三维硅纳米线阵列场效应晶体管、生物传感器及制备方法

    公开(公告)号:CN109427908A

    公开(公告)日:2019-03-05

    申请号:CN201710734604.2

    申请日:2017-08-24

    Abstract: 本发明提供一种三维硅纳米线阵列场效应晶体管、生物传感器及制备方法,晶体管制备包括:提供基底,并于基底表面沉积由第一材料层及第二材料层交替的叠层材料层,第二材料层为含硅材料层;形成沟道区及与其两端相连接的源区和漏区的图形;刻蚀叠层材料层,直至暴露出基底;腐蚀上述结构,得到三维硅纳米线阵列沟道、源区及漏区;于硅纳米线沟道表面沉积介质层;于源区、漏区的顶部表面以及纳米线沟道外围的基底上制作源电极、漏电极及栅电极。通过上述方案,本发明的生物传感器具有环栅式结构,可实现360°环绕式感应,硅纳米线场效应晶体管采用三维堆叠的阵列结构,可减小器件尺寸,实现信噪比的提升,省略源漏掺杂的步骤,工艺简单适于批量生产。

    一种精确定位制备氧化硅纳米岛阵列的方法

    公开(公告)号:CN104370270B

    公开(公告)日:2016-05-25

    申请号:CN201410667606.0

    申请日:2014-11-20

    Abstract: 本发明涉及一种精确定位制备氧化硅纳米岛阵列的方法,其特征在于所述的方法是利用牺牲层腐蚀技术,使用接触式曝光光刻和湿法腐蚀工艺,即通过三次光刻工艺和进行三次BOE腐蚀工艺制备。本发明在传统“自上而下”方法的基础上,结合独特的设计,不借助于电子束或聚焦离子束直写,仅用接触式曝光技术结合精确控制地牺牲层腐蚀技术,实现了氧化硅纳米岛阵列的精确定位加工制造。方法设计精巧,工艺简单,制作成本低,易于批量制造。

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