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公开(公告)号：CN101170148A
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200710171387.7
申请日：2007-11-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/111
Abstract: 本发明公开了一种光伏型多量子阱红外探测器，该探测器由SOI晶片，键合在SOI晶片上的光导型多量子阱红外探测器组成。所说的SOI晶片是一种通过高能粒子辐照处理后，在埋氧层中产生固定电荷的晶片。所说的光导型多量子阱红外探测器为GaAs/AlGaAs、GaAs/InGaAs或Si/GeSi多量子阱红外探测器。本发明的优点在于：该探测器不仅具备了光导型多量子阱红外探测器的基本优越性能，同时也解决了光导探测器暗电流较大的缺陷，从而进一步提高了器件的性能。同时，器件的制备也比较简单、易于操作。
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公开(公告)号：CN109473496B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201811274488.1
申请日：2018-10-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/107 , H01L31/18 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种雪崩探测器过渡层结构及制备方法：在与InP晶格匹配的三元或四元InGaAs(P)层与二元InP电荷层之间，采用总厚度在十纳米量级的交替递变的InP和InGaAs(P)多层材料作为过渡层，从而避免采用不易生长的传统多层不同组分的InGaAsP过渡层材料。此过渡层适合采用分子束外延方法生长，且可充分发挥分子束外延可对厚度精确控制的特点，降低了生长含两个V族元素材料在组分控制上的难度，并可方便地进行参数调节和控制。本发明还可以推广到采用分子束外延生长的其他包含两个不同V族元素的异质结过渡层材料。
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公开(公告)号：CN109473496A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811274488.1
申请日：2018-10-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/107 , H01L31/18 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种雪崩探测器过渡层结构及制备方法：在与InP晶格匹配的三元或四元InGaAs(P)层与二元InP电荷层之间，采用总厚度在十纳米量级的交替递变的InP和InGaAs(P)多层材料作为过渡层，从而避免采用不易生长的传统多层不同组分的InGaAsP过渡层材料。此过渡层适合采用分子束外延方法生长，且可充分发挥分子束外延可对厚度精确控制的特点，降低了生长含两个V族元素材料在组分控制上的难度，并可方便地进行参数调节和控制。本发明还可以推广到采用分子束外延生长的其他包含两个不同V族元素的异质结过渡层材料。
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公开(公告)号：CN105161564A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510607541.5
申请日：2015-09-22
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/09 , H01L27/146 , G01J5/20
CPC classification number: H01L31/09 , G01J5/20 , G01J2005/204 , H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种适用于高光谱成像的波段选择性增强量子阱红外焦平面。将等离激元微腔集成到QWIP焦平面像元，该微腔能够有效地捕获入射光子，将其局域在等离激元微腔内形成横向传播的法布里-珀罗共振驻波，并且与微腔中的QWIP耦合转化为光电流从而提升焦平面器件的响应率性能。共振驻波的中心波长取决于微腔的几何尺寸，在不同的焦平面像元上设计制备不同尺寸的微腔将使像元的响应峰值波长也各不相同，形成像元的波段选择性响应。将所选择的波段与高光谱分光波段相对应地分布在焦平面像元上，使高光谱成像应用中各波段的像元响应率得的选择性提升，从而提升整个高光谱成像焦平面的探测灵敏度。
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公开(公告)号：CN102881761B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201110199099.9
申请日：2011-07-15
Applicant: 常州光电技术研究所 , 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/0232 , H01L31/0216 , H01L31/18 , G01J5/20
Abstract: 本发明公开了APD红外探测器及其制作方法，APD红外探测器包括APD及与其相结合的光子耦合腔；光子耦合腔包括金属反射层、透明介质层、金属阻挡环和金属光栅层；金属反射层、透明介质层和金属光栅层按照从下向上的顺序依次生长在APD的p+-InP结上；金属阻挡环位于透明介质层的外围，并连接金属反射层和金属光栅层；金属光栅层为同心的多环金属环结构；金属反射层为两个同心金属环结构。本发明在APD红外探测器的p+-InP结上形成MIM结构的耦合汇聚光栅，通过对入射光的汇聚来缩小APD器件的p+-InP结尺寸，缩小器件的电学有效工作尺寸，从而可以在材料和器件制备工艺走到工艺极限时，在不损失量子效率下进一步抑制暗计数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102175727A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110008829.2
申请日：2011-01-14
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种半导体材料器件中低背景载流子浓度的测定方法，包括步骤：测量待定区域表面的平带电压和光激发条件下的微分电容响应，待测定及邻近区域的数值建模，比较数值模型拟合和实际测量的待测定区域光激发条件下表面微分电容确定平衡载流子浓度。该方法适用于具有复杂结构的半导体材料或器件中背景载流子浓度低于1015cm-3特定功能区域的精确测定，并且能够对集成或阵列器件中单个微观区块实施检测。
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公开(公告)号：CN101551294A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910050313.7
申请日：2009-04-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种检测光照下半导体光探测器件表面漏电通道的方法，该方法是通过测量不同光照强度下器件表面的电容微分信号，判断由光照引起的表面反型层即表面漏电通道的存在。结合测量数据，通过相应的数值模拟，得出测量区域具体漏电通道的大小。利用本方法可以直接、明确地得出器件具体的表面漏电特性，从而为器件漏电的抑制提供有针对性的参数。本发明对于改善器件性能和优化器件设计都有着十分重要的意义。
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公开(公告)号：CN114545620A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210123406.3
申请日：2022-02-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种对非理想刻蚀工艺制备介质超表面的补偿设计方法，该方法基于介质超表面的结构，制备工艺以及等效介质理论提出。通过本发明，一旦知晓了刻蚀工艺在设计要求的刻蚀深度下，不同线宽的版图刻蚀出来的结构形状和尺寸，以本发明给出的补偿方法为指导，在该加工工艺参数不变的前提下，对曝光版图的图形尺寸进行调整，就能够一定程度上减小不理想的刻蚀工艺带来的效率损失。本发明中修正补偿的参数仅包括所设计的曝光版图中图形尺寸的参数。该补偿设计方法能够减少研发基于刻蚀工艺制备介质超表面的周期和成本，并且能够提高基于刻蚀工艺制备的介质超表面的性能。
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公开(公告)号：CN105161564B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201510607541.5
申请日：2015-09-22
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/09 , H01L27/146 , G01J5/20
Abstract: 本发明公开了一种适用于高光谱成像的波段选择性增强量子阱红外焦平面。将等离激元微腔集成到QWIP焦平面像元，该微腔能够有效地捕获入射光子，将其局域在等离激元微腔内形成横向传播的法布里‑珀罗共振驻波，并且与微腔中的QWIP耦合转化为光电流从而提升焦平面器件的响应率性能。共振驻波的中心波长取决于微腔的几何尺寸，在不同的焦平面像元上设计制备不同尺寸的微腔将使像元的响应峰值波长也各不相同，形成像元的波段选择性响应。将所选择的波段与高光谱分光波段相对应地分布在焦平面像元上，使高光谱成像应用中各波段的像元响应率得的选择性提升，从而提升整个高光谱成像焦平面的探测灵敏度。
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公开(公告)号：CN101846808A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010177518.4
申请日：2010-05-14
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种激光选择聚焦器件及其设计方法，激光选择聚焦器件是将具有聚焦功能的激光选择性透镜与普通的光电探测器集成在一起。其中的激光选择性透镜是按照菲涅尔波带片原理蒸镀金属的明暗环制作而成，可以承载在载玻片上，外置于光电探测器外，也可以直接蒸镀在普通的光电探测器的衬底上。该结构器件不仅能够显著削弱激光通信中接收信号的背景噪声，直接提取激光信号并对激光信号进行聚焦，同时能够扩大探测器件的有效光敏面积，提高系统的信噪比。同时，器件的制备也比较简单、易于操作。
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