一种硅纳米线探针结构的制作方法

    公开(公告)号:CN104049112B

    公开(公告)日:2016-05-11

    申请号:CN201410300612.2

    申请日:2014-06-27

    Abstract: 本发明提供一种硅纳米线探针结构的制作方法,包括:首先提供一包括硅基体和顶绝缘层的基板,刻蚀所述顶绝缘层形成刻蚀窗口;然后利用腐蚀液对所述刻蚀窗口以下的硅基体进行侧蚀,使所述硅基体表面形成金字塔状的探针底座;接着在所述金字塔状的探针底座所对应的顶绝缘层表面制作微米铜图形;再进行退火处理,所述微米铜图形在退火过程中被消耗,同时控制硅纳米线从所述探针底座的尖端长出;最后去除所述顶绝缘层。本发明工艺简单、硅纳米线探针生长长度可控、效率高且结构体积小,与CMOS工艺的兼容使其有较好的扩展性,在扫描探针显微镜领域、微电子领域、生化检测领域有着较广的使用前景。

    一种微米铜图形控制硅纳米线精确定位生长的方法

    公开(公告)号:CN105097439B

    公开(公告)日:2017-10-27

    申请号:CN201410221661.7

    申请日:2014-05-23

    Abstract: 本发明提供一种微米铜图形控制硅纳米线精确定位生长的方法,所述方法包括步骤:首先,提供一基板,包括硅基体和位于所述硅基体上的顶绝缘层;然后,在所述顶绝缘层表面制作微米铜图形阵列;最后,进行退火处理,所述微米铜图形阵列在退火过程中被消耗,同时控制生长的硅纳米线穿过所述顶绝缘层并精确定位在所述微米铜图形阵列的位置。本发明通过微电子加工技术在硅基体支撑的氧化硅绝缘层上制作微米铜图形阵列,再在氩气和氢气氛围中退火处理,在微米铜图形阵列处精确定位生长出硅纳米线。该方法工艺简单、效率高且结构体积小,与CMOS工艺的兼容使其有较好的扩展性,在微电子领域、生物检测领域和太阳能电池领域有着较广的使用前景。

    一种二硫化钼场效应管的制作方法

    公开(公告)号:CN105448743B

    公开(公告)日:2018-09-07

    申请号:CN201410395317.X

    申请日:2014-08-12

    Abstract: 本发明提供一种二硫化钼场效应管的制作方法。包括:首先提供一包括已经掺杂的硅基体和顶绝缘层的基板,刻蚀所述顶绝缘层形成金属电极填埋窗口;然后在顶绝缘层和金属电极填埋窗口上方沉积金属薄膜;接着利用减薄的方法将顶绝缘层上方金属薄膜去除,得到金属源极和金属漏极;同时可以保持金属电极填埋窗口上方剩余的金属薄膜与顶绝缘层在同一水平高度;在金属源极、金属漏极和顶绝缘层上方制作钝化层,并制作出外接电路窗口和二硫化钼窗口;最后将二硫化钼转移到二硫化钼窗口上,并与金属源极和金属漏极相连接。本发明工艺简单、与CMOS工艺的兼容使其有较好的扩展性,同时可以重复循环使用,在微电子领域和生化检测领域有着较广的使用前景。

    一种二硫化钼场效应管的制作方法

    公开(公告)号:CN105448743A

    公开(公告)日:2016-03-30

    申请号:CN201410395317.X

    申请日:2014-08-12

    Abstract: 本发明提供一种二硫化钼场效应管的制作方法。包括:首先提供一包括已经掺杂的硅基体和顶绝缘层的基板,刻蚀所述顶绝缘层形成金属电极填埋窗口;然后在顶绝缘层和金属电极填埋窗口上方沉积金属薄膜;接着利用减薄的方法将顶绝缘层上方金属薄膜去除,得到金属源极和金属漏极;同时可以保持金属电极填埋窗口上方剩余的金属薄膜与顶绝缘层在同一水平高度;在金属源极、金属漏极和顶绝缘层上方制作钝化层,并制作出外接电路窗口和二硫化钼窗口;最后将二硫化钼转移到二硫化钼窗口上,并与金属源极和金属漏极相连接。本发明工艺简单、与CMOS工艺的兼容使其有较好的扩展性,同时可以重复循环使用,在微电子领域和生化检测领域有着较广的使用前景。

    一种硅纳米线探针结构的制作方法

    公开(公告)号:CN104049112A

    公开(公告)日:2014-09-17

    申请号:CN201410300612.2

    申请日:2014-06-27

    Abstract: 本发明提供一种硅纳米线探针结构的制作方法,包括:首先提供一包括硅基体和顶绝缘层的基板,刻蚀所述顶绝缘层形成刻蚀窗口;然后利用腐蚀液对所述刻蚀窗口以下的硅基体进行侧蚀,使所述硅基体表面形成金字塔状的探针底座;接着在所述金字塔状的探针底座所对应的顶绝缘层表面制作微米铜图形;再进行退火处理,所述微米铜图形在退火过程中被消耗,同时控制硅纳米线从所述探针底座的尖端长出;最后去除所述顶绝缘层。本发明工艺简单、硅纳米线探针生长长度可控、效率高且结构体积小,与CMOS工艺的兼容使其有较好的扩展性,在扫描探针显微镜领域、微电子领域、生化检测领域有着较广的使用前景。

    用于碱基序列检测的多栅极石墨烯场效应管结构及制备方法

    公开(公告)号:CN103995035A

    公开(公告)日:2014-08-20

    申请号:CN201410236223.8

    申请日:2014-05-29

    CPC classification number: G01N33/48721

    Abstract: 本发明提供用于碱基序列检测的多栅极石墨烯场效应管结构及制备方法,先将半导体层释放,减少结构区域的半导体层厚度。在氧化硅绝缘层上刻蚀出门电极窗口,制作出金属门电极。然后将石墨烯转移到用半导体层支撑的氧化硅绝缘层表面,通过对石墨烯图形化处理得到多条石墨烯微米带。在石墨烯微米带两端面的上表面制作金属源电极和金属漏电极。再制作绝缘层将石墨烯微片和金属门电极、金属源电极和金属漏电极表面覆盖,形成夹心结构。最后,制作纳米孔实现半导体层、氧化硅绝缘层、石墨烯微米带和绝缘层间的贯穿。当待测碱基穿过石墨烯纳米孔时,通过对金属门电极电压调制,在金属源电极端检测到碱基电信号,实现碱基序列的识别。本发明工艺简单、成本低且结构体积小,与CMOS工艺的兼容使其有较好的扩展性,在生物医疗领域有着较广的使用前景。

    一种微米铜图形控制硅纳米线精确定位生长的方法

    公开(公告)号:CN105097439A

    公开(公告)日:2015-11-25

    申请号:CN201410221661.7

    申请日:2014-05-23

    Abstract: 本发明提供一种微米铜图形控制硅纳米线精确定位生长的方法,所述方法包括步骤:首先,提供一基板,所述基板包括硅基体和位于所述硅基体上的顶绝缘层;然后,在所述顶绝缘层表面制作微米铜图形阵列;最后,进行退火处理,所述微米铜图形阵列在退火过程中被消耗,同时控制生长的硅纳米线穿过所述顶绝缘层并精确定位在所述微米铜图形阵列的位置。本发明通过微电子加工技术在硅基体支撑的氧化硅绝缘层上制作微米铜图形阵列,再在氩气和氢气氛围中退火处理,在微米铜图形阵列处精确定位生长出硅纳米线。该方法工艺简单、效率高且结构体积小,与CMOS工艺的兼容使其有较好的扩展性,在微电子领域、生物检测领域和太阳能电池领域有着较广的使用前景。

    一种基于温控冷冻平台的高精度稀墨水直写3D打印方法及装置

    公开(公告)号:CN119773222A

    公开(公告)日:2025-04-08

    申请号:CN202510046102.5

    申请日:2025-01-13

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明涉及墨水直写3D打印方法领域,特别是涉及一种基于温控冷冻平台的高精度稀墨水直写3D打印方法及装置。其包括铜板、平台顶盖、平台底壳、保温层、液氮仓、温控加热板、数显控温模块和热电偶测温装置;步骤如下:搭建温控冷冻平台;将铜板、平台顶盖、平台底壳、保温层、液氮仓、温控加热板、数显控温模块和热电偶测温装置组装制成温控冷冻平台;准备稀溶液原材料;将海藻酸钠和去离子水按一定的质量比混合,并进行搅拌处理;将搭建好的温控冷冻平台中通入液氮,同时开启温控加热板,调定温控冷冻平台上的铜板达到一定温度;将制得的稀溶液装入墨水直写3D打印机的针管中,在调定好温度的温控冷冻平台上的铜板上完成图案打印;所使用的稀溶液为不具备剪切变稀特性的溶液,所打印出的产品图案为高分辨率图案。

    一种基于陶瓷颗粒的各向异性陶瓷气凝胶的制备方法

    公开(公告)号:CN119330740A

    公开(公告)日:2025-01-21

    申请号:CN202411467854.0

    申请日:2024-10-21

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明提供了一种基于陶瓷颗粒的各向异性陶瓷气凝胶的制备方法。首先,将陶瓷颗粒和粘结剂按照比例加入到水溶剂中,搅拌均匀,制得陶瓷气凝胶浆料;其次,将浆料装入模具或直写3D打印技术的挤出针管中,并采用原位冷冻技术作为辅助,在冷却的铜板上按照预先设计的结构制备或者打印任意形状的各向异性结构气凝胶。经过冷冻干燥和烧结后,最终获得微观尺度上具有定向孔结构的陶瓷气凝胶。这种各向异性陶瓷气凝胶具有优异的机械性能,具备高达24的超高各向异性系数,在两个正交方向分别具备高刚度和高可压缩性。该陶瓷气凝胶还具有隔热、降噪、吸附、减振等功能。本发明提出的原位冷冻辅助模具成型或3D打印技术制备各向异性陶瓷气凝胶的方法成本低、操作简单、适用范围广,具有很大的应用潜力。

    一种基于纳米管和磁珠的生物传感器及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118995899A

    公开(公告)日:2024-11-22

    申请号:CN202411271207.2

    申请日:2024-09-11

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明提出一种基于纳米管和磁珠的生物传感器及其制备方法和应用。该包括两端开口的纳米管,纳米管水平放置在下方的基底上。纳米管的管壁的上、下方分别刻蚀有纳米孔,用于通过生物分子。在纳米管的内部放置有一粒磁珠。磁珠的表面已预先被特定的功能集团修饰,以确保磁珠能够通过生物大分子与右侧的竖直挡板相连。在基底平台左侧安装有一枚电磁铁。当电磁铁开启后,会在周围形成较强的磁场。由于磁珠的顺磁效应,磁珠会被迅速磁化并被电磁铁吸引。如若此时生物分子正处于通过纳米管道的过程中,生物分子会在磁珠推动下弯曲,从而延长生物分子通过纳米管的时间。本发明有助于减缓生物分子通过纳米孔的速率,实现生物分子的精准检测甚至基因测序。

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