公开(公告)号：CN108231901A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201810007579.2

申请日：2018-01-04

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 高安然 ,  韩清华 ,  赵兰天 ,  赵清太 ,  李铁 ,  王跃林

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  G01N27/414

Abstract: 本发明提供一种基于负电容的场效应晶体管、生物传感器及制备方法，场效应晶体管的制备包括：提供半导体衬底，包括底层硅、埋氧层以及顶层硅；定义出沟道图形及连接于两端的源区图形和漏区图形；向所述源区图形及所述漏区图形对应的位置进行性离子注入，形成沟道区以及源区和漏区；于沟道区的表面形成介质层；于介质层表面形成导电层，于导电层表面形成铁电掺杂的铁电性材料层；制作源电极、漏电极以及栅电极。通过上述方案，本发明将传统的场效应晶体管与铁电负电容集成，降低器件的亚阈值摆幅，提高传感灵敏度和响应速度，利于器件功率的降低，另外，本发明采用铁电掺杂的氧化铪作为铁电负电容介质，解决了无机铁电材料难以与CMOS工艺兼容的问题。