公开(公告)号：CN108107081A

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201711237057.3

申请日：2017-11-30

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张进 ,  戈肖鸿 ,  俞正寅 ,  庞俊 ,  戴华 ,  张培军

IPC: G01N27/04

Abstract: 本发明涉及一种气体传感器的制造方法，包括：在硅衬底上产生硅突出平台；淀积第一金属薄膜层，在第一金属薄膜层上得到矩形的金属反射层图形；淀积第二金属薄膜层，在第二金属薄膜层上得到加热电阻图形；淀积第三金属薄膜层，在第三金属薄膜层上得到气敏电阻电极层叉指图形；在第三金属薄膜层上得到矩形的气敏电阻区图形；淀积第四金属薄膜层，该第四金属薄膜层为氧化物气敏材料层；在第三金属薄膜层上的气敏电阻区图形的区域留下第四金属薄膜层。本发明还提供一种根据上述制造方法得到的气体传感器。本发明的气体传感器横向切断加热电阻的热导路径，纵向形成热反射隔离，提高热绝缘效果。

公开(公告)号：CN102923642A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201210442204.1

申请日：2012-11-07

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李铁 ,  高安然 ,  俞正寅 ,  戈肖鸿 ,  王跃林

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明提供一种高深宽比硅结构的侧壁平滑方法，先在硅衬底表面形成氧化硅掩膜，然后根据氧化硅掩膜于硅衬底中制作高深宽比硅结构，接着采用感应耦合等离子体增强化学气相沉积法或喷涂法于所述高深宽比硅结构侧壁形成含氟聚合物，最后去除氧化硅掩膜完成制备。本发明具有以下有益效果：1）本发明工艺简单，可控性强，且与现有半导体工艺完全兼容；2）本发明可实现对原结构完美薄膜包覆，快速提高侧壁的平滑度，且不影响高深宽比硅结构；3）特别适用于传感器件，模具或微流体沟道的应用场合，当高深宽比硅结构用作模具时，疏水性聚合物薄膜的沉积更利于脱模。

公开(公告)号：CN108107081B

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN201711237057.3

申请日：2017-11-30

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张进 ,  戈肖鸿 ,  俞正寅 ,  庞俊 ,  戴华 ,  张培军

IPC: G01N27/04

Abstract: 本发明涉及一种气体传感器的制造方法，包括：在硅衬底上产生硅突出平台；淀积第一金属薄膜层，在第一金属薄膜层上得到矩形的金属反射层图形；淀积第二金属薄膜层，在第二金属薄膜层上得到加热电阻图形；淀积第三金属薄膜层，在第三金属薄膜层上得到气敏电阻电极层叉指图形；在第三金属薄膜层上得到矩形的气敏电阻区图形；淀积第四金属薄膜层，该第四金属薄膜层为氧化物气敏材料层；在第三金属薄膜层上的气敏电阻区图形的区域留下第四金属薄膜层。本发明还提供一种根据上述制造方法得到的气体传感器。本发明的气体传感器横向切断加热电阻的热导路径，纵向形成热反射隔离，提高热绝缘效果。

公开(公告)号：CN102923642B

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201210442204.1

申请日：2012-11-07

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李铁 ,  高安然 ,  俞正寅 ,  戈肖鸿 ,  王跃林

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明提供一种高深宽比硅结构的侧壁平滑方法，先在硅衬底表面形成氧化硅掩膜，然后根据氧化硅掩膜于硅衬底中制作高深宽比硅结构，接着采用感应耦合等离子体增强化学气相沉积法或喷涂法于所述高深宽比硅结构侧壁形成含氟聚合物，最后去除氧化硅掩膜完成制备。本发明具有以下有益效果：1）本发明工艺简单，可控性强，且与现有半导体工艺完全兼容；2）本发明可实现对原结构完美薄膜包覆，快速提高侧壁的平滑度，且不影响高深宽比硅结构；3）特别适用于传感器件，模具或微流体沟道的应用场合，当高深宽比硅结构用作模具时，疏水性聚合物薄膜的沉积更利于脱模。