系统、偏振态控制系统、光阑、待测InGaAs探测器、电流放大器和示波器组成，其中偏振态控制系统由两个格兰－汤普森棱镜组成，用于产生纯净的线偏振光；待测InGaAs探测器置于一侧开孔的圆形柯伐管壳中，并且将光源系统、偏振态控制系统、光阑和待测InGaAs探测器置于光、热屏蔽罩中，通过旋转探测器的方式，使不同振动方向的线偏振光入射到探测器的光敏面上，可得到正入射和斜入射情况下InGaAs探测器的偏振敏感响应。本发明的装置和方法简捷实用、测试精度高，并可推广应用到可见光探测器的偏振敏感响应测试中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100541146C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200710039952.4
申请日：2007-04-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种防非红外辐射入射面响应的碲镉汞红外探测器芯片，该芯片的结构特征是：在光敏元区上开有一红外辐射入射窗口，窗口四周置有Ti/Au抗红外辐射层，碲镉汞薄片侧面除了有阳极氧化层和ZnS层构成的双层钝化层外，还有一层Ti/Au抗红外辐射层。这种结构的优点是：采用侧面生长抗红外辐射层，可以阻挡侧面对红外光线的响应，从而大大减小侧面的噪声。光敏元窗口四周生长抗红外辐射层的目的是为了避免芯片在制备过程中引入钻蚀问题，带来的钝化效果不好，从而这一部分响应所带来的低信噪比；避免器件在制备过程中由于等离子体刻蚀引入的损伤，进一步提高信噪比。本发明的结构特别适合于侧面积与光敏元面积比≥10%，也适用于多元小光敏元器件。
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公开(公告)号：CN101170144A
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200710047624.9
申请日：2007-10-31
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/105 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种InGaAs低台面线列或面阵红外探测器芯片，包括：在p－InP/InGaAs/n－InP外延片上通过刻蚀形成线列或面阵p－InP微台面。在p－InP微台面上置有与其欧姆接触的Au/Zn/Pt/Au/P电极区，在线列或面阵微台面边上有一刻蚀至n－InP层并置于n－InP层上的公共N电极区。除P、N电极区外，整个外延片上，包括侧面覆盖有氮化硅钝化层。在P电极区上置有与读出电路互连的电极互连区，该电极互连区覆盖部分微台面，并从微台面延伸至平面。本发明的优点是：保留的InGaAs层可使台面降低，InGaAs层的侧面得到有效保护。氮化硅钝化层可有效的起到抗反射和减小InP和InGaAs层表面态的作用，可以增加探测器的量子效率和减小暗电流。P电极采用AuZnPtAu，可与p－InP形成很好的欧姆接触，并且Pt可以有效的阻止Zn的外扩散，提高器件可靠性。
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公开(公告)号：CN101144738A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200710047622.X
申请日：2007-10-31
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于焦平面探测器的低温杜瓦的冷平台的支撑机构，该支撑机构由细长薄壁圆柱形的支撑柱和四根斜拉式二端带金属小球的金属丝组成。支撑柱置于杜瓦的悬臂式外壳内，支撑柱上支撑一通过焊接固定的冷平台，冷平台的四个角处各联结有一根金属丝，金属丝与冷平台的联接为球面副联结，金属丝的另一端向下斜拉式与螺接在引线环侧壁上的活动定柱球面副联结。所说的螺接其螺钉既是活动定柱与引线环的螺接螺钉，又是对斜拉式金属丝加载预紧力的螺钉，螺钉外套有固定预紧力的螺帽。本发明的优点是：该支撑机构克服了传统冷平台支撑结构在力学上弊端，保证探测器始终位于光学系统焦面的允许误差范围内。斜拉金属丝与活动定柱和冷平台采用球面副联结，当受到外界连续冲击扰动时，连接处可以自由活动，不会产生疲劳硬伤而断裂。
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公开(公告)号：CN101050978A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200710039952.4
申请日：2007-04-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种防非红外辐射入射面响应的碲镉汞红外探测器芯片，该芯片的结构特征是：在光敏元区上开有一红外辐射入射窗口，窗口四周置有Ti/Au抗红外辐射层，碲镉汞薄片侧面除了有阳极氧化层和ZnS层构成的双层钝化层外，还有一层Ti/Au抗红外辐射层。这种结构的优点是：采用侧面生长抗红外辐射层，可以阻挡侧面对红外光线的响应，从而大大减小侧面的噪声。光敏元窗口四周生长抗红外辐射层的目的是为了避免芯片在制备过程中引入钻蚀问题，带来的钝化效果不好，从而这一部分响应所带来的低信噪比；避免器件在制备过程中由于等离子体刻蚀引入的损伤，进一步提高信噪比。本发明的结构特别适合于侧面积与光敏元面积比≥10％，也适用于多元小光敏元器件。
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公开(公告)号：CN109877479B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201910246112.8
申请日：2019-03-29
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: B23K28/02
Abstract: 本发明公开了一种焦平面探测器两步倒焊工艺方法。本方法先通过回熔焊工艺使光敏芯片和读出电路初步形成互连，再采用高平整度材料作为倒焊过渡结构，通过倒焊过渡结构与初步互连的焦平面模块二次冷压焊使光敏芯片和读出电路实现完全互连。本方法将回熔焊和冷压焊工艺有机融合，充分发挥两种工艺的优点，在减小倒焊随机偏移的同时克服了由芯片平整度和铟柱质量引起的互连不上的问题，从而有效的提高大规模高密度焦平面探测器的连通率和倒焊成品率；本方法不受阵列规模和像元尺寸的限制，可以方便地应用于各种面阵器件。
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