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公开(公告)号：CN108305912B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN201710018051.0
申请日：2017-01-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 北京正旦国际科技有限责任公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/09 , H01L31/028 , H01L31/0216
Abstract: 本发明提供一种具有波长选择性的石墨烯仿生光探测器及其制备方法，包括步骤：1)提供一基板；2)于所述基板上形成电极器件，包括测试电极、供电引线、供电电极；3)提供石墨烯并转移至所述电极器件上，至少覆盖所述测试电极；4)将上述结构置于反应炉中退火；5)于退火后的所述石墨烯表面形成具有活性基团的活性薄膜；6)于所述活性薄膜表面形成光受体蛋白。本发明将石墨烯与对特定波长光辐射敏感的光受体蛋白相结合，尤其改变了本征石墨烯对光的无选择性吸收并且吸收率低的缺点，灵敏度高，响应和恢复快，稳定性好，另外，本发明工艺过程简单，成本较低，适于批量生产。
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公开(公告)号：CN105097439B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201410221661.7
申请日：2014-05-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 东南大学
Abstract: 本发明提供一种微米铜图形控制硅纳米线精确定位生长的方法，所述方法包括步骤：首先，提供一基板，包括硅基体和位于所述硅基体上的顶绝缘层；然后，在所述顶绝缘层表面制作微米铜图形阵列；最后，进行退火处理，所述微米铜图形阵列在退火过程中被消耗，同时控制生长的硅纳米线穿过所述顶绝缘层并精确定位在所述微米铜图形阵列的位置。本发明通过微电子加工技术在硅基体支撑的氧化硅绝缘层上制作微米铜图形阵列，再在氩气和氢气氛围中退火处理，在微米铜图形阵列处精确定位生长出硅纳米线。该方法工艺简单、效率高且结构体积小，与CMOS工艺的兼容使其有较好的扩展性，在微电子领域、生物检测领域和太阳能电池领域有着较广的使用前景。
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公开(公告)号：CN102923642B
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201210442204.1
申请日：2012-11-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种高深宽比硅结构的侧壁平滑方法，先在硅衬底表面形成氧化硅掩膜，然后根据氧化硅掩膜于硅衬底中制作高深宽比硅结构，接着采用感应耦合等离子体增强化学气相沉积法或喷涂法于所述高深宽比硅结构侧壁形成含氟聚合物，最后去除氧化硅掩膜完成制备。本发明具有以下有益效果：1）本发明工艺简单，可控性强，且与现有半导体工艺完全兼容；2）本发明可实现对原结构完美薄膜包覆，快速提高侧壁的平滑度，且不影响高深宽比硅结构；3）特别适用于传感器件，模具或微流体沟道的应用场合，当高深宽比硅结构用作模具时，疏水性聚合物薄膜的沉积更利于脱模。
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公开(公告)号：CN104370270A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410667606.0
申请日：2014-11-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种精确定位制备氧化硅纳米岛阵列的方法，其特征在于所述的方法是利用牺牲层腐蚀技术，使用接触式曝光光刻和湿法腐蚀工艺，即通过三次光刻工艺和进行三次BOE腐蚀工艺制备。本发明在传统“自上而下”方法的基础上，结合独特的设计，不借助于电子束或聚焦离子束直写，仅用接触式曝光技术结合精确控制地牺牲层腐蚀技术，实现了氧化硅纳米岛阵列的精确定位加工制造。方法设计精巧，工艺简单，制作成本低，易于批量制造。
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公开(公告)号：CN103901085A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410165319.X
申请日：2014-04-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/26 , G01N27/327 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供一种基于硅纳米线隧穿场效应晶体管的生物传感器及制作方法，包括制作具有三角形截面的硅纳米线沟道的硅纳米线隧穿场效应晶体管的步骤、于所述硅纳米线沟道表面进行试剂修饰形成活性薄膜以及于所述活性薄膜表面形成捕获探针的步骤。本发明工艺过程简单，可控性强，与现有半导体工艺完全兼容；成本较低，适于批量生产；器件具有双极特性，对双向检测结果进行对照，保证检测的准确性，特别适合生化分子检测的应用。另外，本发明的硅纳米线传感器中纳米线为三角形截面，该结构与其他纳米线结构（如圆柱，梯形截面）相比，比表面积更大，调制效率更高，且硅纳米线暴露的两（111）面更易形成致密的定向单分子生物敏感膜，对于生化传感有利。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108305912A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201710018051.0
申请日：2017-01-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 北京正旦国际科技有限责任公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/09 , H01L31/028 , H01L31/0216
Abstract: 本发明提供一种具有波长选择性的石墨烯仿生光探测器及其制备方法，包括步骤：1)提供一基板；2)于所述基板上形成电极器件，包括测试电极、供电引线、供电电极；3)提供石墨烯并转移至所述电极器件上，至少覆盖所述测试电极；4)将上述结构置于反应炉中退火；5)于退火后的所述石墨烯表面形成具有活性基团的活性薄膜；6)于所述活性薄膜表面形成光受体蛋白。本发明将石墨烯与对特定波长光辐射敏感的光受体蛋白相结合，尤其改变了本征石墨烯对光的无选择性吸收并且吸收率低的缺点，灵敏度高，响应和恢复快，稳定性好，另外，本发明工艺过程简单，成本较低，适于批量生产。
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公开(公告)号：CN108231901A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201810007579.2
申请日：2018-01-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , G01N27/414
Abstract: 本发明提供一种基于负电容的场效应晶体管、生物传感器及制备方法，场效应晶体管的制备包括：提供半导体衬底，包括底层硅、埋氧层以及顶层硅；定义出沟道图形及连接于两端的源区图形和漏区图形；向所述源区图形及所述漏区图形对应的位置进行性离子注入，形成沟道区以及源区和漏区；于沟道区的表面形成介质层；于介质层表面形成导电层，于导电层表面形成铁电掺杂的铁电性材料层；制作源电极、漏电极以及栅电极。通过上述方案，本发明将传统的场效应晶体管与铁电负电容集成，降低器件的亚阈值摆幅，提高传感灵敏度和响应速度，利于器件功率的降低，另外，本发明采用铁电掺杂的氧化铪作为铁电负电容介质，解决了无机铁电材料难以与CMOS工艺兼容的问题。
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公开(公告)号：CN106841629A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201510882994.9
申请日：2015-12-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 北京正旦国际科技有限责任公司
IPC: G01N33/68
Abstract: 本发明涉及生物传感技术领域，特别是涉及一种基于硅纳米线的气味识别生物传感器。本发明采用硅纳米线作为换能器，其比表面积高，对表面电荷密度改变极为敏感，可实现气相条件下气味分子的高灵敏检测，检测灵敏度达到ppb量级；工艺过程简单，可控性强，可与现有半导体工艺完全兼容；成本较低，适于批量生产。
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公开(公告)号：CN103901085B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201410165319.X
申请日：2014-04-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/26 , G01N27/327 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供一种基于硅纳米线隧穿场效应晶体管的生物传感器及制作方法，包括制作具有三角形截面的硅纳米线沟道的硅纳米线隧穿场效应晶体管的步骤、于所述硅纳米线沟道表面进行试剂修饰形成活性薄膜以及于所述活性薄膜表面形成捕获探针的步骤。本发明工艺过程简单，可控性强，与现有半导体工艺完全兼容；成本较低，适于批量生产；器件具有双极特性，对双向检测结果进行对照，保证检测的准确性，特别适合生化分子检测的应用。另外，本发明的硅纳米线传感器中纳米线为三角形截面，该结构与其他纳米线结构（如圆柱，梯形截面）相比，比表面积更大，调制效率更高，且硅纳米线暴露的两（111）面更易形成致密的定向单分子生物敏感膜，对于生化传感有利。
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公开(公告)号：CN102910578B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201210442236.1
申请日：2012-11-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种采用混合等离子体实现硅基芯片与PDMS芯片键合的方法，首先提供一硅基芯片与一PDMS芯片，采用丙酮和酒精对所述硅基芯片及所述PDMS芯片进行超声清洗，然后采用氧气及第二气体的混合等离子体对所述硅基芯片的键合面及PDMS芯片的键合面进行处理，最后将所述硅基芯片的键合面及PDMS芯片的键合面相互贴合并进行按压，以键合所述硅基芯片及PDMS芯片。具有以下有益效果：1）该方法在常温下进行，克服了高温键合带来的成品率低，操作耗时等缺点；2）该工艺过程简单，成品率高，键合速度快，强度高，不会发生漏液现象；3）由于硅基芯片加工工艺成熟，可以制作复杂结构，硅基芯片与PDMS芯片的键合有助于实现复杂结构的微流控芯片。
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