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公开(公告)号：CN106915723B
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201510998013.7
申请日：2015-12-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种基于激光结合各向异性腐蚀的梁‑质量块结构的制备方法，包括以下步骤：1）提供（111）硅片；2）采用激光加工工艺在所述（111）硅片背面形成第一深槽；3）在所述（111）硅片正面形成第二深槽；4）在所述（111）硅片表面、所述第一深槽及所述第二深槽侧面及底部形成第一氧化层；5）在所述（111）硅片正面形成第三深槽；6）在所述第一氧化层表面及所述第三深槽的侧面及底部形成第二氧化层；7）采用反应离子刻蚀工艺及各向异性腐蚀工艺释放梁。采用激光加工工艺结合反应离子刻蚀工艺及各向异性腐蚀工艺形成梁‑质量块结构，可降低整个工艺的成本；梁结构的厚度由从（111）硅片正面进行的深反应离子刻蚀决定，工艺精度高。
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公开(公告)号：CN106915723A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201510998013.7
申请日：2015-12-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/0015
Abstract: 本发明提供一种基于激光结合各向异性腐蚀的梁-质量块结构的制备方法，包括以下步骤：1）提供（111）硅片；2）采用激光加工工艺在所述（111）硅片背面形成第一深槽；3）在所述（111）硅片正面形成第二深槽；4）在所述（111）硅片表面、所述第一深槽及所述第二深槽侧面及底部形成第一氧化层；5）在所述（111）硅片正面形成第三深槽；6）在所述第一氧化层表面及所述第三深槽的侧面及底部形成第二氧化层；7）采用反应离子刻蚀工艺及各向异性腐蚀工艺释放梁。采用激光加工工艺结合反应离子刻蚀工艺及各向异性腐蚀工艺形成梁-质量块结构，可降低整个工艺的成本；梁结构的厚度由从（111）硅片正面进行的深反应离子刻蚀决定，工艺精度高。
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公开(公告)号：CN108615704A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201810261142.1
申请日：2018-03-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/768 , H01L23/528
Abstract: 本发明涉及一种硅通孔互连的制作工艺，包括以下步骤：S1，在硅圆片的盲孔中形成多晶硅填充结构，在多晶硅填充结构的第一表面形成阻挡层结构；S2，减薄该硅圆片，使得该盲孔形成为硅通孔结构；S3，在多晶硅填充结构的与第一表面相对的第二表面形成金属电极结构；S4，在金属电极结构上形成金凸点；S5，加热硅圆片，使得金与多晶硅填充结构在硅通孔结构中形成金硅合金结构。本发明还涉及一种由此形成的硅通孔互连结构。本发明又涉及一种硅通孔互连结构的应用。根据本发明的硅通孔互连的制作工艺、由此形成的硅通孔互连结构及其应用，结合了多晶硅TSV孔径小的优点，降低了硅通孔互连结构的寄生电阻。
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公开(公告)号：CN108107081A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711237057.3
申请日：2017-11-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/04
Abstract: 本发明涉及一种气体传感器的制造方法，包括：在硅衬底上产生硅突出平台；淀积第一金属薄膜层，在第一金属薄膜层上得到矩形的金属反射层图形；淀积第二金属薄膜层，在第二金属薄膜层上得到加热电阻图形；淀积第三金属薄膜层，在第三金属薄膜层上得到气敏电阻电极层叉指图形；在第三金属薄膜层上得到矩形的气敏电阻区图形；淀积第四金属薄膜层，该第四金属薄膜层为氧化物气敏材料层；在第三金属薄膜层上的气敏电阻区图形的区域留下第四金属薄膜层。本发明还提供一种根据上述制造方法得到的气体传感器。本发明的气体传感器横向切断加热电阻的热导路径，纵向形成热反射隔离，提高热绝缘效果。
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公开(公告)号：CN102923642A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210442204.1
申请日：2012-11-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种高深宽比硅结构的侧壁平滑方法，先在硅衬底表面形成氧化硅掩膜，然后根据氧化硅掩膜于硅衬底中制作高深宽比硅结构，接着采用感应耦合等离子体增强化学气相沉积法或喷涂法于所述高深宽比硅结构侧壁形成含氟聚合物，最后去除氧化硅掩膜完成制备。本发明具有以下有益效果：1）本发明工艺简单，可控性强，且与现有半导体工艺完全兼容；2）本发明可实现对原结构完美薄膜包覆，快速提高侧壁的平滑度，且不影响高深宽比硅结构；3）特别适用于传感器件，模具或微流体沟道的应用场合，当高深宽比硅结构用作模具时，疏水性聚合物薄膜的沉积更利于脱模。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108107081B
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201711237057.3
申请日：2017-11-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/04
Abstract: 本发明涉及一种气体传感器的制造方法，包括：在硅衬底上产生硅突出平台；淀积第一金属薄膜层，在第一金属薄膜层上得到矩形的金属反射层图形；淀积第二金属薄膜层，在第二金属薄膜层上得到加热电阻图形；淀积第三金属薄膜层，在第三金属薄膜层上得到气敏电阻电极层叉指图形；在第三金属薄膜层上得到矩形的气敏电阻区图形；淀积第四金属薄膜层，该第四金属薄膜层为氧化物气敏材料层；在第三金属薄膜层上的气敏电阻区图形的区域留下第四金属薄膜层。本发明还提供一种根据上述制造方法得到的气体传感器。本发明的气体传感器横向切断加热电阻的热导路径，纵向形成热反射隔离，提高热绝缘效果。
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公开(公告)号：CN102923642B
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201210442204.1
申请日：2012-11-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种高深宽比硅结构的侧壁平滑方法，先在硅衬底表面形成氧化硅掩膜，然后根据氧化硅掩膜于硅衬底中制作高深宽比硅结构，接着采用感应耦合等离子体增强化学气相沉积法或喷涂法于所述高深宽比硅结构侧壁形成含氟聚合物，最后去除氧化硅掩膜完成制备。本发明具有以下有益效果：1）本发明工艺简单，可控性强，且与现有半导体工艺完全兼容；2）本发明可实现对原结构完美薄膜包覆，快速提高侧壁的平滑度，且不影响高深宽比硅结构；3）特别适用于传感器件，模具或微流体沟道的应用场合，当高深宽比硅结构用作模具时，疏水性聚合物薄膜的沉积更利于脱模。
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公开(公告)号：CN101955151B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201010292178.X
申请日：2010-09-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于硅塑性变形原理的二维梳齿静电驱动器及其制作方法。其特征在于所述的静电驱动器的中央可动平台通过四根直梁连接到内部支撑框架上，内部支撑框架通过四根折叠梁连接到四个固定锚点上。依靠水平驱动梳齿与垂直驱动梳齿分别产生水平静电力及垂直静电力，同时实现中央可动平台的水平及垂直方向运动。所述的静电驱动器是采用微电子机械系统技术制作，利用硅硅高温键合技术、湿法腐蚀及干法刻蚀的方法制作固定梳齿与可动梳齿，利用硅在高温下产生塑性变形的原理使垂直驱动固定梳齿与水平梳齿在垂直方向上产生位错，代替传统工艺采用昂贵的SOI硅片和多步干法刻蚀的方法，降低了工艺难度和成本，是制作水平及垂直方向运动的二维静电驱动器的经济可靠的方法。
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公开(公告)号：CN101955151A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN201010292178.X
申请日：2010-09-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于硅塑性变形原理的二维梳齿静电驱动器及其制作方法。其特征在于所述的静电驱动器的中央可动平台通过四根直梁连接到内部支撑框架上，内部支撑框架通过四根折叠梁连接到四个固定锚点上。依靠水平驱动梳齿与垂直驱动梳齿分别产生水平静电力及垂直静电力，同时实现中央可动平台的水平及垂直方向运动。所述的静电驱动器是采用微电子机械系统技术制作，利用硅硅高温键合技术、湿法腐蚀及干法刻蚀的方法制作固定梳齿与可动梳齿，利用硅在高温下产生塑性变形的原理使垂直驱动固定梳齿与水平梳齿在垂直方向上产生位错，代替传统工艺采用昂贵的SOI硅片和多步干法刻蚀的方法，降低了工艺难度和成本，是制作水平及垂直方向运动的二维静电驱动器的经济可靠的方法。
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公开(公告)号：CN108615704B
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201810261142.1
申请日：2018-03-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/768 , H01L23/528
Abstract: 本发明涉及一种硅通孔互连的制作工艺，包括以下步骤：S1，在硅圆片的盲孔中形成多晶硅填充结构，在多晶硅填充结构的第一表面形成阻挡层结构；S2，减薄该硅圆片，使得该盲孔形成为硅通孔结构；S3，在多晶硅填充结构的与第一表面相对的第二表面形成金属电极结构；S4，在金属电极结构上形成金凸点；S5，加热硅圆片，使得金与多晶硅填充结构在硅通孔结构中形成金硅合金结构。本发明还涉及一种由此形成的硅通孔互连结构。本发明又涉及一种硅通孔互连结构的应用。根据本发明的硅通孔互连的制作工艺、由此形成的硅通孔互连结构及其应用，结合了多晶硅TSV孔径小的优点，降低了硅通孔互连结构的寄生电阻。
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