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公开(公告)号：CN105097439A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201410221661.7
申请日：2014-05-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 东南大学
Abstract: 本发明提供一种微米铜图形控制硅纳米线精确定位生长的方法，所述方法包括步骤：首先，提供一基板，所述基板包括硅基体和位于所述硅基体上的顶绝缘层；然后，在所述顶绝缘层表面制作微米铜图形阵列；最后，进行退火处理，所述微米铜图形阵列在退火过程中被消耗，同时控制生长的硅纳米线穿过所述顶绝缘层并精确定位在所述微米铜图形阵列的位置。本发明通过微电子加工技术在硅基体支撑的氧化硅绝缘层上制作微米铜图形阵列，再在氩气和氢气氛围中退火处理，在微米铜图形阵列处精确定位生长出硅纳米线。该方法工艺简单、效率高且结构体积小，与CMOS工艺的兼容使其有较好的扩展性，在微电子领域、生物检测领域和太阳能电池领域有着较广的使用前景。
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公开(公告)号：CN105097439B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201410221661.7
申请日：2014-05-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 东南大学
Abstract: 本发明提供一种微米铜图形控制硅纳米线精确定位生长的方法，所述方法包括步骤：首先，提供一基板，包括硅基体和位于所述硅基体上的顶绝缘层；然后，在所述顶绝缘层表面制作微米铜图形阵列；最后，进行退火处理，所述微米铜图形阵列在退火过程中被消耗，同时控制生长的硅纳米线穿过所述顶绝缘层并精确定位在所述微米铜图形阵列的位置。本发明通过微电子加工技术在硅基体支撑的氧化硅绝缘层上制作微米铜图形阵列，再在氩气和氢气氛围中退火处理，在微米铜图形阵列处精确定位生长出硅纳米线。该方法工艺简单、效率高且结构体积小，与CMOS工艺的兼容使其有较好的扩展性，在微电子领域、生物检测领域和太阳能电池领域有着较广的使用前景。
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公开(公告)号：CN103995035A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410236223.8
申请日：2014-05-29
Applicant: 东南大学 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/414 , H01L29/772 , H01L21/335
CPC classification number: G01N33/48721
Abstract: 本发明提供用于碱基序列检测的多栅极石墨烯场效应管结构及制备方法，先将半导体层释放，减少结构区域的半导体层厚度。在氧化硅绝缘层上刻蚀出门电极窗口，制作出金属门电极。然后将石墨烯转移到用半导体层支撑的氧化硅绝缘层表面，通过对石墨烯图形化处理得到多条石墨烯微米带。在石墨烯微米带两端面的上表面制作金属源电极和金属漏电极。再制作绝缘层将石墨烯微片和金属门电极、金属源电极和金属漏电极表面覆盖，形成夹心结构。最后，制作纳米孔实现半导体层、氧化硅绝缘层、石墨烯微米带和绝缘层间的贯穿。当待测碱基穿过石墨烯纳米孔时，通过对金属门电极电压调制，在金属源电极端检测到碱基电信号，实现碱基序列的识别。本发明工艺简单、成本低且结构体积小，与CMOS工艺的兼容使其有较好的扩展性，在生物医疗领域有着较广的使用前景。
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公开(公告)号：CN104049112B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201410300612.2
申请日：2014-06-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 东南大学
IPC: G01Q70/12
Abstract: 本发明提供一种硅纳米线探针结构的制作方法，包括：首先提供一包括硅基体和顶绝缘层的基板，刻蚀所述顶绝缘层形成刻蚀窗口；然后利用腐蚀液对所述刻蚀窗口以下的硅基体进行侧蚀，使所述硅基体表面形成金字塔状的探针底座；接着在所述金字塔状的探针底座所对应的顶绝缘层表面制作微米铜图形；再进行退火处理，所述微米铜图形在退火过程中被消耗，同时控制硅纳米线从所述探针底座的尖端长出；最后去除所述顶绝缘层。本发明工艺简单、硅纳米线探针生长长度可控、效率高且结构体积小，与CMOS工艺的兼容使其有较好的扩展性，在扫描探针显微镜领域、微电子领域、生化检测领域有着较广的使用前景。
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公开(公告)号：CN105448743B
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201410395317.X
申请日：2014-08-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 东南大学
IPC: H01L21/34
Abstract: 本发明提供一种二硫化钼场效应管的制作方法。包括：首先提供一包括已经掺杂的硅基体和顶绝缘层的基板，刻蚀所述顶绝缘层形成金属电极填埋窗口；然后在顶绝缘层和金属电极填埋窗口上方沉积金属薄膜；接着利用减薄的方法将顶绝缘层上方金属薄膜去除，得到金属源极和金属漏极；同时可以保持金属电极填埋窗口上方剩余的金属薄膜与顶绝缘层在同一水平高度；在金属源极、金属漏极和顶绝缘层上方制作钝化层，并制作出外接电路窗口和二硫化钼窗口；最后将二硫化钼转移到二硫化钼窗口上，并与金属源极和金属漏极相连接。本发明工艺简单、与CMOS工艺的兼容使其有较好的扩展性，同时可以重复循环使用，在微电子领域和生化检测领域有着较广的使用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105448743A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410395317.X
申请日：2014-08-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 东南大学
IPC: H01L21/34
Abstract: 本发明提供一种二硫化钼场效应管的制作方法。包括：首先提供一包括已经掺杂的硅基体和顶绝缘层的基板，刻蚀所述顶绝缘层形成金属电极填埋窗口；然后在顶绝缘层和金属电极填埋窗口上方沉积金属薄膜；接着利用减薄的方法将顶绝缘层上方金属薄膜去除，得到金属源极和金属漏极；同时可以保持金属电极填埋窗口上方剩余的金属薄膜与顶绝缘层在同一水平高度；在金属源极、金属漏极和顶绝缘层上方制作钝化层，并制作出外接电路窗口和二硫化钼窗口；最后将二硫化钼转移到二硫化钼窗口上，并与金属源极和金属漏极相连接。本发明工艺简单、与CMOS工艺的兼容使其有较好的扩展性，同时可以重复循环使用，在微电子领域和生化检测领域有着较广的使用前景。
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公开(公告)号：CN104049112A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410300612.2
申请日：2014-06-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 东南大学
IPC: G01Q70/12
Abstract: 本发明提供一种硅纳米线探针结构的制作方法，包括：首先提供一包括硅基体和顶绝缘层的基板，刻蚀所述顶绝缘层形成刻蚀窗口；然后利用腐蚀液对所述刻蚀窗口以下的硅基体进行侧蚀，使所述硅基体表面形成金字塔状的探针底座；接着在所述金字塔状的探针底座所对应的顶绝缘层表面制作微米铜图形；再进行退火处理，所述微米铜图形在退火过程中被消耗，同时控制硅纳米线从所述探针底座的尖端长出；最后去除所述顶绝缘层。本发明工艺简单、硅纳米线探针生长长度可控、效率高且结构体积小，与CMOS工艺的兼容使其有较好的扩展性，在扫描探针显微镜领域、微电子领域、生化检测领域有着较广的使用前景。
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公开(公告)号：CN120043929A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202510200102.6
申请日：2025-02-24
Applicant: 东南大学
IPC: G01N15/08
Abstract: 本发明属于管道渗透性能测试装备技术领域，具体公开了一种储氢碳纤维复合材料管道渗透性测试平台、装置及方法，测试平台包括测试样罩、测试法兰盘、外接接头、温控器以及管道系统，管道系统包括第一管道、第二管道、第三管道、第四管道以及第五管道；测试样罩与测试法兰盘连接构成密闭测试腔体；当待测管道安装在所述测试法兰盘的安装部后，所述密闭测试腔体被所述待测管道分成测试内腔和测试外腔；第二管道和第三管与测试内腔连通，第一管道和第四管道与测试外腔连通。该装置能够分别模拟内部/外部低温环境下从管道内部/外部施加高压的实际工况，更加贴合实际使用情况，能精确测试管道在这些极端环境下的气体渗透性能。
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公开(公告)号：CN119970315A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510014856.2
申请日：2025-01-06
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种结构可编程聚乳酸自膨式主动脉支架，利用超弹性体材料对支架骨架进行一体化的可编程结构设计，包括：由近端向远端依次设有弹性约束支撑区、非约束区和全弹性约束区；所述超弹性体及支架骨架材料均为生物可降解聚合物材料；所述支架骨架由高性能单丝编织而成，所述支架的弹性约束支撑区位于升主动脉内，非约束区位于主动脉弓内，而全弹性约束区则位于降主动脉内。本发明能够有效地为主动脉夹层破损区域提供充足的径向支撑，确保在主动脉弓区域具备良好的管腔顺应性和充分供血，同时在降主动脉中能保持良好的贴壁能力以防止其移位。待血管修复后，支架将逐步降解，从而消除因植入引起的一系列并发症隐患，为患者改善治疗条件。
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公开(公告)号：CN114921333B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202210556501.2
申请日：2022-05-18
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种集成式定量检测全血中循环肿瘤DNA的微流控芯片，包括上盖板、第一流道层、第二流道层、第三流道层、PDMS薄膜层、控制层和下盖板。将芯片各层按顺序堆叠可以实现多个模块功能，包括血浆分离模块、DNA提纯模块、混合模块、液滴数字LAMP模块、控制模块。全血与非离液试剂混合后加入血浆分离模块，过滤膜滤出的血浆进入DNA提纯模块进行游离DNA提取，提纯后的DNA和LAMP试剂在混合流道充分混合后，进入液滴数字LAMP模块完成液滴制备与数字LAMP反应，最后根据正负液滴的个数定量出循环肿瘤DNA。本发明涉及的微流控芯片操作简单、污染小、制作成本低，能够实现全血中循环肿瘤DNA的前处理、提纯和定量检测的全片上一体化操作。
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